美國白宮更新關(guān)鍵和新興技術(shù)清單（ list of Critical and Emerging Technologies，簡稱“CET清單”），涉及超算、通信和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、人工智能（AI）、半導(dǎo)體和微電子等19類技術(shù)，美國政府表示該清單有助于為即將出臺(tái)的美國技術(shù)競爭力和國家安全戰(zhàn)略提供信息。此次白宮在其關(guān)鍵和新興技術(shù)名單上增加了5個(gè)新的技術(shù)領(lǐng)域，包括高超音速能力、定向能源、可再生能源發(fā)電和儲(chǔ)存、核能和金融技術(shù)。

 

 

日本《朝日新聞》2月8日報(bào)道，日本政府已經(jīng)制定了扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的具體政策。作為新建工廠獲得補(bǔ)貼的條件，企業(yè)被要求必須連續(xù)生產(chǎn)十年。在人才培養(yǎng)方面，日本政府還將在全國多所國立高等專科學(xué)校設(shè)置相關(guān)課程。報(bào)道稱，一旦半導(dǎo)體產(chǎn)品斷供，智能手機(jī)和汽車等諸多行業(yè)都將陷入生產(chǎn)停滯。眼下需求的快速增長導(dǎo)致全球性的半導(dǎo)體短缺，企業(yè)被迫展開貨源爭奪戰(zhàn)。美國通過了確保重要物資穩(wěn)定供應(yīng)的法案，對半導(dǎo)體行業(yè)提供支持。日本也在所謂“維護(hù)經(jīng)濟(jì)安全”的呼聲中，試圖提供巨額補(bǔ)貼。

 

 

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月7日報(bào)道稱，美國、中國、韓國等國家正投入巨資擴(kuò)大芯片產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在歐盟也在效仿。歐盟內(nèi)部市場專員蒂埃里·布雷頓將在2月8日公布?xì)W盟的《芯片法案》。根據(jù)該法案，到2030年，歐盟將投入大約450億歐元用于支持芯片生產(chǎn)、試點(diǎn)項(xiàng)目和初創(chuàng)企業(yè)，最重要的是建設(shè)大型芯片制造工廠。具體來看，300億歐元促進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)，120億歐元用于量子芯片等試點(diǎn)項(xiàng)目。目標(biāo)是到2030年，歐盟在全球芯片生產(chǎn)的份額將從目前的10%增加到20%。

 

 

荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）近日警告稱，如果不采取緊急行動(dòng)振興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，歐洲就有可能跌落至在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域毫無影響力的境地。該公司首席執(zhí)行官彼得·溫尼克認(rèn)為，全球芯片行業(yè)短期內(nèi)沒有供應(yīng)過剩的風(fēng)險(xiǎn)。

 

在全球“缺芯”持續(xù)困擾眾多產(chǎn)業(yè)之際，發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為全球多個(gè)國家地區(qū)的共識(shí)。彼得·溫尼克在致投資者的信中預(yù)計(jì)，今年，中國、歐盟、日本、韓國和美國在芯片行業(yè)的資本支出預(yù)計(jì)將從2021年的1500億美元增加一倍。他表示：“我們意識(shí)到，這引發(fā)了對潛在供應(yīng)過剩的擔(dān)憂……然而，我們認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)明顯的增長前景確實(shí)需要大幅提高產(chǎn)能。”他相信芯片行業(yè)會(huì)設(shè)法避免供應(yīng)過剩的情況。“行業(yè)合作伙伴將付出足夠的努力，以維持一個(gè)無障礙、高效的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。”彼得·溫尼克表示。

 

他提出，歐洲有必要改善由上至下的整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈，包括從芯片組件和電子產(chǎn)品等。阿斯麥還呼吁歐洲成立一個(gè)芯片聯(lián)盟，并盡快集體討論出一份“長期半導(dǎo)體創(chuàng)新路線圖”。該公司警告稱：“如果不采取行動(dòng)，歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)能(在全球占比)將降至4%以下，這將使其在全球范圍內(nèi)幾乎無關(guān)緊要。”

 

阿斯麥認(rèn)為，要提振歐洲芯片產(chǎn)業(yè)，這份法案遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。對于歐洲來說，無論是芯片產(chǎn)業(yè)上游的產(chǎn)能，還是芯片產(chǎn)業(yè)下游的需求，目前都遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于美國和亞洲。

 

 

墨西哥汽車工業(yè)協(xié)會(huì)（AMIA）表示，拖累墨西哥汽車業(yè)的全球半導(dǎo)體短缺應(yīng)在今年全年恢復(fù)正常，芯片供應(yīng)應(yīng)在2022年下半年達(dá)到疫情前的水平。AMIA主管Fausto Cuevas在新聞發(fā)布會(huì)上表示:“我們預(yù)計(jì)半導(dǎo)體短缺將在全年企穩(wěn)，接近下半年時(shí)可能會(huì)回到疫情爆發(fā)前的水平。”

 

 

據(jù)Gartner的最新預(yù)測顯示，2022年全球電動(dòng)車(純電動(dòng)和插電式混合動(dòng)力車)出貨量將從2021年的400萬輛增加至600萬輛。另外，全球公共電動(dòng)車充電樁將在2022年從上一年的160萬個(gè)增加至210萬個(gè)。Gartner預(yù)測，電動(dòng)乘用車將占到2022年電動(dòng)車總出貨量的95%，客車、貨車和重型卡車僅占5%。Gartner分析，由于中國要求車企在2030年實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車占總銷售量40%的目標(biāo)，并且車企正在紛紛建立新的電動(dòng)車制造工廠，因此Gartner預(yù)計(jì)大中華區(qū)將占2022年全球電動(dòng)車出貨量的46%，達(dá)到290萬輛，位居全球榜首。西歐和北美將分別以190萬輛和85.53萬輛位居第二和第三。

 

 

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月4日，美國眾議院以222票贊成、210反對的投票結(jié)果通過了近3000頁的《2022美國競爭法案》獲美眾議院通過。該法案將劃撥520億美元巨額投資和補(bǔ)貼，支持半導(dǎo)體制造行業(yè)，擴(kuò)大本國芯片工廠的建設(shè)。據(jù)路透社華盛頓報(bào)道，該法案旨在提高美國對中國的競爭力，支持美國芯片產(chǎn)業(yè)，其中包括為半導(dǎo)體制造和研究提供520億美元補(bǔ)貼。報(bào)道稱，拜登政府正在說服國會(huì)批準(zhǔn)資金，以幫助促進(jìn)美國的芯片生產(chǎn)，因用于汽車和電腦的關(guān)鍵零部件短缺加劇了供應(yīng)鏈瓶頸。

 

 

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月7日，拜登政府將33家中國實(shí)體列入商務(wù)部的“未經(jīng)核實(shí)名單”(Unverified List)，對這些實(shí)體從美國出口商獲取產(chǎn)品實(shí)施新的限制，并要求希望與這些中國公司做生意的美國公司進(jìn)行額外的調(diào)查。這33家大多數(shù)都是半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的公司，也包括光學(xué)公司、一家風(fēng)機(jī)渦輪葉片公司以及大學(xué)的國家實(shí)驗(yàn)室和其他公司。目前，“未經(jīng)核實(shí)名單”中共有175家實(shí)體，除中國外還包括俄羅斯和阿拉伯聯(lián)合酋長國實(shí)體。突發(fā)！美商務(wù)部下黑手，33家中國企業(yè)加入所謂的“未經(jīng)核實(shí)名單”

 

韓國將創(chuàng)建一個(gè)芯片工程師數(shù)據(jù)庫，以監(jiān)控他們進(jìn)出該國的行程，防止關(guān)鍵技術(shù)落入外國競爭對手手中。據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》報(bào)道，上述措施是加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)五年計(jì)劃的一部分，要求列出在電池、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（OLED）、船舶和鋼鐵等12項(xiàng)在“國家核心技術(shù)”方面具有先進(jìn)知識(shí)的人員名單，企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)將為符合這些標(biāo)準(zhǔn)的人員登記。韓國政府則追蹤這些名單上人員的行程。另外，數(shù)據(jù)庫將不限于韓國國民，受雇于韓國公司或外國企業(yè)當(dāng)?shù)刈庸镜耐鈬こ處熞矊ㄔ趦?nèi)。據(jù)了解，在過去的5年中，韓國發(fā)生了397起技術(shù)泄露事件。對于三星電子等依賴技術(shù)優(yōu)勢的巨頭來說，技術(shù)泄露已經(jīng)成為一個(gè)日益嚴(yán)重的問題，韓國政府旨在遏制此類事件的發(fā)生。

 

 

 

2月10日消息，羅姆將在2022年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導(dǎo)體的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導(dǎo)體”，據(jù)稱和此前的硅半導(dǎo)體相比，新產(chǎn)品能把電流切換時(shí)的損耗減少6成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設(shè)生產(chǎn)設(shè)備，首先面向5G基站等供貨。除氮化鎵半導(dǎo)體以外，羅姆還在量產(chǎn)新一代碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。碳化硅功率半導(dǎo)體更高耐壓，將面向純電動(dòng)汽車的核心零部件銷售，實(shí)現(xiàn)兩種功率半導(dǎo)體的分棲共存。

 

 

2月11日，據(jù)華爾街日報(bào)消息，自1月下旬以來，日本兩家生產(chǎn)閃存芯片的工廠因污染問題而發(fā)生停產(chǎn)事件，這一問題可能會(huì)影響已經(jīng)陷入困境的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。這兩家工廠由日本鎧俠與總部位于美國加州圣何塞的Western Digital合作經(jīng)營。兩家工廠生產(chǎn)的NAND閃存芯片用于包括智能手機(jī)、電腦和服務(wù)器在內(nèi)的許多產(chǎn)品。

 

 

AMD官方正式宣布，已獲得了有關(guān)收購賽靈思的所有必要批準(zhǔn)，預(yù)計(jì)將于 2022 年 2 月 14 日前后完成收購。2020年10月，AMD宣布計(jì)劃斥資350億美元(股票形式)收購FPGA大廠賽靈思，以豐富自家產(chǎn)品線，與現(xiàn)有CPU處理器、GPU顯卡、加速計(jì)算卡形成完整的高性能計(jì)算體系。未來，AMD極有可能在增加CPU、GPU中集成賽靈思FPGA IP，從而和Intel、NVIDIA展開更有針對性的競爭。

 

AMD總裁兼CEO蘇姿豐曾指出，這筆收購將為AMD帶來一支卓越的團(tuán)隊(duì)。AMD通過有效整合賽靈思在FPGA方面的優(yōu)勢，能夠提供具有更廣泛高性能的計(jì)算產(chǎn)品組合，提供從CPU到GPU、ASIC、FPGA系統(tǒng)級(jí)解決方案。同時(shí)，借助賽靈思在5G、通信、自動(dòng)駕駛和行業(yè)領(lǐng)域的資源，AMD能夠?qū)⒏咝阅苡?jì)算能力帶入更多領(lǐng)域，擴(kuò)展到更廣泛的客戶群體中。

 

 

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（2月8日），格芯首席執(zhí)行官Tom Caulfield在一份聲明中表示，公司簽署了更多長期合作協(xié)議，有30家客戶承諾出資合計(jì)32億美元以幫助公司擴(kuò)產(chǎn)，以支持強(qiáng)勁的芯片需求。據(jù)《巴倫周刊》報(bào)道，Caulfield表示，2021年，格芯“通過利用普及半導(dǎo)體解決方案的需求和在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中發(fā)揮關(guān)鍵作用，加速了我們的商業(yè)計(jì)劃”。“我們執(zhí)行得很好，相信我們將在2022年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁的收入和盈利增長。”

 

格芯首席財(cái)務(wù)官David Reeder則表示，當(dāng)前的芯片短缺問題不會(huì)在2022年得到解決。他指出，終端市場的需求正以中位數(shù)到高位數(shù)的速度增長，但在格芯所在的市場上，目前已宣布的新增產(chǎn)能在未來五年內(nèi)僅以每年4%的速度增加。

 

 

據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，富士康呼應(yīng)中國制造2025 正準(zhǔn)備投資規(guī)模高達(dá)600億人民幣的半導(dǎo)體計(jì)劃。而據(jù)知情人士透露，該項(xiàng)目大部分事業(yè)費(fèi)用將由珠海政府資助，并被列為頂級(jí)科技項(xiàng)目之一，并獲得補(bǔ)貼及稅收減免等優(yōu)惠。消息顯示，富士康正在跟珠海市政府談判投資半導(dǎo)體事宜，目前已經(jīng)進(jìn)入最后階段了。

 

根據(jù)爆料消息，富士康及子公司夏普聯(lián)合與珠海市政府成立一家合資公司，項(xiàng)目總投資約600億元人民幣，不過大部分投資都會(huì)來自于珠海市政府以國家高新技術(shù)的名義申請補(bǔ)貼及稅收減免。該晶圓廠將于2020年開始建設(shè)，富士康也將借此來挑戰(zhàn)臺(tái)積電等代工行業(yè)領(lǐng)先者。該工廠將制造用于超高清8K電視的芯片、攝像頭圖像傳感器以及工業(yè)應(yīng)用和連接設(shè)備的各種傳感器芯片，最終將擴(kuò)大珠海工廠的12英寸產(chǎn)能，為機(jī)器人和自動(dòng)駕駛汽車制造更先進(jìn)的芯片。晶圓廠將不止為富士康制造芯片，也為其他廠商開放代工服務(wù)。

 

 

2月10日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“東微半導(dǎo)”）正式登陸科創(chuàng)板，股票代碼為“688261”。東微半導(dǎo)本次公開發(fā)行股票數(shù)量為1684.41萬股，發(fā)行價(jià)格為130元/股/。東微半導(dǎo)業(yè)績整體呈穩(wěn)健增長態(tài)勢，此次上市欲圍繞主營業(yè)務(wù)發(fā)展，致力于成為國際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商。此次上市，東微半導(dǎo)計(jì)劃募資93869.10萬元，分別用于超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目和科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金。其中，科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金擬投入45700萬元，占總募資金額的48.68%。東微半導(dǎo)計(jì)劃將款項(xiàng)分別用于補(bǔ)充流動(dòng)資金和產(chǎn)業(yè)并購及整合。

 

 

曠達(dá)科技集團(tuán)股份有限公司1月26日發(fā)布公告稱，公司重要參股公司芯投微電子科技（上海）有限公司與合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管委會(huì)于當(dāng)日簽訂了《芯投微濾波器芯片研發(fā)生產(chǎn)總部項(xiàng)目投資合作協(xié)議書》。公告資料顯示，芯投微設(shè)立合肥芯投微電子有限公司作為項(xiàng)目主體公司，在合肥高新區(qū)建設(shè)濾波器芯片及模組研發(fā)、設(shè)計(jì)及生產(chǎn)總部項(xiàng)目，該項(xiàng)目總投資55億元人民幣，分兩期實(shí)施。

 

 

泰科天潤官方消息，目前泰科天潤碳化硅芯片量產(chǎn)線已進(jìn)入生產(chǎn)狀態(tài)中，預(yù)期年產(chǎn)6萬片6英寸碳化硅功率芯片，可實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的自主控制，填補(bǔ)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白。并將通過實(shí)力、資產(chǎn)規(guī)模、業(yè)務(wù)開拓、市場占有率等方面的跨越式發(fā)展，加速提升市場競爭力，向國內(nèi)各省市和國際市場擴(kuò)張。據(jù)了解，泰科天潤碳化硅芯片項(xiàng)目位于瀏陽經(jīng)開區(qū)（高新區(qū)）新能源標(biāo)準(zhǔn)廠區(qū)內(nèi)，于2019年年底正式開建，該項(xiàng)目一期總投資5億元，一期主要建設(shè)年產(chǎn)6萬片6英寸的碳化硅功率芯片量產(chǎn)線，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)6萬片6英寸碳化硅晶圓。整個(gè)項(xiàng)目投產(chǎn)滿產(chǎn)后，年產(chǎn)值預(yù)計(jì)可達(dá)13億至14億元。

 

近日，2022年北京市“3個(gè)100”市重點(diǎn)工程發(fā)布。小米汽車、理想汽車全球旗艦工廠、中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線（二期）工程、第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房、北方華創(chuàng)半導(dǎo)體裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、華卓精科半導(dǎo)體裝備關(guān)鍵部件研發(fā)制造二期項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目、國望光學(xué)系統(tǒng)項(xiàng)目等都榜上有名。

 

 

2月8日，廣州市發(fā)展和改革委員會(huì)在官網(wǎng)正式公布廣州市2022年重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃。在廣州市2022年重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃中，涵蓋多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，涉及模擬芯片、碳化硅芯片、MEMS傳感器等領(lǐng)域。例如，重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃包括粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目二期項(xiàng)目、廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司電子元器件制造項(xiàng)目（一期）、廣東盈驊總部和微處理芯片封裝載板項(xiàng)目、志橙半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)制造總部等。重點(diǎn)建設(shè)預(yù)備項(xiàng)目計(jì)劃包括粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目三期、興森科技FCBGA封裝基板項(xiàng)目、艾佛光通濾波器生產(chǎn)研發(fā)基地、風(fēng)華高科生產(chǎn)制造基地及總部項(xiàng)目等。

 

 

國家發(fā)展改革委官網(wǎng)日前發(fā)布《關(guān)于深圳建設(shè)中國特色社會(huì)主義先行示范區(qū)放寬市場準(zhǔn)入若干特別措施的意見》。其中，在放寬和優(yōu)化先進(jìn)技術(shù)應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)域市場準(zhǔn)入方面，《若干特別措施》強(qiáng)調(diào)，創(chuàng)新市場準(zhǔn)入方式建立電子元器件和集成電路交易平臺(tái)。

 

 

近日，在江蘇富樂華功率半導(dǎo)體研究院，高新區(qū)與無錫海古德新技術(shù)有限公司成功簽約，清華大學(xué)國家863科技成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目——年產(chǎn)1020萬片半導(dǎo)體功率模塊使用陶板基板項(xiàng)目正式落戶高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園。該項(xiàng)目由無錫海古德投資6億元?jiǎng)?chuàng)建江蘇海古德新技術(shù)有限公司，占地80畝，廠房面積7萬平方米，新上六條流延線及排膠線，新購燒結(jié)爐、研磨機(jī)、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進(jìn)口設(shè)備，年產(chǎn)氮化鋁基板720萬片、氮化硅基板300萬片，年可實(shí)現(xiàn)開票10億元。

 

2月6日消息，據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，環(huán)球晶圓（GlobalWafers）收購德國晶圓制造商世創(chuàng)（Siltronic）的交易，因未能在 1 月 31 日截止期限前獲得德國監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)而告終。環(huán)球晶圓表示，將于 2022 年至 2024 年投入千億元新臺(tái)幣的資本支出，其中包括擴(kuò)建新廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭指出，即使公開收購世創(chuàng)一案未果，他們在事前已規(guī)劃雙軌策略。環(huán)球晶圓提到，將考慮進(jìn)行多項(xiàng)現(xiàn)有廠區(qū)及新廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包含 12 寸晶圓與磊晶、8 寸與 12 寸 SOI、8 寸 FZ、SiC 晶圓（含 SiC Epi）、GaN on Si 等大尺寸次世代產(chǎn)品。報(bào)道稱，擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃涵蓋亞洲、歐洲和美國地區(qū)的投資，總投資金額最高達(dá) 1000 億元新臺(tái)幣（約 229 億元人民幣），包括擴(kuò)充現(xiàn)有廠區(qū)及興建新廠，新產(chǎn)線產(chǎn)出時(shí)間預(yù)計(jì)從 2023 年下半開始逐季增加。

 

 

2021年12月，華羿微電子股份有限公司完成數(shù)億元融資，投資方包括盛宇投資旗下多只基金、欣旺達(dá)、超越摩爾、陜投基金等。華羿微電成立于2017年，其官微顯示，公司是天水華天電子集團(tuán)股份有限公司旗下專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的企業(yè)。華羿微電源起于2008成立的西安后羿半導(dǎo)體，是國內(nèi)獨(dú)特的既具有豐富的自研MOSFET設(shè)計(jì)產(chǎn)品線，同時(shí)又給海外功率器件大廠提供功率器件封裝代工業(yè)務(wù)的企業(yè)。華羿微電已量產(chǎn)的產(chǎn)品達(dá)到400余種，自主產(chǎn)品主要分為溝槽型功率MOSFET（中/低壓）和屏蔽柵溝槽型功率MOSFET（SGT）（中/低壓）等系列；封測產(chǎn)品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等系列。該公司產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車、汽車電子、5G基站、電動(dòng)工具、儲(chǔ)能、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

 

 

安徽承禹半導(dǎo)體材料科技有限公司(以下簡稱“承禹新材”)生產(chǎn)的碲鋅鎘單晶棒及晶片獲得中科院半導(dǎo)體所《關(guān)于第三代前沿半導(dǎo)體材料碲鋅鎘單晶棒及晶片檢測檢驗(yàn)報(bào)告》。報(bào)告顯示，承禹新材生產(chǎn)的碲鋅鎘單晶棒及晶片在紅外透過率等綜合參數(shù)性能、產(chǎn)品良率、晶棒及晶片尺寸規(guī)格，尤其是3英寸的全單晶圓片等幾項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)均國內(nèi)領(lǐng)先，部分指標(biāo)追平及領(lǐng)先國際技術(shù)水平。

 

依托蚌埠水利建設(shè)投資有限公司，設(shè)立水利“雙招雙引”投資基金，搭建合作發(fā)展平臺(tái)。投資1億元立成安徽承禹半導(dǎo)體新材料有限公司，科創(chuàng)團(tuán)隊(duì)以技術(shù)入股，共同建設(shè)具有國際領(lǐng)先水平與規(guī)模的碲鋅鎘半導(dǎo)體單晶材料、晶片及探測器模塊化部件生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后總產(chǎn)值可達(dá)30億元。2021年12月，首批碲鋅鎘單晶棒出爐，產(chǎn)品送至中科院半導(dǎo)體所檢驗(yàn)，于近日獲得檢驗(yàn)報(bào)告。目前，產(chǎn)品已獲得兩家重點(diǎn)裝備科研單位訂單。

 

 

全球光刻機(jī)龍頭廠商ASML發(fā)布了2021年度報(bào)告。報(bào)告顯示其2021年度營收186億歐元，毛利率52.7%，研發(fā)支出25億歐元，凈利潤達(dá)59億歐元，各項(xiàng)業(yè)績指標(biāo)都大幅增長，員工總數(shù)也達(dá)到了3.2萬多人。在這份2021年度報(bào)告當(dāng)中，ASML也提到了對于其商業(yè)秘密、專有客戶數(shù)據(jù)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)或其他機(jī)密信息遭到第三方或自家員工竊取的擔(dān)憂.ASML稱，了解到與之前因竊密而被判賠償?shù)腦TAL公司的相關(guān)公司——東方晶源可能正積極地在中國銷售侵犯ASML知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品。已經(jīng)聯(lián)系了部分客戶要求暫停與XTAL有關(guān)聯(lián)的東方晶源的業(yè)務(wù)往來，并已告知中國政府相關(guān)情況。其正在“密切關(guān)注這一情況，并準(zhǔn)備在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候采取法律行動(dòng)”。

 

 

皇庭國際的公司官網(wǎng)新增了一位半導(dǎo)體行業(yè)的資深顧問，投資德興市意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司有新的進(jìn)展，相較之前的公告，投資方案調(diào)整為由公司全資子公司深圳市皇庭基金管理有限公司向意發(fā)功率增資人民幣5000萬元，對應(yīng)持有意發(fā)功率13.3774%的股權(quán)。公告稱，除本次增資外，公司仍在與意發(fā)功率的核心管理團(tuán)隊(duì)洽談股權(quán)收購以及合作事項(xiàng)。

 

 

晶方科技發(fā)布公告稱，已與以色列VisIC Technologies Ltd.洽談股權(quán)合作，并由蘇州晶方貳號(hào)集成電路產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資2000萬美元，持有VisIC公司13.7%的股權(quán)。公告顯示，晶方貳號(hào)產(chǎn)業(yè)基金本次擬增加投資500萬美元，向VisIC公司境外股東購買其所持有的VisIC公司股權(quán)。對于此次投資的目的，晶方科技表示，公司通過晶方貳號(hào)產(chǎn)業(yè)基金并對以色列VisIC公司進(jìn)行投資，有利進(jìn)一步深化與以色列VisIC公司的股權(quán)合作，更好推進(jìn)未來雙方的戰(zhàn)略合作與業(yè)務(wù)協(xié)同。

 

 

天眼查顯示，近日，奉新時(shí)代新能源材料有限公司成立，注冊資本10億人民幣，法定代表人為林美娜，經(jīng)營范圍含碳酸鋰系列產(chǎn)品、鋰電正極材料及其他化工產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售；新材料技術(shù)研發(fā)、推廣服務(wù)等。股權(quán)穿透圖顯示，該公司由宜春時(shí)代新能源資源有限公司（寧德時(shí)代全資子公司）、蘇州天華超凈科技股份有限公司共同持股，持股比例分別為90%、10%。

 

 

韓國三星發(fā)表最新財(cái)報(bào)時(shí)宣布，計(jì)劃2022下半年商業(yè)化生產(chǎn)全球首創(chuàng)的閘極全環(huán)晶體管（Gate-All-Around，GAA）技術(shù)芯片。新制程技術(shù)與代工龍頭臺(tái)積電5納米節(jié)點(diǎn)鰭式場效晶體管（FinFET）技術(shù)相比，有晶體管密度的優(yōu)勢。，2022上半年第一代GAA技術(shù)，就是3GAAE制程技術(shù)將量產(chǎn)，到了下半年開始商業(yè)化生產(chǎn)。三星將繼續(xù)照計(jì)劃開發(fā)第二代GAA技術(shù)，也就是3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），時(shí)間點(diǎn)與三星2021年6月宣布的時(shí)程大致相同。

 

天眼查App顯示，2月9日，北京京東方尚亦科技有限公司成立，法定代表人為徐偉，注冊資本1億人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路設(shè)計(jì)；生產(chǎn)其他電子設(shè)備等。股東信息顯示，該公司由京東方智慧物聯(lián)科技有限公司、尚亦城(北京)科技文化集團(tuán)有限公司共同持股，持股比例分別為60%、40%。

 

 

日前，總投資10億元的臺(tái)資項(xiàng)目——長晟半導(dǎo)體閃存芯片封測項(xiàng)目在南通市2022年第一季重大項(xiàng)目集中開工儀式現(xiàn)場亮相。據(jù)悉，長晟半導(dǎo)體閃存芯片封測項(xiàng)目是由廣東長興半導(dǎo)體科技有限公司、臺(tái)灣追日潤半導(dǎo)體投資建設(shè)，項(xiàng)目位于南通經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，占地面積33畝，規(guī)劃總建筑面積3萬平方米。

 

 

2月7日，上海微電子舉行首臺(tái)2.5D/3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)發(fā)運(yùn)儀式，這標(biāo)志著中國首臺(tái)2.5D/3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)正式交付客戶。不過，具體客戶未知。資料顯示，該光刻機(jī)可滿足 0.8μm（ 800nm ）分辨率光刻工藝需求，極限分辨率可達(dá) 0.6μm（ 600nm ）；通過升級(jí)運(yùn)動(dòng)、量測和控制系統(tǒng)，套刻精度提升至 ≤ 100nm，并能保持長期穩(wěn)定性。報(bào)道指出，這種光刻機(jī)具有高分辨率、高套刻精度以及超大曝光視場等特點(diǎn)，主要用于高密度異構(gòu)集成的領(lǐng)域。此次發(fā)運(yùn)的產(chǎn)品是新一代的先進(jìn)封裝光刻機(jī)，主要應(yīng)用于高端數(shù)據(jù)中心高性能計(jì)算（HPC）和高端AI芯片等高密度異構(gòu)集成領(lǐng)域，可滿足2.5D/3D超大芯片尺寸的先封裝應(yīng)用需求，代表了行業(yè)同類產(chǎn)品的最高水平。

 

 

半導(dǎo)體行業(yè)硅晶圓的主要供應(yīng)商Sumco（勝高）表示，其到 2026 年的產(chǎn)能已經(jīng)售罄，這表明硅晶圓的短缺狀況可能在未來幾年都不會(huì)緩解。據(jù)報(bào)道，勝高是為數(shù)不多的提供專用硅晶圓的公司之一，該公司公布財(cái)報(bào)后表示，其未來五年300毫米硅晶圓產(chǎn)能都被訂滿，目前不接受150毫米和200毫米硅晶圓的長期訂單，但未來幾年需求可能會(huì)持續(xù)超過供應(yīng)。2021年硅晶圓的價(jià)格比前一年上漲了10%，勝高預(yù)計(jì)這種漲勢至少會(huì)持續(xù)到2024年。勝高表示，盡管需要長期供應(yīng)的客戶需求強(qiáng)勁，但今年根本無法擴(kuò)大產(chǎn)量。公司已經(jīng)盡其所能優(yōu)化現(xiàn)有生產(chǎn)線，其全套產(chǎn)品（包括200毫米和300毫米硅晶圓）的供需不平衡是一致的。

 

 

2月7日晚，立昂微發(fā)布公告稱，公司控股子公司金瑞泓微電子與康峰投資、柘中股份(002346)、嘉興康晶簽署了《關(guān)于國晶(嘉興)半導(dǎo)體有限公司之重組框架協(xié)議》。目前國晶半導(dǎo)體由康峰持股14.25%;嘉興康晶持股41.31%;柘中股份持股44.44%。股權(quán)重組后，金瑞泓微電子將取得國晶半導(dǎo)體58.69%股權(quán)，嘉興康晶持有41.31%股權(quán)。柘中股份、政府產(chǎn)業(yè)扶持基金及其他股東通過嘉興康晶間接持有國晶半導(dǎo)體股權(quán)。這意味著隨著立昂微的子公司金瑞泓微電子將成為國晶半導(dǎo)體第一大股東，立昂微將取得國晶半導(dǎo)體的控制權(quán)。立昂微認(rèn)為此次收購有利于公司擴(kuò)大現(xiàn)有的集成電路用12英寸硅片的生產(chǎn)規(guī)模，提高公司在集成電路用12英寸硅片的市場地位。

 

 

據(jù)外媒報(bào)道，由于未能與管理層就2021年的工資問題達(dá)成協(xié)議，全國三星電子工會(huì)周末向韓國國家勞資關(guān)系委員會(huì)提出仲裁申請。工會(huì)表示，如果仲裁協(xié)議不能在10天內(nèi)達(dá)成，工會(huì)將擁有舉行罷工的合法權(quán)利，這在該公司53年的歷史中從未出現(xiàn)過。顯然，考慮到供應(yīng)鏈緊縮已經(jīng)影響到科技行業(yè)，任何工廠停產(chǎn)都將產(chǎn)生重大負(fù)面影響。三星子公司W(wǎng)elStory的工會(huì)工人也在公司總部前舉行集會(huì)，抗議管理層拒絕支付績效獎(jiǎng)金。工人們要求管理層分享該公司去年創(chuàng)紀(jì)錄的營收，但管理層稱去年6月韓國公平交易委員會(huì)(FTC)處以960億韓元（約合8000萬美元）罰款是拒絕的主要原因。

 

 

軟銀集團(tuán)創(chuàng)始人孫正義表示，他計(jì)劃讓Arm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。2月8日，因?yàn)楸O(jiān)管部門的反對，英偉達(dá)(NVDA.US)將放棄從軟銀手中以660億美元收購英國芯片企業(yè)ARM，終止了這筆交易芯片行業(yè)有史以來規(guī)模最大的一筆交易。軟銀現(xiàn)在計(jì)劃在2023年3月之前讓Arm上市。孫正義說，Arm很可能會(huì)在以科技股為主的美國納斯達(dá)克股票市場(Nasdaq Stock Market)上市，因?yàn)锳rm的許多客戶都在硅谷。值得關(guān)注的是，根據(jù)協(xié)議條款，軟銀將保留英偉達(dá)預(yù)付的12.5億美元，這筆錢將在第四季度記為利潤，而英偉達(dá)將保留其20年的ARM授權(quán)。

 

 

日前有消息稱美光將關(guān)閉位于上海的 DRAM 內(nèi)存設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，并給 40 多名核心技術(shù)人員提供移民美國的待遇，現(xiàn)在美光方面已經(jīng)證實(shí)停止內(nèi)存設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。據(jù)媒體報(bào)道，美光聲明表示， 將在未來一年內(nèi)關(guān)閉公司上海設(shè)計(jì)中心的 DRAM 工程組，預(yù)計(jì)這項(xiàng)工作到 2022 年 12 月將會(huì)完成。美光補(bǔ)充說，上海設(shè)計(jì)中心今后將專注于開發(fā) NAND 和 SSD 技術(shù)。此前消息稱， 上海的設(shè)計(jì)中心約有 150 名工程技術(shù)人員，其中約有 40 名核心技術(shù)人員可選擇移民到印度或者美國辦公。除了該團(tuán)隊(duì)，美光上海研發(fā)中心還包括銷售、測試等多個(gè)部門。

 

 

據(jù)《菏澤日報(bào)》近日報(bào)道，位于山東省菏澤市開發(fā)區(qū)的美華5G項(xiàng)目工地，自開工以來，項(xiàng)目建設(shè)不斷提速提效。山東美華5G光通信項(xiàng)目由廣東漢瑞通信科技有限公司投資建設(shè)，計(jì)劃投資9.8億元，用地263畝。項(xiàng)目重點(diǎn)建設(shè)第三代半導(dǎo)體光通信激光器封測生產(chǎn)線、5G光通信模塊、智能電器終端生產(chǎn)線、功率器件封裝及模塊生產(chǎn)線共計(jì)24條。項(xiàng)目一期建設(shè)有4個(gè)廠房，目前，1號(hào)廠房已經(jīng)封頂，2、3、4號(hào)廠房預(yù)計(jì)4月底可以封頂，緊接著將進(jìn)行室內(nèi)裝修等工作。項(xiàng)目計(jì)劃于2024年全部建成投產(chǎn)，該項(xiàng)目計(jì)劃2022年5月份試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年可實(shí)現(xiàn)銷售收入50億元，實(shí)現(xiàn)利稅10億元以上，新增就業(yè)崗位2000余個(gè)。

 

 

東芝在東京發(fā)表聲明稱，計(jì)劃分拆包括半導(dǎo)體在內(nèi)的設(shè)備業(yè)務(wù)，讓其上市。東芝放棄了稍早時(shí)候作出的剝離基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)的計(jì)劃，該業(yè)務(wù)將繼續(xù)歸東芝所有。東芝表示，分拆為兩家公司的安排將比最初的計(jì)劃更節(jié)省成本、更順利。東芝表示，存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)鎧俠的股票將繼續(xù)由公司持有，但公司將尋求“立即”將這些股票變現(xiàn)，并將收益返還給股東。鎧俠一直在尋求進(jìn)行首次公開招股(IPO)，但有報(bào)道稱它也在與西部數(shù)據(jù)進(jìn)行合并談判。東芝還將其上市電子設(shè)備業(yè)務(wù)東芝泰格指定為非核心業(yè)務(wù)，但沒有表示會(huì)出售這個(gè)部門。東芝將在兩年內(nèi)把3000億日元(約合26億美元)的過剩資本用于股東回報(bào)。另外，東芝還將以大約1000億日元的價(jià)格把所持有空調(diào)部門東芝開利的55%股份出售給美國合資公司伙伴開利全球公司。

 

 

 

中國電子科技集團(tuán)第二研究所近日傳來好消息，在SiC激光剝離設(shè)備研制方面，取得了突破性進(jìn)展。目前，科研團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，并利用自主搭建的實(shí)驗(yàn)測試平臺(tái)，結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了小尺寸SiC（碳化硅）單晶片的激光剝離。

 

激光垂直改質(zhì)剝離設(shè)備被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體中的光刻機(jī)”，其創(chuàng)新性地利用光學(xué)非線性效應(yīng)，使激光穿透晶體，在晶體內(nèi)部發(fā)生一系列物理化學(xué)反應(yīng)，最終實(shí)現(xiàn)晶片的剝離。這種激光剝離幾乎能避免常規(guī)的多線切割技術(shù)導(dǎo)致的材料損耗，從而在等量原料的情況下提升SiC襯底產(chǎn)量。此外，激光剝離技術(shù)還可應(yīng)用于器件晶圓的減薄過程，實(shí)現(xiàn)被剝離晶片的二次利用。這一研發(fā)項(xiàng)目已通過專家論證，正式立項(xiàng)啟動(dòng)，下一步將依托國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，匯聚科研優(yōu)勢力量，聚焦激光剝離技術(shù)的實(shí)用化與工程化，積極推進(jìn)工藝與設(shè)備的協(xié)同創(chuàng)新，研發(fā)快速生產(chǎn)化、全自動(dòng)化、低能耗化的激光剝離設(shè)備。

 

近期，科學(xué)家獲量子領(lǐng)域研究重大突破：首次實(shí)現(xiàn)按需讀出量子比特，并將量子態(tài)保持超過5秒。量子技術(shù)為許多技術(shù)應(yīng)用帶來了希望，比如建立防御黑客的通信網(wǎng)絡(luò)，又例如能夠加速發(fā)明新藥的量子計(jì)算機(jī)。量子計(jì)算機(jī)運(yùn)行的是能夠存儲(chǔ)量子信息的量子比特。但科學(xué)家仍致力于研究如何輕松讀取量子比特中保存的信息，以及增加量子信息的保存時(shí)間(即量子比特的相干時(shí)間，通常限于微秒或毫秒內(nèi))。

 

美國能源部阿貢國家實(shí)驗(yàn)室和芝加哥大學(xué)研究人員在此類研究中取得兩項(xiàng)重大突破：他們實(shí)現(xiàn)了按需讀出量子比特，將量子態(tài)保持超過5秒，創(chuàng)下了最新世界紀(jì)錄。此外，研究人員的量子比特由廉價(jià)且常用的碳化硅材料制成，這種材料可廣泛應(yīng)用于燈泡、電動(dòng)汽車和高壓電子設(shè)備中。相關(guān)成果近期發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》(Science Advances)上。實(shí)驗(yàn)中使用的芯片由碳化硅材料制成，圖片來自芝加哥大學(xué)研究人員為此培養(yǎng)了高度純化的碳化硅樣品，以減少干擾其量子比特功能的背景噪聲。然后通過對量子比特施加一系列微波脈沖，延長量子比特保存信息的時(shí)間。延長量子比特相干時(shí)間有重要的作用，例如未來量子計(jì)算機(jī)能處理非常復(fù)雜的操作，或者量子傳感器能檢測到極其微小的信號(hào)。“這些脈沖通過快速翻轉(zhuǎn)量子態(tài)，將量子比特與噪聲源和誤差解耦，”論文共同第一作者Chris Anderson說，“每一次脈沖就像是在量子比特上按下了撤銷按鈕，消除了脈沖之間可能發(fā)生的任何錯(cuò)誤。”

 

研究人員表示，目前量子態(tài)保持超過5秒的紀(jì)錄，意味著在量子態(tài)被打亂之前可以執(zhí)行超過1億個(gè)量子操作。在這樣的時(shí)間尺度上保存量子信息非常罕見。項(xiàng)目首席研究員、阿貢國家實(shí)驗(yàn)室高級(jí)科學(xué)家David Awschalom說，5秒鐘的時(shí)間足以將光速信號(hào)發(fā)送到月球并返回。即使在繞地球近40圈后，這種光仍能正確反映量子比特的狀態(tài)，這為制造分布式量子互聯(lián)網(wǎng)鋪平了道路。此次研究將碳化硅帶到了量子通信平臺(tái)的最前沿。由于碳化硅廉價(jià)且常用，很容易用于多種設(shè)備中，因此碳化硅材料有助于擴(kuò)大量子網(wǎng)絡(luò)規(guī)模。

 

 

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究團(tuán)隊(duì)在《ACS Applied Materials & Interfaces》期刊上發(fā)表了題為“Long-Range Orbital Hybridization in Remote Epitaxy: The Nucleation Mechanism of GaN on Different Substrates via Single-Layer Graphene”的文章。文章第一作者為博士研究生屈藝譜，合作者為徐俞副研究員、徐科研究員以及蘇州大學(xué)曹冰教授。

 

該團(tuán)隊(duì)采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)在兩種覆蓋單層石墨烯（SLG）的極性襯底（Al2O3和AlN）上實(shí)現(xiàn)了氮化鎵成核層（GaN NLs）的遠(yuǎn)程外延。研究發(fā)現(xiàn)，襯底極性對石墨烯上GaN的成核密度，表面覆蓋率和擴(kuò)散常數(shù)起著關(guān)鍵作用?？紤]到表面覆蓋和襯底污染引起的成核信息差異，通過縮放的成核密度校正了這種誤差，得到了襯底極性和GaN成核密度的對應(yīng)關(guān)系。結(jié)晶特性分析表明，襯底和外延層的界面外延關(guān)系不受單層石墨烯的影響，與傳統(tǒng)外延的取向關(guān)系一致。

 

為了揭示成核信息差異背后的物理機(jī)理，通過理論計(jì)算作者發(fā)現(xiàn)襯底增強(qiáng)了單層石墨烯上的Ga和N原子的吸附能，且極性較強(qiáng)的AlN相比Al2O3的吸附能更大，AlN和吸附原子Ga之間存在更高的差分電荷密度(CDD)。進(jìn)一步通過分波態(tài)密度(PDOS)分析發(fā)現(xiàn)，盡管吸附原子Ga和襯底相距4-5埃，Al2O3和AlN中Al-3p和Ga-4p軌道在費(fèi)米能級(jí)附近仍存在軌道雜化。作者認(rèn)為在遠(yuǎn)程外延中，單層石墨烯的存在不影響襯底和吸附原子之間的化學(xué)相互作用，這種遠(yuǎn)程軌道雜化效應(yīng)正是在極性襯底上遠(yuǎn)程外延GaN NLs的本質(zhì)。通過導(dǎo)電膠帶可以輕松剝離GaN NLs，而且剝離后的襯底表面沒有機(jī)械損傷，有望發(fā)展一種高質(zhì)量襯底的低成本制備技術(shù)。該研究工作討論了在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理，創(chuàng)新性的提出了遠(yuǎn)程軌道雜化的概念，充分探討了GaN和襯底之間的界面關(guān)系和界面耦合特性，揭示了遠(yuǎn)程外延的物理和化學(xué)機(jī)理，為快速、大面積制備單晶GaN薄膜拓寬了思路。

 

 

近日，鄭州大學(xué)物理學(xué)院材料物理研究所金剛石光電材料與器件團(tuán)隊(duì)在國際知名物理期刊《Physical Review Letters》上報(bào)道了題為“Active Frequency Measurement on Superradiant Strontium Clock Transitions”的理論研究，詮釋了利用鍶87光晶格原子鐘超輻射進(jìn)行主動(dòng)頻率測量的物理機(jī)制，并提出進(jìn)一步提高光鐘頻率測量精度的方法。該院青年教師張?jiān)苯淌跒榈谝蛔髡吆屯ㄓ嵶髡?，丹麥奧胡斯大學(xué)KlausM?lmer教授為共同通訊作者，鄭州大學(xué)為第一單位。

 

相較微波頻段的原子鐘，光頻原子鐘具有更高的精度和準(zhǔn)確度。目前，對光鐘的研究集中在單個(gè)囚禁離子或者中性堿土原子系綜體系。前者可通過長時(shí)間的測量得到非常高的精度，而后者可通過較大的原子數(shù)目提高測量的信噪比。除了量子度量領(lǐng)域外，原子光鐘系統(tǒng)也可用于量子計(jì)算、量子模擬和多體自旋物理的研究。原子鐘可通過被動(dòng)和主動(dòng)兩種機(jī)制進(jìn)行頻率測量。被動(dòng)機(jī)制通常利用激光對原子進(jìn)行激發(fā)然后探測激發(fā)原子的熒光，通過調(diào)節(jié)激光頻率使其與原子能級(jí)躍遷共振來實(shí)現(xiàn)對原子鐘頻率測量。主動(dòng)機(jī)制直接將原子的主動(dòng)輻射信號(hào)與參考激光進(jìn)行對比，進(jìn)而推測出原子鐘的頻率。

 

在微波頻段，氫微波激射器實(shí)現(xiàn)了主動(dòng)的頻率測量。在可見光波段，2018年M. Norcia人等首次利用光晶格原子鐘系統(tǒng)的超輻射脈沖實(shí)現(xiàn)了主動(dòng)頻率測量[Phys.Rev. X 8, 021036 (2018)]（圖a）。為了對這個(gè)實(shí)驗(yàn)涉及的物理有深入的了解并找出優(yōu)化主動(dòng)頻率測量精度的方法，我們將腔量子電動(dòng)力學(xué)理論和量子測量理論結(jié)合提出了對應(yīng)的隨機(jī)量子主方程，首次利用二階平均場方法對該類方程進(jìn)行了求解，并對實(shí)驗(yàn)體系進(jìn)行了模擬和預(yù)測。我們的理論研究揭示了具有多躍遷頻率的原子系綜復(fù)雜的動(dòng)力學(xué)過程，模擬出與實(shí)驗(yàn)相符的超輻射差拍、功率密度譜（圖b）以及頻率測量精度（圖c）。此外，我們預(yù)測通過延長具有類似強(qiáng)度的超輻射脈沖以及減小單次頻率測量所需時(shí)間可進(jìn)一步提高短期的頻率測量精度，使其與當(dāng)前實(shí)驗(yàn)報(bào)道中最好的頻率測量精度相比擬。我們提出的理論不僅可用于研究基于鍶88、鈣等其它堿土原子超輻射的頻率測量，也可用于研究基于穩(wěn)態(tài)超輻射以及超輻射拉曼散射的頻率測量。此外，它也可用于探討復(fù)雜物理體系中的量子測量效應(yīng)，例如測量引起的糾纏和自旋壓縮。

 

 

近日美國商務(wù)部公布了自 2021 年 9 月開啟的《半導(dǎo)體供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)信息請求(RFI)》的調(diào)查統(tǒng)計(jì)結(jié)果。報(bào)告涉及超過 150 家公司，包括全球主要的半導(dǎo)體生產(chǎn)商及汽車制造商。報(bào)告顯示目前半導(dǎo)體供應(yīng)鏈非常脆弱，需求持續(xù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過供應(yīng)。

 

對于當(dāng)下半導(dǎo)體行業(yè)的供需失衡問題，RFI 解釋為多種因素共同作用導(dǎo)致：在 2020 年之前，對于舊品種芯片的生產(chǎn)投入較低；行業(yè)轉(zhuǎn)向更多半導(dǎo)體密集型產(chǎn)品(例如電動(dòng)汽車、5G)增加了對芯片的需求；新冠疫情大流行增加了對各種半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求；工廠火災(zāi)、冬季風(fēng)暴、能源短缺以及新冠停工等事件導(dǎo)致的供應(yīng)鏈斷裂。

 

半導(dǎo)體行業(yè)目前有以下突出問題：2021 年對芯片的需求比2019 年超出 17%，但買家表示并未見供應(yīng)增長；大多數(shù)半導(dǎo)體制造企業(yè)的產(chǎn)能利用率都在非常高的 90%以上；目前芯片庫存中位數(shù)已經(jīng)從 2019 年的 40 天降至不到 5 天，在某些關(guān)鍵行業(yè)更低；成熟制程半導(dǎo)體供應(yīng)更為短缺，包括傳統(tǒng)邏輯芯片(主要用于汽車、醫(yī)療設(shè)備等)、模擬芯片(主要用于電源管理、圖像傳感器和射頻)、光電子芯片(主要用于傳感器及開關(guān))。

 

半導(dǎo)體的戰(zhàn)略地位不斷提高：半導(dǎo)體產(chǎn)能的不足引起了世界范圍內(nèi)對半導(dǎo)體行業(yè)的重視，半導(dǎo)體的戰(zhàn)略地位不斷凸顯。美國眾議院通過法案，計(jì)劃對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供 520 億美元的資金支持；歐盟委員會(huì)通過《芯片法案》，計(jì)劃投入 430 億歐元以提升歐盟在全球的芯片生產(chǎn)份額；中國“十四五”規(guī)劃對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)關(guān)鍵“卡脖子”環(huán)節(jié)將重點(diǎn)支持。

 

投資建議：當(dāng)前半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中以晶圓產(chǎn)能不足問題最為嚴(yán)重，雖然全球主要晶圓代工廠均已實(shí)施擴(kuò)建計(jì)劃，但是產(chǎn)能放量仍需時(shí)間，Trend Force 的預(yù)測顯示 8 寸晶圓的缺貨態(tài)勢將延續(xù)到 2023 年下半年。近期上市公司會(huì)陸續(xù)披露 2021 年度業(yè)績，我們持續(xù)看好晶圓代工行業(yè)的發(fā)展。

 

 

近日，交銀國際發(fā)研報(bào)指，2022年交銀持續(xù)看好功率半導(dǎo)體板塊，原因有三：1）預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度優(yōu)勢顯著；2）從下游來看，功率半導(dǎo)體聚焦汽車和工業(yè)級(jí)應(yīng)用，正處于超級(jí)成長周期；3）基本面支撐估值，板塊PEG性價(jià)比顯著。

 

交銀提出三個(gè)不同于市場的觀點(diǎn)：1）當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心矛盾轉(zhuǎn)變?yōu)閲H關(guān)系和供應(yīng)鏈安全，而非全球產(chǎn)業(yè)周期性回落的風(fēng)險(xiǎn)。功率半導(dǎo)體由于其產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)，正成為國產(chǎn)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)自主的突破口。2）市場普遍理解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是以美國為主導(dǎo)，中國自主成功率不高。交銀認(rèn)為，中國已經(jīng)成為全球新能源車以及可再生能源電力最大市場，具備孵化功率半導(dǎo)體國際龍頭的潛力。3）市場一直認(rèn)為功率半導(dǎo)體龍頭馬太效應(yīng)明顯。交銀認(rèn)為，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)借助與代工廠的快速產(chǎn)能擴(kuò)張，有望加速追趕。

 

 

2月10日，IC Insights 發(fā)布了其對全球半導(dǎo)體行業(yè)的全面預(yù)測和分析。報(bào)告預(yù)測，繼 2021 年強(qiáng)勁增長25%和2020年增長11%之后，今年半導(dǎo)體總銷售額將增長 11%。如果這個(gè)預(yù)測能夠?qū)崿F(xiàn)，這將標(biāo)志著半導(dǎo)體市場自1993年至1995年以來首次連續(xù)三年年兩位數(shù)的增長。IC Insights還預(yù)測2021-2026年光、傳感器、分立器件（OSD 器件）的總復(fù)合年增長率將保持8.0%的健康增長率，IC總銷售額預(yù)計(jì)將以略低的6.9%的速度增長。預(yù)計(jì)主要半導(dǎo)體產(chǎn)品類別的復(fù)合年增長率從傳感器/執(zhí)行器的12.3%到分立器件的3.1%不等。預(yù)計(jì)邏輯 IC 市場的復(fù)合年增長率將在主要IC類別中最為強(qiáng)勁。邏輯 IC 市場近年來表現(xiàn)非常出色，汽車專用邏輯和工業(yè)專用邏輯器件成為該領(lǐng)域整體增長的強(qiáng)勁動(dòng)力。

 

 

阿斯麥?zhǔn)紫瘓?zhí)行官Peter Wennink周三表示，半導(dǎo)體行業(yè)需要大量投資來增加產(chǎn)能，目前還不存在供應(yīng)過剩的危險(xiǎn)。Peter Wennink表示，中國、歐盟、日本、韓國和美國的計(jì)劃預(yù)計(jì)將使芯片行業(yè)的資本支出從2021年的1500億美元增加一倍。

 

業(yè)內(nèi)消息人士透露，隨著需求持續(xù)超過供應(yīng)，Wi-Fi核心芯片的供應(yīng)緊張狀況預(yù)計(jì)在2022年不會(huì)明顯緩解，盡管供應(yīng)商正在尋求代工合作伙伴的更多產(chǎn)能支持，但交付期將持續(xù)維持較長狀態(tài)。聯(lián)發(fā)科指出，Wi-Fi 6/6E核心芯片的需求今年將大幅增長，這得益于此類芯片組在除路由器外的多種智能終端設(shè)備（包括筆記本電腦和客戶辦公設(shè)備）中的快速整合。瑞昱則指出，到2022年底，僅Wi-Fi 6/6E的滲透率就將飆升至50%以上，其核心芯片供應(yīng)將持續(xù)緊張。

 

 

Counterpoint發(fā)布最新報(bào)告指，由于5G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、高性能計(jì)算、汽車芯片和其他領(lǐng)域的需求增加，預(yù)計(jì)到2030年半導(dǎo)體行業(yè)收入將達(dá)到1萬億美元左右。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)縮小，DUV(深紫外)和EUV(極紫外)光刻系統(tǒng)被廣泛用于硅晶圓制作。ASML憑借對先進(jìn)EUV技術(shù)和基于高價(jià)值的服務(wù)模式(包括生產(chǎn)力和性能升級(jí))大量投資，有望超越其長期發(fā)展預(yù)測。

 

 

近日，市場研究公司 Gartner 發(fā)布了2021全球芯片買家TOP10報(bào)告，報(bào)告顯示2021 年 IT 制造商的半導(dǎo)體采購總額為 5834.77 億美元（約 3.71 萬億元人民幣），其中蘋果獨(dú)占鰲頭，三星排第二，第三位的公司是聯(lián)想，Top10榜單中的中國公司還包括步步高、小米、華為和鴻海。

 

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