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華為公開芯片堆疊封裝相關(guān)專利

日期:2022-04-06 來源:全球半導(dǎo)體觀察閱讀:277
核心提示:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息,4月5日華為技術(shù)有限公司公開了一項(xiàng)芯片相關(guān)專利。該項(xiàng)名為"一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備"的專利,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,其能夠在保證供電需求的同時(shí),解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題。
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息,4月5日華為技術(shù)有限公司公開了一項(xiàng)芯片相關(guān)專利。該項(xiàng)名為"一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備"的專利,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,其能夠在保證供電需求的同時(shí),解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題。
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圖片來源:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局
 
專利文件圖顯示,該芯片堆疊封裝 (01) 包括:
 
設(shè)置于第一走線結(jié)構(gòu) (10) 和第二走線結(jié)構(gòu) (20) 之間的第一芯片 (101) 和第二芯片 (102);
 
所述第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 面向所述第二芯片 (102) 的有源面 (S2);
 
第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 包括第一交疊區(qū)域 (A1) 和第一非交疊區(qū)域 (C1),第二芯片 (102) 的有源面 (S2) 包括第二交疊區(qū)域 (A2) 和第二非交疊區(qū)域 (C2);
 
第一交疊區(qū)域 (A1) 與第二交疊區(qū)域 (A2) 交疊,第一交疊區(qū)域 (A1) 和第二交疊區(qū)域 (A2) 連接;
 
第一非交疊區(qū)域 (C1) 與第二走線結(jié)構(gòu) (20) 連接;
 
第二非交疊區(qū)域 (C2) 與第一走線結(jié)構(gòu) (10) 連接。
 
在今年3月28日召開的華為2021年年度報(bào)告發(fā)布會(huì)上,華為首次公開確認(rèn)芯片堆疊技術(shù)。當(dāng)時(shí),華為輪值董事長(zhǎng)郭平回答了關(guān)于芯片問題,他表示,“解決芯片問題是一個(gè)復(fù)雜的漫長(zhǎng)過程,需要有耐心,未來我們的芯片方案可能采用多核結(jié)構(gòu),以提升芯片性能。”他強(qiáng)調(diào),華為會(huì)采取系統(tǒng)性的突破,來化解關(guān)鍵零部件難以獲取的困境。所謂系統(tǒng)性突破,即“華為計(jì)劃用面積、堆疊換性能,使工藝不那么先進(jìn)的產(chǎn)品也能具有競(jìng)爭(zhēng)力”。 
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