對新引進的制造、封裝測試、載板、裝備和材料等半導體制造業(yè)項目固定資產投入超過1億元的，給予實際固定資產投入的10%、最高 3 億元的補貼，區(qū)內經認定的企業(yè)新建或擴建項目享受新引進項目同等待遇。對新設立的集成電路設計（含EDA 工具和IP 研發(fā)）企業(yè)，自在南海區(qū)內注冊之日起三年內，年營業(yè)收入首次達到1000萬元（含）且技術團隊到位 5人（含）以上的，給予其主營業(yè)務收入10%的獎勵；年營收首次達到2000萬元（含）且技術團隊到位10人（含）以上的，給予200萬元獎勵。單個企業(yè)享受該政策最高不超過200萬元。符合南海重點發(fā)展領域的重大項目落地按“一事一議”政策扶持。

 

半導體企業(yè)用于研發(fā)的多項目晶圓（MPW），可享受最高不超過MPW 流片與掩模版制作直接費用 80％、其他類工程片試流片與掩模版制作（Full Mask）加工費 30%的補助。對硅基工藝線寬小于65nm（含）、化合物與寬禁帶半導體等工藝，在以上標準基礎上分別提高10 個百分點，即 MPW 流片與掩模版制作直接費用按照不高于90%進行資助，其他類工程片試流片與掩模版制作按照不高于其加工費40%進行資助。每個企業(yè)年度補助總額不超過500 萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

半導體企業(yè)購買IP（IP 提供商或者 Foundry IP 模塊）開展芯片研發(fā)，給予IP 購買直接費用 40%的補助，單個企業(yè)每年補助總額不超過300 萬元。對集成電路設計企業(yè)購買 EDA 設計工具軟件的，按照實際發(fā)生費用的50%給予資助，每個企業(yè)年度總額不超過300 萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

半導體企業(yè)利用第三方外延、封裝、載板產線開展新產品研發(fā)或首次量產，按產品首次量產或新產品研發(fā)外延、封裝測試、載板費用的50%分別給予補助；對采用南海區(qū)內第三方外延、封裝、載板產線開展新產品研發(fā)或首次量產，則按費用的70%給予補貼。每個企業(yè)年度補助總額不超過200 萬元。芯片設計企業(yè)購買第三方IC 設計平臺 IP 復用、共享設計工具軟件、失效分析（含拍照、提圖）、測試（含探針卡），給予其實際費用50%的補助，單個企業(yè)年度補助總額不超過100 萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

1.非芯片設計類半導體企業(yè)年營業(yè)收入首次超過 1 億元、3 億元、5 億元、10 億元、20 億元的，分別按照100 萬元、200 萬元、300 萬元、400 萬元、500 萬元的一次性獎勵，每個企業(yè)補助總額不超過500 萬元；芯片設計企業(yè)年度銷售額首次超過 3000 萬元、5000 萬元、8000 萬元、1 億元、2 億元的，分別按照 30 萬元、50 萬元、80 萬元、100 萬元、200 萬元的一次性獎勵，每個企業(yè)補助總額不超過200 萬元。

 

2.支持企業(yè)并購半導體高端項目。鼓勵本地企業(yè)并購國內外半導體領域高端項目，對并購規(guī)模1 億元以上高端項目的企業(yè)，按照并購金額的5%給予補貼，單個項目補貼總額不超過 2000 萬元。

 

1.租金補貼。半導體企業(yè)（以財政出資設立的除外）在南海規(guī)劃布局的半導體產業(yè)園、設計園（科技園）租用研發(fā)、生產或辦公用房的，按照“先交后補”的形式，前3 年租金補貼 100%，后2 年租金補貼 50%，設計企業(yè)補助的建筑面積不超過 1000 平方米，制造、封測等生產性企業(yè)補助的建筑面積不超過3000 平方米。

 

2.用電補貼。對主營業(yè)務為半導體制造、封裝測試、載板、設備、材料和核心部件等領域的制造業(yè)企業(yè)或項目，按照“先交后補”的方式，給予企業(yè)上一年度用電費用50%的補貼，同一企業(yè)年度補貼最高500 萬元。補貼年限自產線建設完成驗收之日起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

3.廠房改造補貼。對區(qū)內半導體企業(yè)開展?jié)崈糗囬g建設、環(huán)保設施建設、廠房裝修等按其投入建設費用的30%給予補貼。每個企業(yè)補貼總額不超過200 萬元。已享受第一條固定資產補貼的不能享受本條款。

 

鼓勵當年銷售額5000 萬元以上的系統(tǒng)（整機）、終端企業(yè)采購區(qū)內半導體企業(yè)芯片或模組，對同一區(qū)內半導體企業(yè)供應商的首批訂單，按采購額的40%給予系統(tǒng)（整機）、終端企業(yè)補助，單個企業(yè)年度補助總額不超過400 萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

1.鼓勵半導體產業(yè)相關緊缺專業(yè)畢業(yè)生到南海半導體企業(yè)工作。給予正式入職經認定的南海區(qū)半導體企業(yè)的大學畢業(yè)生生活補助，補助標準為本科生1200 元/月、碩士生 1800 元/月、博士生3000 元/月。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

2.在經認定的南海區(qū)半導體企業(yè)擔任高管或核心成員，且年度納稅工資薪資達30 萬元（含）以上并依法完稅的，給予地方財政貢獻區(qū)級留成部分50%獎勵。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

3.鼓勵建設集成電路公共職業(yè)技能培訓平臺。支持企業(yè)、科研平臺與高等學校建立聯(lián)合培養(yǎng)機制，共建集成電路學生實習實踐教學基地；專科及以上學歷學生在基地實習實踐不少于1 個月的，按照每人800 元/月標準對學生給予補貼。

 

1.貸款貼息。對于經我區(qū)認定的半導體企業(yè)，按企業(yè)上一年度貸款實際支出利息的50%給予貸款貼息，每年最高 500 萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3 年。

 

2.融資風險補償。根據(jù)《佛山市南海區(qū)中小企業(yè)融資風險補償專項資金管理辦法》（南府〔2021〕50 號），經我區(qū)認定的半導體企業(yè)可納入?yún)^(qū)中小企業(yè)融資風險補償專項資金扶持企業(yè)庫，享受貸款融資風險補償。

 

3.支持企業(yè)上市。根據(jù)《佛山市南海區(qū)促進優(yōu)質企業(yè)上市和發(fā)展扶持辦法》（2022 年修訂），經我區(qū)認定的半導體企業(yè)完成股份制改造并取得股份公司營業(yè)執(zhí)照的，給予100—200 萬元扶持；申請輔導備案并取得受理回執(zhí)后，獎勵100—200 萬元（未獲得股份制改造獎勵的企業(yè)獎勵300—400 萬元）；在中國證監(jiān)會或其指定的股票發(fā)行審核部門正式受理上市申報材料后，給予扶持資金50 萬元；成功掛牌上市后，給予扶持資金 50 萬元；在成功上市或新三板掛牌后，按首發(fā)募集資金金額或累計融資金額給予50—500 萬元的獎勵。