5G催生了萬物互聯(lián)，新的應用蘊藏商機無限，給第三代半導體也帶來重要機遇。

 

4月29日，TrendForce集邦咨詢召開第三代半導體線上交流會，英諾賽科、泰科天潤、邑文科技等領先企業(yè)透露了各自的產(chǎn)業(yè)化最新進展。

 

與會人士認為，第三代半導體備受資本市場青睞，行業(yè)已進入快速增長期，預計中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)未來五年內有望崛起。

 

 

4月27日晚間，上交所官網(wǎng)顯示，南京晶升裝備股份有限公司（以下簡稱“晶升裝備”）科創(chuàng)板IPO已獲得受理。

 

據(jù)悉，晶升裝備是一家半導體專用設備供應商，主要提供半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍寶石單晶爐等定制化的晶體生長設備。其中，碳化硅單晶爐主要應用于碳化硅單晶襯底制造，藍寶石單晶爐主要應用于LED襯底及消費電子領域材料制造。2021年，碳化硅單晶爐占其收入比例的63.81%。最近三年，晶升裝備陸續(xù)開發(fā)了三安光電、東尼電子、浙江晶越等客戶。

 

2021年9月，公司IPO申報前的最后一輪融資，產(chǎn)業(yè)龍頭滬硅產(chǎn)業(yè)、中微公司、立昂微等火線趕上最后一趟車。

 

全球科技研究機構集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕透露，目前第三代半導體備受資本市場青睞，近兩年有非常多的廠商獲得融資，海外像Wolfspeed、Navitas、Transphorm均已上市，國內如山東天岳今年成功登陸科創(chuàng)板，天科合達等也準備IPO，泰科天潤、英諾賽科等一級市場融資也相當順利，同光晶體融資也獲得長城汽車、匯川技術的支持。

 

第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。第一代、第二代半導體技術在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升已經(jīng)逼近材料的物理極限，迫切需要發(fā)展第三代半導體技術。從性能上，碳化硅更適合一些高功率的場景，像特高壓、軌道交通、光伏、新能源汽車等。氮化鎵則更適合一些高頻率的場景，如通信基站、數(shù)據(jù)中心。

 

集邦咨詢分析師龔瑞驕表示，中國這幾年在極力推動新基建，包括5G基站、軌道交通、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心以及可再生能源等，這些將極大拉動第三代半導體需求。全球碳化硅、氮化鎵功率半導體市場預計2022年將達到18.4億美元，2025年會進一步增長到52.9億美元，成長非常迅猛。

 

 

2021年，“缺芯”是整個中國汽車行業(yè)的關鍵詞。中國企業(yè)正在全力推進第三代半導體產(chǎn)業(yè)化。

 

集邦咨詢研究顯示，從2022年應用市場看，碳化硅材料67%用于汽車，26%用于工業(yè)，其余用于消費和其他領域。氮化鎵材料70%用于快充等消費電子領域，23%用于工業(yè)，4%用于汽車。

 

泰科天潤是國內第一個獲得國際權威機構DNV和USCG認證的碳化硅電子電力企業(yè)。泰科天潤湖南6英寸碳化硅擴建項目已經(jīng)于去年7月進入試生產(chǎn)階段，投片40工程批次以上，綜合良率90%以上。公司相關人士告訴上證報記者稱，公司湖南生產(chǎn)線滿產(chǎn)是6萬片/年，去年已經(jīng)實現(xiàn)批量出貨，今年4月訂單已經(jīng)破億元。

 

英諾賽科建設了全球首家8英寸硅基氮化鎵IDM量產(chǎn)線，目前已經(jīng)大規(guī)模出貨。公司計劃投資60億元擴建的蘇州8英寸氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地全線投產(chǎn)后將形成年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的產(chǎn)能。

 

英諾賽科與浪潮、小米、OPPO、比亞迪、禾賽科技、安森美、MPS等國內外廠商開展深入合作，進行功率器件和射頻器件的應用開發(fā)。

 

三安光電旗下湖南三安半導體有限責任公司主要從事碳化硅、硅基氮化鎵等研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。項目達產(chǎn)后，將形成約36萬片/年產(chǎn)能。該項目一期正處于建設期，已建產(chǎn)能爭取2022年7月前全面達產(chǎn)，預計初步釋放碳化硅產(chǎn)能3000片/月、硅基氮化鎵產(chǎn)能1000片/月。