半導體產業(yè)網消息：隨著世界能源的消耗增長，對電力電子器件的需求越來越大，從便攜式設備、電動汽車等消費者領域到工業(yè)自動化、可再生能源等工業(yè)領域，一切設備都需要更高效率、更可靠的功率半導體器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、金氧半場效晶體管（MOSFET）和高電子遷移率晶體管（HEMT）等。
顯示技術也日新月異，已經成為我們日常生活不可或缺的組成部分。從各種消費者器件到大型燈箱廣告，以及流行的車載顯示和虛擬現(xiàn)實等高新顯示技術，都推動了顯示器件從傳統(tǒng)的液晶顯示（LCD）過渡到有機發(fā)光二極管（OLED）以及微發(fā)光二極管（micro-LED）等新技術。
與此同時，隨著先進的半導體設備的制程向更小、更復雜的方向發(fā)展，標準化分析與表征已經不足以支持半導體的研發(fā)與制造。與此同時，隨著半導體器件結構變得越來越復雜，精確定位器件中的缺陷變得越來越困難，需要更多元的加工技術以及更高效的加工手段，并且結合高分辨的成像和微量分析技術來進行全面分析。
功率半導體器件的電性失效、功率半導體器件的物性失效分析等方面，先進電鏡的使用會為提高功率器件質量提供快速和準確的方法，配合可靠的工作流程，除了可以幫助廠商提高效率，同時也可以一定程度節(jié)省成本，可以說電鏡是半導體制程中不可忽略的高質量幕后“推手”。
為了更好的助力半導體企業(yè)在后摩爾時代的“芯“航程，快速提高良率，有效解決失效分析的難點痛點。5月6日，半導體產業(yè)網、極智課堂特別邀請賽默飛世爾科技PFA商務拓展經理蔡琳玲做客直播間，帶來了一場主題為《高效率雙束電鏡在半導體量產工業(yè)領域的應用》的線上面對面探討交流。
雙束電鏡是半導體工業(yè)領域過程控制以及失效分析的重要手段，它可以實現(xiàn)定點位置的快速加工和高分辨SEM成像，日常良率檢測過程中，雙束電鏡的分析會遇到越來越多的挑戰(zhàn)，在檢測分析過程中，可能會遇到一些挑戰(zhàn)，比如當產能加大，樣品測試的需求量會越來越多，技術在摸索過程中，也會遇到樣品種類多，數(shù)量多，要求更加快速和高效的完成分析。
工業(yè)技術推進，比如封裝往集成式和堆疊式的方向發(fā)展，雙束電鏡需要加工的范圍更加深更加大，而且某些工業(yè)領域會引入新的材料、新的工藝，也會對離子束的加工或者電子束的成像很敏感，對分析檢測設備，對雙束電鏡提出更高的要求。
在良率提升過程中，失效缺陷的分析往往是未知缺陷，這時需要更全面的分析流程幫助找到根本的問題就要求雙束電鏡能更快，以及加工更大的范圍，配合高精度失效定位工具?？傮w而言，對雙束電鏡的要求向著更加快速的分析，更加深范圍的加工，以及更全面的解析流程，更加全面的表征等方向發(fā)展。
Xe+離子FIB (PFIB) 技術有別于傳統(tǒng)的Ga+離子，具有更高更密集的束流，可同時實現(xiàn)高通量的切割和高質量的表征，將數(shù)據(jù)處理時間從原先的數(shù)天或數(shù)周縮短到以分鐘和小時計算，同時對于第三代半導體，Xe+離子加工技術還可有效避免Ga+污染。
報告從FIB-SEM雙束電鏡的基本原理和前沿技術出發(fā)，結合具體的應用展示，詳細重點介紹了Helios 5 PFIB在芯片封裝、顯示面板、第三代半導體等領域的應用狀況與優(yōu)勢，以及Helios 5 PFIB完整能解決方案等內容，涉及電性失效分析樣品制備和大面積材料移除的最高生產率解決方案，邏輯器件去層處理，3D NAND存儲器件去層能力，先進封裝的截面加工，先進封裝的三維表征，面板行業(yè)的缺陷分析，功率器件的失效分析等，并回答了系列技術性問題。
關于賽默飛世爾科技
賽默飛世爾科技在全球商業(yè)擁有巨大的影響力，其進入中國發(fā)展已近40年，其在中國的總部設于上海，并在北京、廣州、香港、成都、沈陽、西安、南京、武漢、濟南等地設有分公司，產品主要包括分析儀器、實驗室設備、試劑、耗材和軟件等，提供實驗室綜合解決方案，為各行各業(yè)的客戶服務。
對于半導體制造商和電子行業(yè)，其將電氣分析解決方案與 SEM、TEM、S/TEM、DualBeam FIB/SEM 以及高級軟件套件結合起來， 以最高的成功率和生產率提供根本原因分析。其業(yè)界領先的工作流程可以為加速IC設計和生產決策提供快速、準確的解決方案。故障隔離和分析產品提供一流的圖像、豐富的功能集、橫斷面計量和自動化，以加快工藝缺陷識別、減少產量損失和縮短新產品上市時間。
賽默飛世爾科技為電子顯微鏡和微觀分析提供創(chuàng)新的解決方案，通過將高分辨率成像與各種規(guī)模和模式的物理、元素、化學和電氣分析相結合，通過最廣泛的樣本類型，讓客戶完成從問題到獲得可用數(shù)據(jù)的過程。
