半導體產業(yè)網根據公開消息整理：ASML、臺積電、三星電子、甬矽電子、致瞻科技、民德電子、露笑科技、國星光電、士蘭微等公司近期最新動態(tài)，以及行業(yè)動態(tài)如下（僅供參考）：

 

2月22日，國新辦就財政改革與發(fā)展工作舉行發(fā)布會。財政部部長劉昆表示，財政部貫徹落實創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，一方面，持續(xù)加大科技投入，2021年，全國科學技術支出9700億元，同比增長7.2%，有力支持集成電路、新能源汽車等產業(yè)發(fā)展和關鍵核心技術攻關。另一方面，創(chuàng)新完善政策機制，改革完善中央財政科研經費管理，出臺新的稅費優(yōu)惠政策，啟動專精特新中小企業(yè)獎補政策，支持實行“揭榜掛帥”機制等，激發(fā)科研人員和企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)造活力。

 

財政部副部長余蔚平介紹，2018-2022年，中央財政安排約90億元，推動中小企業(yè)雙創(chuàng)升級。2021年，啟動支持中小企業(yè)“專精特新”發(fā)展獎補資金，實現(xiàn)了“小巨人”企業(yè)全國覆蓋。目前，已上市的“小巨人”企業(yè)是300余家，近兩年平均營業(yè)收入增速和凈利潤平均增速超過25%，是全部上市公司均值的兩倍左右。

 

日前，天津市發(fā)展改革委關于印發(fā)天津市2022年重點建設、重點儲備項目安排意見的通知。天津市2022年全年安排重點建設項目452個，重點儲備項目224個。據清單統(tǒng)計，天津市2022年全年重點項目中涉及半導體的重點建設項目包括，國家網絡信息安全產品和服務產業(yè)集群承載區(qū)—高新區(qū)電子芯片研發(fā)平臺基礎設施、6英寸功率半導體芯片擴產項目、華慧科銳光電子芯片產業(yè)化項目、中芯國際T2/T3集成電路生產線項目、中環(huán)領先半導體項目、恩智浦測試中心及封裝生產線擴充產能項目、新宙邦半導體化學品及鋰電池材料項目、德豐封測芯片項目。

 

據韓國《電子時報》2月20日報道，市場調查企業(yè)Omdia近期報告顯示，全球半導體市場增長幅度將由去年的21.1%降至今年的4.2%，但汽車半導體市場將出現(xiàn)大幅增長，市場規(guī)模將由去年的500億美元增至2025年的840億美元；IHS Makit預測汽車半導體市場規(guī)模將于2030年擴大至1100億美元；英特爾預測十年后汽車半導體市場規(guī)模將增至1150億美元。

 

日前，美國氮化鎵（GaN）功率半導體廠商Transphorm正式在納斯達克上市交易。資料顯示，Transphorm成立于2007年，部位于美國加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件，其產品已廣泛應用于服務器電源、游戲機、電動汽車等大功率電源上，擁有超過1000項專利組合。

2月21日，韓國科技媒體ETnews報道，ASML將其2025年在韓國的極紫外(EUV)光刻機銷售目標提高到20萬億韓元（約合147.5億歐元）。這個數字是去年的兩倍多。這主要得益于三星電子和SK海力士的投資大幅增加。與2021年相比，ASML預計2025年韓國銷售額的比例將增加一倍以上?？紤]到每年兩位數的增長率，很有可能達到20萬億韓元。截至去年，ASML已售出42臺EUV光刻機設備，其中三星電子和臺積電采購的EUV設備最多。

 

半導體供應鏈消息顯示，臺積電在其3nm工藝良率方面存在困難，如果3nm良率問題繼續(xù)存在，許多客戶可能會延長5nm工藝節(jié)點的使用時間。臺積電的困境可能會影響如AMD和英偉達等大廠的產品路線圖。到目前為止，臺積電尚未公開承認任何關于N3延遲的消息。但臺積電之前表示，N3將提供客戶最成熟的技術、最好的效能及最低的成本，已有許多客戶參與，相較于N5，預期2022年會有更多新的產品設計定案，有信心3nm家族將成為大規(guī)模且長期需求的制程技術。

 

三星電子在 2021年的研發(fā)投入達到了22萬億韓元的歷史新高。該公司2月21日的審計報告中顯示，2021年其研發(fā)總支出為 225,954億韓元，比去年同期的212,209億韓元增長6.5%。三星電子的研發(fā)總支出在過去五年中持續(xù)增加，從2016年的147923億韓元增加到2017年的168032億韓元、2018年的186504億韓元增加到2019年的201929億韓元、2020年的212,209億韓元增加到2021年的225954億韓元。然而，研發(fā)支出與銷售額的比率從2020年的 8.9%小幅下降至 2021年的8.0%。三星電子一直在加強研發(fā)投入，目標是在 2030 年成為全球第一的系統(tǒng)半導體制造商。2021年8月，該公司制定了一項計劃，將171萬億韓元用于系統(tǒng)半導體的研發(fā)投入和生產設施的增加。

 

科創(chuàng)板上市委2022年第11次審議會議結果公告顯示，甬矽電子（寧波）股份有限公司已于2月22日科創(chuàng)板首發(fā)過會。甬矽電子2017年11月設立，公司從成立之初即聚焦集成電路封測業(yè)務中的先進封裝領域，車間潔凈等級、生產設備、產線布局、工藝路線、技術研發(fā)、業(yè)務團隊、客戶導入均以先進封裝業(yè)務為導向，報告期內，公司全部產品均為中高端先進封裝形式，封裝產品主要包括“高密度細間距凸點倒裝產品（FC類產品）、系統(tǒng)級封裝產品（SiP）、扁平無引腳封裝產品（QFN/DFN）、微機電系統(tǒng)傳感器（MEMS）”4大類別，下轄9種主要封裝形式，共計超過1900個量產品種。甬矽電子表示，本次募集資金擬投資于“高密度SiP射頻模塊封測項目”和“集成電路先進封裝晶圓凸點產業(yè)化項目”，兩個募投項目均圍繞公司主營業(yè)務進行，是公司現(xiàn)有業(yè)務的延展和升級。

 

致瞻科技（上海）有限公司將在浙江嘉善投資10億建設碳化硅項目，用于開發(fā)新能源車用碳化硅半導體電控器件。該項目總投資10億元，其中，一期力爭今年3月進場施工，10月實現(xiàn)試生產；一、二期全部達產后預計可實現(xiàn)年產值50億元。致瞻科技成立于2019年，是聚焦中高端碳化硅驅動及應用的高科技公司。

 

2月20日晚間，民德電子發(fā)布公告稱，公司擬使用現(xiàn)金1.5億元增資浙江廣芯微電子有限公司，增資完成后民德電子將持有浙江廣芯微電子48.84%股權。民德電子稱，本次增資旨在進一步深化公司半導體產業(yè)鏈戰(zhàn)略布局。本次增資完成后，民德電子與浙江廣芯微電子戰(zhàn)略合作關系進一步深化，加速浙江廣芯微電子項目建設早日投產。2018年起通過不斷收購拓寬半導體產業(yè)鏈。目前，公司通過投資已構建覆蓋功率半導體設計、硅片材料、晶圓代工鏈條的Smart IDM生態(tài)圈，完成自主可控供應鏈的布局建設，2021年前三季度，公司半導體設計及分銷業(yè)務的收入占比超過60%。

 

露笑科技2月21日表示，目前公司碳化硅長晶爐已有112臺安裝完畢，碳化硅襯底片已形成銷售。到2022年6月底，公司將有224臺長晶爐投入生產中。露笑科技表示，公司本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過 294,000 萬元，用于“第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目”、“大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目”和“補充流動資金”項目，有利于豐富公司產品線，提升公司核心競爭力，拓展新的利潤增長點，以及優(yōu)化資產負債結構，提升公司財務運營質量。

 

2月21日，國星光電在投資者互動平臺上表示，目前公司主要生產研發(fā)器件，目前氮化鎵和碳化硅器件已進入產業(yè)化階段，陸續(xù)有在出貨中。國星光電表示，公司Mini LED 產品可應用于相關領域。氮化鎵和碳化硅領域公司主要生產研發(fā)器件，目前氮化鎵和碳化硅器件已進入產業(yè)化階段，陸續(xù)有在出貨中。其中碳化硅主要面向的是充電樁、光伏逆變、UPS電源等領域客戶。氮化鎵主要面對的是PD快充相關領域的客戶。此外，子公司國星半導體在硅基氮化鎵襯底技術方面具有一定研發(fā)儲備。

 

2月22日，士蘭微發(fā)布關于與大基金二期共同向士蘭集科增資并簽署協(xié)議暨關聯(lián)交易的公告。士蘭微參股公司廈門士蘭集科微電子有限公司擬新增注冊資本827,463,681元。公司擬與國家集成電路產業(yè)投資基金二期股份有限公司以貨幣方式共同出資885,000,000元認繳士蘭集科本次新增的全部注冊資本，其中：本公司出資285,000,000元認繳新增注冊資本266,471,355元；大基金二期出資600,000,000元認繳新增注冊資本560,992,326元。

 

本次增資的主要目的是為了進一步增加士蘭集科的資本充足率，加快推動12吋線的建設和運營，有利于士蘭集科產能提升。12吋線的建設具有資本投入大、資產屬性重、技術壁壘高、建設達產周期長的特點。為持續(xù)保證競爭力，士蘭集科需要在產品研發(fā)、制造工藝研發(fā)、設備更新維護、人才梯隊培養(yǎng)等各個環(huán)節(jié)上持續(xù)進行資金的投入。