日前，氮化鎵（GaN）外延材料供應商蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱“晶湛半導體”）宣布，公司于近日完成B+輪數億元戰(zhàn)略融資。

 

本輪融資由歌爾微電子領投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。

圖片來源：晶湛半導體官微截圖

 

晶湛半導體透露，本次B+輪戰(zhàn)略融資將主要用于公司總部和研發(fā)中心建設，項目達產后晶湛半導體將建成國際一流、國內首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產基地，推動公司進入新的發(fā)展階段。

 

 

公開資料顯示，晶湛半導體成立于2012年，是一家從事光電材料和氮化鎵電子材料研發(fā)生產的企業(yè)，公司的150mmGaN-on-Si外延片能夠達到1萬片/月。

 

作為氮化鎵（GaN）外延材料的供應商，晶湛半導體多年來布局半導體領域，手持“投入”與“創(chuàng)新”這兩把利劍，力求突破核心技術領域。

 

2013年8月，晶湛半導體開始在蘇州納米城建設GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2萬片。

 

2014年底，晶湛半導體率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料填補了國內氮化鎵產業(yè)的空白。

 

2021年9月，晶湛半導體全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內廣泛關注。

 

據透露，截至目前，該公司在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術,擁有完全獨立的自主知識產權，公司已在國內外累計申請近400項專利，其中已獲得超100項專利授權。

 

經過多年的發(fā)展，晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發(fā)和產業(yè)化的領軍企業(yè)。此外，晶湛半導體于去年11月透露，公司已經為全球150多家半導體企業(yè)和研究院供應半導體原材料。

 

 

據了解，近年來，在國家“十四五”規(guī)劃、“碳達峰碳中和”等重磅利好政策的指導下，在移動手機快充、新能源汽車、下一代移動通信、“元宇宙”和新型顯示等市場創(chuàng)新應用的持續(xù)推動下，氮化鎵迎來了高速發(fā)展期。

 

氮化鎵企業(yè)抓住機遇迅猛發(fā)展，同時也得到了資本的大力加持。除了上述的晶湛半導體，還有多家氮化鎵企業(yè)獲得資本投資。


圖片來源：全球半導體觀察根據公開信息整理

 

 

2021年8月，珠海鎵未來科技（以下簡稱“鎵未來”）宣布獲得數千萬A輪融資。本輪投資由珠?？苿?chuàng)投領投，大橫琴創(chuàng)新發(fā)展有限公司、禮達基金跟投。境成資本作為天使輪領投方，本輪繼續(xù)追加投資。

 

鎵未來董事長叢遠華表示，未來，鎵未來將通過核心技術自研+全產業(yè)鏈的布局，推動高端氮化鎵功率器件大規(guī)模產業(yè)化應用。

 

 

2021年8月，南芯半導體宣布完成近3億元D輪融資。本輪融資由光速中國與vivo聯(lián)合領投，龍旗、元禾璞華、臨芯資本、張江浩珩等新股東跟投，老股東紅杉中國、國科嘉和進一步加持。

 

南芯半導體創(chuàng)始人兼CEO阮晨杰表示，本輪融資將用于引進人才，豐富產品線，加快產品研發(fā)周期等。

 

 

2021年8月，VisIC Technologies公司完成一輪3500萬美元的融資，以支持越來越多汽車客戶的強勁需求。

 

該輪融資由金沙江資本和宏光半導體通過Fast Semi Corporation領投。晶方半導體作為共同投資者加入本輪融資，投資1000萬美元。

 

VisIC Technologies是用于電動交通應用的氮化鎵（GaN）功率器件的全球領導者，專注于高功率汽車解決方案。

 

 

據36報道，2021年8月，功率氮化鎵晶體管及其柵極驅動研發(fā)公司成都氮矽科技有限公司（以下簡稱“氮矽科技”）完成千萬級Pre-A輪融資，本輪融資由老股東鼎青投資追投。本輪資金將主要用于產品研發(fā)以及產品銷售等方面。

 

氮矽科技成立于2019年，公司主要研發(fā)基于第三代半導體材料氮化鎵（GaN）的芯片，專注于氮化鎵功率器件及其驅動芯片的設計研發(fā)、銷售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化鎵產品已批量出貨，主要運用于快消品市場。

 

 

2021年11月，GaN Systems獲得1.5億美元戰(zhàn)略融資，以加速GaN技術在其汽車、消費、工業(yè)和企業(yè)市場的創(chuàng)新和采用。富達領投，投資方還有Vitesco Technologies，寶馬iVentures等。

 

 

據外媒報道，2021年12月，氮化鎵芯片企業(yè)Transphorm獲得1290萬美元（約8208萬元人民幣）的股權融資。完成新一輪融資后，Transphorm表示，公司將繼續(xù)推進此前宣布的在納斯達克上市計劃。

 

Transphorm是一家設計、生產氮化鎵功率轉換器和模塊的企業(yè)，公司產品應用于電源、功率適配器、馬達驅動器、太陽能轉換器以及電動車輛等領域。

 

 

根據勢能資本消息，2021年12月，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“能華微電子”）宣布完成數億元C輪融資。

 

能華微電子本次融資由中信證券投資、勢能資本等跟投，老股東上海善金、中信建投跟投，勢能資本擔任獨家財務顧問。本輪融資將用于建設能華微電子在長三角地區(qū)的第二家FAB（制造車間）。

 

據介紹，能華微電子成立于2010年6月，是目前國內唯一一家能夠自主研發(fā)氮化鎵外延片、功率器件和射頻器件的半導體企業(yè)。公司產品包括硅基氮化鎵外延片（EPI）、碳化硅氮化鎵外延片（EPI）、氮化鎵功率場效應管（HEMT）、氮化鎵射頻場效應管、GaN快充電源模塊設計等，貫穿半導體制造全流程。

 

 

2022年2月，英國多孔氮化鎵（GaN）半導體材料開發(fā)商和Micro LED技術提供商Porotech宣布完成2000萬美元A輪融資。本輪融資由阿米巴資本領投，三星風投，弘暉基金，及個人投資人跟投，老股東Speed invest持續(xù)加注跟投。

 

公開資料顯示，Porotech是劍橋大學孵化的公司，致力于寬帶隙化合物GaN半導體的開發(fā)，通過應用材料技術和解決方案，釋放GaN的全部應用潛力。

 

 

鈦信資本消息指出，2022年2月，英諾賽科（蘇州）科技有限公司（簡稱“英諾賽科”）完成近30億元D輪融資。本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創(chuàng)新等機構跟投。

 

官網顯示，英諾賽科成立于2015年12月，是一家采用IDM模式、致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產業(yè)化的高新技術企業(yè)。該公司通過自主研發(fā)首次實現8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產。

 

此外，根據Trendforce集邦咨詢2021年數據，英諾賽科氮化鎵功率產品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三，排名僅次于納微、PI

 

 

5G、大數據和物聯(lián)網等新興技術的發(fā)展，使得芯片需求不斷攀升，同時催動半導體材料的技術升級、第一代、第二代、第三代半導體材料逐漸進入行業(yè)視野，其中，半導體材料氮化鎵（GaN）成為市場的熱捧對象。