2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。

國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在中國地區(qū)舉辦的、具備較強(qiáng)影響力的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域年度盛會(huì)，是引領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈合作的高端平臺(tái)和高層次綜合性論壇。

中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一路成長(zhǎng)起來，已成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時(shí)間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺(tái)，邀請(qǐng)全球頂級(jí)專家，傳遞最前沿的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)發(fā)展信息。

本次兩大論壇移師蘇州召開，一邊是不斷發(fā)展壯大的區(qū)域產(chǎn)業(yè)實(shí)力派，一邊是行業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)。2022年兩者強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手將碰撞出怎樣的火花，非常令人期待。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

據(jù)組委會(huì)透露，本屆論壇的“氮化鎵功率電子材料與器件”技術(shù)分會(huì)，由電子科技大學(xué)教授張波、加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東、中山大學(xué)教授劉揚(yáng)、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢、西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授張進(jìn)成、珠海鎵未來科技有限公司總裁吳毅鋒。潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理梁輝南、北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授王茂俊等國內(nèi)外代表專家共同召集，并將有來自美國弗吉尼亞理工大學(xué)、加拿大滑鐵盧大學(xué)、瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院、南方科技大學(xué)、英諾賽科等國內(nèi)外科研院所與代表企業(yè)的專家們將帶來一大波精彩報(bào)告，分享氮化鎵功率器件技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。

據(jù)了解，美國弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授張宇昊將分享“中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進(jìn)展”，加拿大滑鐵盧大學(xué)副教授Lan Wei帶來MVSG_CMC GaN HEMT緊模型的最新進(jìn)展，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院副教授Elison MATIOLI將分享高效集成GaN功率器件的新技術(shù)，中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員胡衛(wèi)國將帶來關(guān)于AlGaN/GaN HEMT能帶工程與界面調(diào)制的研究進(jìn)展，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系助理教授化夢(mèng)媛將分享p型柵GaN基功率器件柵極可靠性及閾值穩(wěn)定性研究成果。西安電子科技大學(xué)周紅將分享一種新型側(cè)向AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管，其結(jié)合浮動(dòng)金屬環(huán)和P保護(hù)環(huán)將實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓。

欲知最新研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)關(guān)注分會(huì)，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜摇W(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。

部分嘉賓簡(jiǎn)介

吳偉東，“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會(huì)召集人，加拿大多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系教授。其研究領(lǐng)域涵蓋智能功率半導(dǎo)體器件及其制作工藝，他尤其擅長(zhǎng)功率管理集成電路、集成電源開關(guān)和集成D類音頻功率放大器的開發(fā)。1993年，吳教授加入多倫多大學(xué)，組建了智能功率集成電路和半導(dǎo)體器件研究團(tuán)隊(duì)，他擁有智能功率集成電路和射頻領(lǐng)域CMOS技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)的豐富閱歷。并自2009年起擔(dān)任IEEE電子器件快報(bào)的副主編。

劉揚(yáng),“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會(huì)召集人，中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所所長(zhǎng)、教授。長(zhǎng)期從事III族氮化物功率半導(dǎo)體材料與器件研究及產(chǎn)業(yè)化推廣工作。曾在大尺寸Si襯底GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)功率半導(dǎo)體材料與增強(qiáng)型器件制備方面取得重要的進(jìn)展。主持國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、廣東省重大科技專項(xiàng)等多項(xiàng)項(xiàng)目。

孫錢，“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會(huì)召集人，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所器件部副主任。中國科技大學(xué)材料物理和計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)雙學(xué)士（郭沫若校長(zhǎng)獎(jiǎng)獲得者）、美國耶魯大學(xué)博士（耶魯工學(xué)院Becton獎(jiǎng)獲得者），國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)獲得者。長(zhǎng)期致力于硅基III族氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與光電子及功率電子器件制備研究。通過與企業(yè)的產(chǎn)學(xué)研實(shí)質(zhì)性合作，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片技術(shù)，并在全球率先產(chǎn)業(yè)化。2016年成功研制出國際上首支硅襯底GaN基激光器，入選中國光學(xué)重要成果和科技部高新技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新進(jìn)展報(bào)告。近5年來主持承擔(dān)了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、863計(jì)劃課題、中科院前沿科學(xué)重點(diǎn)研究項(xiàng)目、中科院科技服務(wù)網(wǎng)絡(luò)STS計(jì)劃區(qū)域重點(diǎn)項(xiàng)目、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等。迄今為止，在Nature Photonics、Light: Science & Applications等國際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表了100余篇學(xué)術(shù)論文，是30余項(xiàng)美國和中國發(fā)明專利的發(fā)明人

張進(jìn)成，“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會(huì)召集人，西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授。寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕c超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)（排名第一和第二），省部級(jí)科技一等獎(jiǎng)4項(xiàng)以及國家教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

張宇昊，美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授，并領(lǐng)導(dǎo)該中心的器件和功率半導(dǎo)體研究。該中心由Fred Lee創(chuàng)立，現(xiàn)得到超過80家公司的資助，擁有電力電子領(lǐng)域基于高校的最大的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟之一。張宇昊研究興趣包括功率器件、寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件封裝、以及電力電子應(yīng)用。張宇昊已發(fā)表文章90余篇，涵蓋多個(gè)領(lǐng)域（IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等），并有4個(gè)已經(jīng)授權(quán)的美國專利。并獲得2017年麻省理工學(xué)院Microsystems Technology Laboratories最佳博士論文獎(jiǎng)、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳論文獎(jiǎng))、2020年IEDM Conference Highlight榮譽(yù)、2021年美國National Science Foundation CAREER獎(jiǎng)、2021年弗吉尼亞理工優(yōu)秀助理教授獎(jiǎng)。其博士生獲得2021 APEC最佳報(bào)告獎(jiǎng)、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士論文獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。

Lan WEI ,加拿大滑鐵盧大學(xué)副教授，Lan WEI 教授曾在加利福尼亞州的Altera Corporation（現(xiàn)為Intel Corporation的一部分）擔(dān)任技術(shù)人員，并在麻省理工學(xué)院的Microsystems Technology Laboratories擔(dān)任博士后助理。她在基于器件物理的緊湊建模方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，包括為碳納米管晶體管開發(fā)緊湊模型，為硅MOSFET和氮化鎵（GaN）晶體管開發(fā)MIT虛擬源晶體管緊湊模型。她是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)GaN HEMT模型（MVSG_CMC）的聯(lián)合開發(fā)者，該模型由Compact model Coalition和主要主流設(shè)計(jì)工具（如Keysight的PathWave產(chǎn)品、Cadence的Spectre®、Synopsys的HSPICE®和Silvaco的SmartSpice）批準(zhǔn)和支持™). 其研究興趣還包括器件電路交互設(shè)計(jì)和優(yōu)化、集成低維材料的納米電子系統(tǒng)、用于量子計(jì)算的低溫CMOS器件建模和電路設(shè)計(jì)，以及用于高級(jí)無線通信和電力電子應(yīng)用的GaN技術(shù)。

胡衛(wèi)國，中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員，曾任日本三重大學(xué)(Mie Univ.)、神戶大學(xué)(Kobe Univ.)、東北大學(xué)(Tohoku Univ.)博士后和助理教授。目前研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體材料外延、壓電(光)電子器件研制和模擬、以及新能源器件。迄今為止在Science advances、Advanced Materials、ACS Nan、Nano Energy等學(xué)術(shù)期刊發(fā)表論文50余篇，在IEDM等40多個(gè)學(xué)術(shù)會(huì)議上報(bào)告研究成果。

化夢(mèng)媛，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系助理教授，致力于寬禁帶半導(dǎo)體器件與IC研究，在高端制造工藝、測(cè)試表征技術(shù)、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性等方面做出一系列原創(chuàng)性和系統(tǒng)性的工作。共發(fā)表國際高水平期刊與會(huì)議論文90余篇，引用超2000次。成果包括國際電子器件領(lǐng)域的頂級(jí)峰會(huì)IEEE IEDM論文7篇，電力電子領(lǐng)域旗艦會(huì)議IEEE ISPSD論文11篇，器件領(lǐng)域頂級(jí)期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇，IEEE Trans. Electron Devices 8篇，為國際會(huì)議做邀請(qǐng)報(bào)告10余次，申請(qǐng)發(fā)明專利6項(xiàng)；成果多次選入熱點(diǎn)論文，被產(chǎn)業(yè)界權(quán)威雜志專題報(bào)道；獲2020年IEEE ICSICT杰出青年科技論文獎(jiǎng)；獲2017年IEEE ISPSD最佳青年學(xué)者獎(jiǎng)（年度唯一獲獎(jiǎng)人）；現(xiàn)任國際高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices編輯。

更多論壇信息

會(huì)議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會(huì)議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)、碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工、射頻電子材料與器件、碳化硅功率電子材料與器件、氮化物襯底材料生長(zhǎng)與同質(zhì)外延、超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、固態(tài)紫外材料與器件、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)、固態(tài)紫外材料與器件、半導(dǎo)體照明材料與封裝模組、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)、半導(dǎo)體激光器與光通信、教育照明與健康光環(huán)境、光醫(yī)療與健康、閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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