2022年8月26日，第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在青島成功召開，本次研討會的主題是：需求與創(chuàng)新路徑。研討會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所承辦。中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司、無錫邑文電子科技有限公司、山東力冠微電子裝備有限公司、香港應(yīng)用科技研究院、江蘇星特亮科技有限公司、上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司協(xié)辦。
會議照片
中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司副總裁、MOCVD事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，廈門市三安集成電路有限公司副總經(jīng)理孫希國，河北同光晶體有限公司副總經(jīng)理王巍，中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司副總經(jīng)理趙崇凌，山東力冠微電子裝備有限公司技術(shù)副總姜良斌，季華實(shí)驗(yàn)室高級工程師何嵩，Boschma中國區(qū)總監(jiān)、高級工程師田天成，北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司技術(shù)總監(jiān)梁浩，中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮，無錫邑文電子科技有限公司副總經(jīng)理葉國光，安徽長光先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜等來自產(chǎn)業(yè)鏈上下游的130多位專家學(xué)者及技術(shù)人員參會。中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司副總裁、MOCVD事業(yè)部總經(jīng)理郭世平、中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮共同主持研討會。
吳 玲 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲發(fā)來視頻致辭。吳玲理事長指出，當(dāng)前正值新的地緣政治環(huán)境下全球半導(dǎo)體競爭力重塑的關(guān)鍵歷史時(shí)期。第三代半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、“東數(shù)西算”戰(zhàn)略和保障國家產(chǎn)業(yè)安全的重要支撐。
吳玲理事長表示，國家“十三五”、“十四五”科技計(jì)劃持續(xù)支持第三代半導(dǎo)體，目前核心材料和器件已經(jīng)解決有無問題，隨著一系列開放共享的國家級研發(fā)平臺陸續(xù)建立，我們對第三代半導(dǎo)體成為關(guān)鍵歷史時(shí)期的重要抓手和突破口充滿信心。但是，我們也要清醒認(rèn)識到，裝備的國產(chǎn)化率仍然很低，設(shè)備性能有待提升，原材料和零部件配套缺乏自主保障，產(chǎn)業(yè)化水平亟待提高，產(chǎn)業(yè)鏈安全存在風(fēng)險(xiǎn)。未來五年市場快速啟動環(huán)境下，仍然面臨挑戰(zhàn)。
因此，我們?nèi)匀灰獔?jiān)定地以應(yīng)用促發(fā)展，開展產(chǎn)學(xué)研深度合作，推動“百城億芯”示范工程，第三代半導(dǎo)體的裝備尤其需要上下游緊密合作，通過應(yīng)用集成創(chuàng)新，培育龍頭企業(yè)，創(chuàng)造出大中小企業(yè)融通發(fā)展，創(chuàng)新體系和生態(tài)完善的良好局面，為第三代半導(dǎo)體健康、穩(wěn)定、可持續(xù)地發(fā)展，形成國際上有影響力的產(chǎn)業(yè)高地而不斷努力。
在報(bào)告環(huán)節(jié)，廈門市三安集成電路有限公司副總經(jīng)理孫希國分享了《第三代半導(dǎo)體進(jìn)展與應(yīng)用》的報(bào)告。
河北同光晶體有限公司副總經(jīng)理王巍帶來了《新能源汽車應(yīng)用助力碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展——碳化硅材料市場發(fā)展現(xiàn)狀及展望》的報(bào)告。
季華實(shí)驗(yàn)室高級工程師何嵩分享了《SiC高溫外延生長爐 EPI150》的報(bào)告。
中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司副總經(jīng)理趙崇凌分享了《國產(chǎn)分子束外延設(shè)備的新進(jìn)展》的報(bào)告。
北方華創(chuàng)微電子SiC外延技術(shù)經(jīng)理劉廣政帶來了《碳化硅外延設(shè)備技術(shù)》的報(bào)告。
中微半導(dǎo)體公司副總裁、MOCVD事業(yè)部總經(jīng)理郭世平分享了《氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展》的報(bào)告。
國宏中宇科技發(fā)展有限公司總經(jīng)理趙然分享了視頻報(bào)告《碳化硅襯底生產(chǎn)進(jìn)展及裝備需求》。
中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮分享了《第三代半導(dǎo)體芯片制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢及國產(chǎn)化進(jìn)展》的報(bào)告。
山東力冠微電子裝備有限公司技術(shù)副總姜良斌帶來了《第三代半導(dǎo)體材料新型裝備國產(chǎn)化論述》的報(bào)告。
無錫邑文電子科技有限公司副總經(jīng)理葉國光分享了《先進(jìn)制程ALD設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展》。
北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司技術(shù)總監(jiān)梁浩分享了《拋光技術(shù)在化合物半導(dǎo)體制造的應(yīng)用》的報(bào)告。
Boschman中國區(qū)總監(jiān)、高級工程師田天成分享了《SiC功率模塊核心封裝技術(shù)與設(shè)備》的報(bào)告。
討論環(huán)節(jié)從左至右分別是：郭世平、趙崇凌、蔡國基、劉廣政、姜良斌、王巍
之后的專題討論環(huán)節(jié)，共分兩個(gè)議題。第一個(gè)議題是襯底與外延環(huán)節(jié)，圍繞生長腔的溫度如何控制、如何實(shí)現(xiàn)高效率和高良率切割、如何實(shí)現(xiàn)高精度拋光、如何做好缺陷檢測等內(nèi)容展開研討。
討論環(huán)節(jié)從左至右分別是：葉國光、鞏小亮、鈕應(yīng)喜、梁浩、田天成
第二個(gè)議題是芯片器件與封裝環(huán)節(jié)，圍繞高溫離子注入技術(shù)的難點(diǎn)與對裝備的發(fā)展要求、高溫氧化、高溫退火關(guān)鍵技術(shù)問題與裝備支撐、SiC/GaN刻蝕技術(shù)與裝備發(fā)展面臨的問題、如何看待激光處理等新型工藝路線及裝備前景、封裝環(huán)節(jié)如何實(shí)現(xiàn)高效及精確化等內(nèi)容展開討論。2個(gè)專題討論都十分熱烈，各對話嘉賓與現(xiàn)場參會人員也進(jìn)行了深入交流。
