第三代半導(dǎo)體因其高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，目前主要應(yīng)用于光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域。其中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)發(fā)展相對(duì)成熟，已經(jīng)開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

 

據(jù)TrendForce集邦咨詢此前報(bào)告顯示，受益于新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化等下游應(yīng)用市場(chǎng)需求的多點(diǎn)爆發(fā)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來(lái)了此輪高景氣周期。

 

TrendForce集邦咨詢分析2025年第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率市場(chǎng)規(guī)模合計(jì)可達(dá)47.1億美元，相比2020年7.3億美元，CAGR達(dá)45%。

 

憑借性能優(yōu)勢(shì)與對(duì)應(yīng)用市場(chǎng)的樂(lè)觀預(yù)測(cè)，第三代半導(dǎo)體備受追捧。近期晶方科技、長(zhǎng)電科技、東微半導(dǎo)、中瓷電子紛紛加碼第三代半導(dǎo)體。

 

 

2月8日，晶方科技發(fā)布公告稱，已與以色列VisIC Technologies Ltd.洽談股權(quán)合作，并由蘇州晶方貳號(hào)集成電路產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資2,000萬(wàn)美元，持有VisIC公司13.7%的股權(quán)。目前投資交割的相關(guān)手續(xù)已履行完畢。
 

圖片來(lái)源：晶方科技公告截圖

 

對(duì)于此次投資，晶方科技表示，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略規(guī)劃投資VisIC公司，進(jìn)一步加強(qiáng)股權(quán)合作，積極布局前沿半導(dǎo)體技術(shù)，并充分利用自身先進(jìn)封裝方面的產(chǎn)業(yè)和技術(shù)能力，以期能有效把握三代半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇。

 

公開(kāi)資料顯示，VisIC公司為全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）器件設(shè)計(jì)公司，申請(qǐng)布局了D3GaN技術(shù)的關(guān)鍵專利，在此基礎(chǔ)上成功開(kāi)發(fā)了硅基氮化鎵大功率晶體管和模塊，正在將其推向EV電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)，產(chǎn)品可廣泛使用于電能轉(zhuǎn)換、快速充電、射頻和功率器件等應(yīng)用領(lǐng)域。

 

公開(kāi)報(bào)道顯示，全球汽車(chē)行業(yè)供應(yīng)商采埃孚集團(tuán)和半導(dǎo)體行業(yè)龍頭臺(tái)積電均是VisIC公司的合作伙伴。

 

 

2月7日，長(zhǎng)電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，目前長(zhǎng)電科技在中國(guó)廠區(qū)已布局絕緣柵雙極晶體管（IGBT）封裝業(yè)務(wù)，鎖定車(chē)用電子和工業(yè)領(lǐng)域，同時(shí)具備碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）芯片封裝和測(cè)試能力，目前已在太陽(yáng)能和車(chē)用充電樁出貨第三代半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)品。
 

圖片來(lái)源：上證e互動(dòng)

 

公開(kāi)資料顯示，長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服務(wù)，包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶圓級(jí)中道封裝測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)封裝測(cè)試、芯片成品測(cè)試等。

 

此外值得一提的是，長(zhǎng)電科技1月24日公布了2021年業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)估去年歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)為28億-30.8億元，較2020年成長(zhǎng)114.72%-136.2%。

 

 

2月8日，東微半導(dǎo)日前發(fā)布了首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行結(jié)果公告。

圖片來(lái)源：東微半導(dǎo)公告截圖

 

其招股書(shū)顯示，東微半導(dǎo)本次IPO募投項(xiàng)目包括：超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金。

 

其中，超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目基于公司深槽超級(jí)結(jié)技術(shù)以及屏蔽柵技術(shù)的豐富積累，對(duì)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)等方面進(jìn)行改進(jìn)和提升。

 

新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目依托公司在功率器件領(lǐng)域多年的研發(fā)及技術(shù)積累，擬在未來(lái)三年陸續(xù)推出下一代高速I(mǎi)GBT和超級(jí)硅MOSFET以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品。

 

研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目則在SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進(jìn)行布局，此項(xiàng)目于2021年7月立項(xiàng)。

 

 

近期，中瓷電子發(fā)布公告，擬向中國(guó)電科十三所發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)其持有的氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債，以及中國(guó)電科十三所等股東持有的博威公司和國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾的部分股權(quán)或全部股權(quán)。

圖片來(lái)源：中瓷電子公告截圖

 

公開(kāi)資料顯示，中國(guó)電科十三所氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)主要產(chǎn)品為氮化鎵射頻芯片，頻率覆蓋無(wú)線通信主要頻段，芯片指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)批量供貨主體之一；博威公司主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件等；國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率芯片等。