功率半導體在2022年依舊供不應求，行業(yè)景氣依舊。但與此前全類器件供應緊張情況不同的是，經過了近兩年的產能擴張，低端市場已逐步飽和。
今年受到結構性驅動因素影響，汽車、工業(yè)、可再生能源和智能設備需求非常強勁，功率器件方面，IGBT以及第三代半導體（如SiC、GaN）成為企業(yè)集中發(fā)力方向。
此前媒體公開消息顯示，安森美和英飛凌均傳出功率半導體訂單滿載的消息，消息顯示訂單滿載情況主要指IGBT方面。應對市場旺盛需求，近日，日本瑞薩、富士電機、東芝等公司傳來功率半導體的好消息。面對市場需求轉變，我國廠商也迎來新一輪發(fā)展契機。
瑞薩900億日元重啟甲府工廠
日本瑞薩5月17日宣布，將對其位于甲府的甲府工廠進行價值900億日元的投資。他們指出，雖然工廠于2014年10月關閉，但瑞薩電子計劃在2024年重新開放該工廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半導體晶圓廠。
△Source：瑞薩電子公告截圖
瑞薩表示，隨著碳中和勢頭的增長，預計全球對供應和管理電力的高效功率半導體的需求將在全球范圍內急劇增加。瑞薩特別預計電動汽車(EV)的需求將快速增長，因此計劃提高其IGBT等功率半導體的產能，為脫碳做出貢獻。一旦甲府工廠實現量產，瑞薩功率半導體的總產能將翻一番。
據悉，瑞薩電子的全資子公司瑞薩半導體制造有限公司的甲府工廠此前經營150mm和200mm晶圓制造線。為了提高產能，瑞薩決定利用工廠的剩余建筑，將其恢復為專用于功率半導體的300毫米晶圓廠。
考慮到日本經濟產業(yè)省的半導體戰(zhàn)略，瑞薩電子計劃在2022年內進行投資，同時與該部密切協調。瑞薩同時指出，雖然本次投資不會對瑞薩電子2022年的業(yè)績產生重大影響。
富士電機、東芝、三菱電機早有布局
富士電機2021年財報顯示，2021年該公司功率半導體營收為11.73億美元，同比增長23.7%。據中國臺灣媒體報道，富士電機在2021年8月宣布追加投資400億日元（3.65億美元）擴充功率半導體產能，其中，大約250億日元會投入公司在馬來西亞的晶圓廠，開始生產8英寸硅晶圓。馬來西亞廠預定2023會計年度開始生產功率半導體。
值得注意的是，富士電機還曾表示，在電動汽車和可再生能源需求增加的背景下，決定將功率半導體的資本支出（包括對SiC功率半導體的投資）增加到1900億日元。
而東芝方面，該公司2021年的功率半導體營收為9.96億美元，同比增長13.4%。今年2月4日，東芝宣布，將在日本石川縣的主要分立器件生產基地——加賀東芝電子公司打造一座新的12吋晶圓制造設施，以將其目前的功率半導體產能提高到2021年的2.5倍。
三菱電機功率半導體布局較早。據悉，三菱電機已經在意大利米蘭附近建成了一座專用于功率和模擬半導體的300毫米晶圓工廠，預計將于2022年下半年投產。官方財報數據顯示，2021年的功率半導體銷售額同比增長18%，達到了14.76億美元。
我國廠商迎來新一輪發(fā)展契機
此前我國的功率半導體廠商以分立器件為主，在二極管、整流管等基本電子元器件上布局較為久遠。受到市場強勁需求驅動以及企業(yè)自強因素，我國廠商發(fā)展勢頭強勁，產品形態(tài)從二極管、晶閘管、低壓MOSFET等中低端器件向更有價值的IGBT、中高壓MOSFET、第三代半導體等高端器件布局。
聞泰科技旗下的安世半導體功率半導體產品布局完善。公開資料顯示，聞泰科技主力產品線覆蓋了晶體管、Mosfet功率管、模擬與邏輯IC三大領域。
目前，聞泰科技進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品布局，同時收購英國Newport晶圓廠100%股權，獲得了4000片/月的IGBT產能，目前公司漢堡工廠已經開始搬入碳化硅設備，預計SiC MOSFET新品在2022年量產。
1MOSFET領域
MOSFET領域，新潔能、華潤微在溝槽MOS，屏蔽柵SGT-MOS和超結SJ-MOS等高附加值的產品具備技術領先優(yōu)勢；此外，東微半導正積極開發(fā)新一代中低壓屏蔽柵MOSFET功率器件，瞄準數據中心服務器、通信電源、車載應用等新領域發(fā)力。
2IGBT領域
在IGBT領域，比亞迪半導體、時代電氣、士蘭微、斯達半導占據明顯優(yōu)勢。
例如，比亞迪半導體是供應新能源車規(guī)IGBT的主要廠商之一。在2021年，比亞迪半導體收購了濟南富能8寸產線，新增年產能可配套新能源汽車需求約90萬輛，合計配套130萬輛。2021年最后一個月，比亞迪高密度TrenchFS的IGBT 5.0技術實現量產。
時代電氣是我國軌交、電網高壓IGBT的龍頭廠商，2021年底該公司月產能2萬片的8寸線已經投產，滿產能夠供應200萬輛新能源汽車所需的IGBT模塊。
士蘭微方面，其在家電領域應用為主的IPM模塊市場占據明顯優(yōu)勢，目前該公司已從家電切入車載IGBT領域。據悉，士蘭微旗下士蘭集科2021年基本完成了十二寸寸IGBT產線一期建設目標，到12月份月產量已超過3.6萬片，在一期產能快速爬坡的同時，該公司為搶抓市場機遇，已著手實施二期建設項目。
斯達半導在IGBT模組領域已積累多年，目前已經切入IGBT芯片的設計，車規(guī)級IGBT模塊已經大批量出貨。去年3月斯達半導發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預案，募資20億元用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目，7億元用于功率半導體模塊生產線自動化改造項目。
此外，也有一些在半導體業(yè)務積累已久的公司新擴展了功率器件業(yè)務線，如上海貝嶺選擇切入工業(yè)控制用功率器件，其2021年財報顯示，該公司已具備獨立的MOSFET和IGBT芯片設計能力，已掌握屏蔽柵功率MOSFET、超級結功率MOSFET、IGBT等器件技術，報告期內已經陸續(xù)進入功率電源、電機控制和鋰電保護等市場。
