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2022 H1第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外政策梳理

日期:2022-09-01 來源:材料深一度閱讀:615
核心提示:2022年上半年,受俄烏軍事沖突和疫情反復(fù)影響,國內(nèi)外經(jīng)濟(jì)均面臨下行壓力,供需雙下滑,工業(yè)生產(chǎn)、企業(yè)投資、居民消費(fèi)、國際貿(mào)易
 2022年上半年,受俄烏軍事沖突和疫情反復(fù)影響,國內(nèi)外經(jīng)濟(jì)均面臨下行壓力,供需雙下滑,工業(yè)生產(chǎn)、企業(yè)投資、居民消費(fèi)、國際貿(mào)易增速放緩,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)波動(dòng)發(fā)展態(tài)勢。全球發(fā)達(dá)國家采用空前力度加大半導(dǎo)體資金投入,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈的本土化和自主可控發(fā)展趨勢明顯,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略性愈發(fā)突出。與此同時(shí),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入歷史窗口期,材料和器件快速產(chǎn)業(yè)化、下游新能源汽車、光伏市場快速增長,上游晶圓供不應(yīng)求,快速導(dǎo)入市場、投融資兩旺、新增產(chǎn)能陸續(xù)開出,行業(yè)整體保持較好增長態(tài)勢,但受宏觀形勢影響,以快充為代表的消費(fèi)電子市場增長有所放緩,氮化鎵功率電子開拓新市場需求迫切。
 
國際:半導(dǎo)體競爭激烈,國際格局或變化
各經(jīng)濟(jì)體加大半導(dǎo)體資金投入。隨著新冠肺炎疫情和國際貿(mào)易摩擦的持續(xù),以及2021年全球出現(xiàn)半導(dǎo)體芯片缺貨漲價(jià)潮,全球主要經(jīng)濟(jì)體紛紛出臺(tái)半導(dǎo)體扶持計(jì)劃,大幅增加資金投入,吸引企業(yè)投資,著力保障半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈自主和安全。8月9日,美國總統(tǒng)拜登簽署“2022芯片與科學(xué)法案”,明確將投入520億美元支持本土半導(dǎo)體生產(chǎn)制造。此前,歐盟委員會(huì)提出到2030年,計(jì)劃投入430億歐元(約460億美元)用以提振芯片產(chǎn)業(yè)。2021年底,日本 “半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基盤緊急強(qiáng)化一攬子方案”安排6170億日元用于強(qiáng)化半導(dǎo)體生產(chǎn)體系。2021年5月,韓國發(fā)布“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”,預(yù)計(jì)到2030年向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資510萬億韓元(約4000億美元,含153家企業(yè)投資)。預(yù)計(jì)未來五至十年內(nèi),全球或?qū)⒂?.5萬億美元資金投向半導(dǎo)體領(lǐng)域。
 
美國“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容:一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持,并為企業(yè)提供價(jià)值240億美元的投資稅抵免,鼓勵(lì)企業(yè)在美國研發(fā)和制造芯片;二是在未來幾年提供約2000億美元的科研經(jīng)費(fèi)支持,重點(diǎn)支持人工智能、機(jī)器人技術(shù)、量子計(jì)算等前沿科技。此外,值得關(guān)注的是該法案禁止接受資助的公司在中國和其他特別關(guān)切國家擴(kuò)建先進(jìn)制程芯片,期限為10年。同時(shí),美國加大對(duì)中國出口先進(jìn)制程機(jī)臺(tái)的限制。“芯片法案”通過后,美國還將加速構(gòu)建所謂“CHIP4聯(lián)盟”,以產(chǎn)業(yè)補(bǔ)貼和市場準(zhǔn)入為籌碼拉攏韓國、日本、中國臺(tái)灣地區(qū)等相關(guān)方,以形成美國為主導(dǎo),對(duì)外封閉,內(nèi)部協(xié)作的“半導(dǎo)體小圈子”。
 
“芯片法案”及“CHIP 4聯(lián)盟”相關(guān)內(nèi)容和動(dòng)作與美國政府近年來對(duì)中國半導(dǎo)體行業(yè)的一系列制裁措施一脈相承,旨在加速建設(shè)美國本土半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈,并著意打壓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。在此背景下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)競爭模式或?qū)娜蚧?、合作化、分工化向多區(qū)域化、多生態(tài)化、競爭化發(fā)展。
 
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域科技項(xiàng)目支持為主。據(jù)材料深一度不完全統(tǒng)計(jì),截止2022年6月,美國、英國、日本政府先后資助了10個(gè)第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目,涉及金額超過1億人民幣。其中,美國能源部與國防部資助了高校企業(yè)5個(gè)GaN與SiC項(xiàng)目,重點(diǎn)研究800V SiC逆變器與GaN射頻。英國研究與創(chuàng)新機(jī)構(gòu)為打造本土功率電子供應(yīng)鏈,應(yīng)對(duì)疫情帶來的國際貿(mào)易影響,共向4個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目提供約5537萬元支持,同時(shí)商業(yè)、能源和工業(yè)戰(zhàn)略部支持Cambridge GaN Devices(CGD)公司開展用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源的高GaN功率IC技術(shù)項(xiàng)目;此外,日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)資助了昭和電工的8英寸SiC晶片開發(fā)項(xiàng)目,應(yīng)對(duì)即將到來的8英寸SiC浪潮。
國內(nèi):各地政策陸續(xù)更新,產(chǎn)業(yè)集聚加快
 
2022年上半年,中央層面,科技部國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2022年度項(xiàng)目中對(duì)第三代半導(dǎo)體材料與器件的7個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行研發(fā)支持。
 
除了國家層面的科研資金支持外,地方政府多從科研獎(jiǎng)勵(lì)、投資設(shè)廠、項(xiàng)目落地、人才吸引、集群建設(shè)等方面加快出臺(tái)政策,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2022年上半年,各級(jí)政府共發(fā)布29項(xiàng)與第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策法規(guī),政策密集度依舊較高。在省級(jí)層面10省份共發(fā)布12項(xiàng),規(guī)劃性政策6項(xiàng),支持性措施6項(xiàng);市、區(qū)級(jí)層面17項(xiàng),規(guī)劃性政策4項(xiàng),落實(shí)性措施13項(xiàng)。從內(nèi)容上,地方性政策文件更加注重銜接國家、省頂層計(jì)劃,注重相關(guān)政策的落實(shí)與兌現(xiàn),從資金、土地、人才、稅收、環(huán)境等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必備要素方面引導(dǎo)向第三代半導(dǎo)體集聚。同時(shí),出臺(tái)政策較多的地區(qū)集中在湖南長沙、江蘇蘇州、廣東深圳、安徽合肥、浙江杭州等產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。
 
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