半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：據(jù)鉅亨網(wǎng)消息，隨著電動車市場持續(xù)成長，帶動第三代半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) 等高階功率半導(dǎo)體需求，但目前產(chǎn)業(yè)供給仍在爬坡階段，業(yè)者預(yù)期，在 IDM 廠陸續(xù)將 6 吋硅晶圓相關(guān)產(chǎn)線轉(zhuǎn)至 SiC 下，加上許多大廠擴產(chǎn)陸續(xù)到位，明年中旬 SiC 供應(yīng)可望顯著增加。
據(jù)資策會 MIC 預(yù)估，今年全球電動車規(guī)?？傻?922.1 萬輛，年增逾 48%，但關(guān)鍵第三代半導(dǎo)體碳化硅與氮化鎵 (GaN) 供應(yīng)持續(xù)吃緊，交期42 周以上。隨著電動車帶動 SiC 功率半導(dǎo)體元件與模塊需求，預(yù)估 2025 年，全球 20% 電動車將導(dǎo)入 SiC 功率元件與模塊。
碳化硅產(chǎn)業(yè)目前由 IDM 廠獨霸一方，其中美國的 Wolfspeed 居領(lǐng)導(dǎo)地位，在 SiC 基板、磊晶等材料及晶圓制造領(lǐng)域，市占率均超過 6 成，日本有羅姆半導(dǎo)體、歐洲則有意法半導(dǎo)體與英飛凌；且從上游材料長晶到加工制程等設(shè)備，IDM 廠均是自行開發(fā)，跨足設(shè)備制造、基板及磊晶、設(shè)計與晶圓制造等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
由于碳化硅基板不僅占功率元件成本比重高，且為關(guān)乎產(chǎn)品質(zhì)量的最大關(guān)鍵，以 SiC MOSFET 元件來說，光是 SiC 晶圓本身，就已決定 60% 的 SiC MOSFET 元件成敗，長晶也因此成為攸關(guān)廠商產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵制程環(huán)節(jié)。
為加速推進碳化硅業(yè)務(wù)發(fā)展，環(huán)球晶 (6488-TW) 也宣布將自行研發(fā)碳化硅長晶爐，研發(fā) 6 吋及 8 吋共享長晶爐，目前已有原型機臺，預(yù)估仍須 2 年時間開發(fā)，屆時可望加速推進碳化硅晶圓生產(chǎn)動能。
由于近來 6 吋以下晶圓需求較弱，許多 IDM 廠相繼將硅基半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)能，轉(zhuǎn)至 6 吋碳化硅，加上 Wolfspeed、羅姆半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體等大廠積極擴產(chǎn)，隨著相關(guān)產(chǎn)能陸續(xù)到位，明年中旬后，碳化硅市場供給可望增加許多。（來源：鉅亨網(wǎng)）
