2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，射頻電子材料與器件技術(shù)分會作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認最新報告嘉賓正式出爐！

第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。GaN 已成為射頻功率應(yīng)用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競爭對手，其性能和可靠性不斷提高且成本不斷降低。

據(jù)組委會透露，作為IFWS 2022的重要分會之一，射頻電子材料與器件分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其芯片設(shè)計及在移動通信中的應(yīng)用等各方面。分會由中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學(xué)家陳堂勝，中國電子科技集團公司第五十八研究所所長蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻，日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授敖金平，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇，中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任馮志紅，中興通訊股份有限公司無線射頻總工劉建利等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。

目前分會已經(jīng)確認有來自：澳大利亞麥考瑞大學(xué)、日本京都大學(xué)、南京國博電子股份有限公司、南京理工大學(xué)、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、中國電科十三所、山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院、中興通訊、北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司、西安電子科技大學(xué)等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞射頻電子材料與器件技術(shù)分享主題報告。

目前確認報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認中)：

·Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact model

Sourabh Khandelwal--澳大利亞麥考瑞大學(xué)

·TBD

Naoki Shinohara--日本京都大學(xué)教授

·5G移動通信用化合物器件研究

錢峰--南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理

·28GHz氮化鎵基時間調(diào)制波束成形系統(tǒng)

黃同德--南京理工大學(xué)副教授

·氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領(lǐng)域的創(chuàng)新

裴軼--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁

·TBD

蔡小龍--中興通訊高級技術(shù)預(yù)研工程師

·電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs

崔鵬--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院 研究員

·47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設(shè)計

杜鵬搏——中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理

·國產(chǎn)突破，中國射頻前端產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)5G 芯時代

黃鑫——北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁

·基于雙通道AlGaN/GaN FinFET結(jié)構(gòu)的高線性射頻器件研究

李昂——西安電子科技大學(xué)

部分嘉賓簡介

Naoki Shinohara，日本京都大學(xué)教授。他于1996年獲得了日本京都大學(xué)博士學(xué)位，并先后在京都大學(xué)的空間射頻研究中心和人類生存圈研究所從事太陽能衛(wèi)星和無線能量傳輸?shù)确较虻难芯?，研究領(lǐng)域包括無線電力傳輸、微波電力傳輸和太陽能電力衛(wèi)星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等協(xié)會會員，并作為IEEE杰出演講人在世界多個知名高校展開以"無線能量傳輸"為主題的講座。

錢峰，南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理。研究員級高級工程師。1993年6月至2001年12月,歷任中國電科五十五所一部二室助理工程師、工程師;2001年12月至2006年6月,歷任中國電科五十五所一中心高級工程師、研究員級高級工程師;2006年6月至2011年3月,歷任中國電科五十五所集成電路設(shè)計部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任國博有限副總經(jīng)理;2012年2月至2015年3月,任中國電科五十五所單片電路設(shè)計部主任;2015年3月至2018年9月,任中國電科五十五所副總工程師;2018年9月至2020年12月,任國博有限副總經(jīng)理;2020年12月至今,任南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理。 

裴軼  蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁。2004年北京大學(xué)本科畢業(yè)，2009年獲加州大學(xué)圣巴巴拉分校博士學(xué)位?，F(xiàn)任蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼技術(shù)副總裁，正高級工程師。國家萬人計劃-科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心第一屆技術(shù)專家委員會委員，第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標準委員會委員。IEEE高級會員，中國電子學(xué)會高級會員，中國電源學(xué)會元器件專業(yè)委員會委員，蘇州大學(xué)產(chǎn)業(yè)教授。研究興趣包含氮化鎵微波和毫米波器件、氮化鎵功率器件及應(yīng)用、氮化鎵材料、工藝、可靠性和非線性模型等。發(fā)表和共同發(fā)表了100余篇期刊和會議論文，累計申請專利150余項。

崔鵬，山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院 研究員。2018年6月獲山東大學(xué)微電子學(xué)院博士學(xué)位。2018年7月至2021年7月在美國University of Delaware電子與計算機工程系從事博士后研究。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體器件制備與研究，在低功耗器件、射頻器件、功率放大器線性度等方面取得了一些較有影響力的國際指標性成果：首次在氮化鎵（GaN）高電子遷移率場效應(yīng)晶體管（無柵介質(zhì)層）上實現(xiàn)亞閾值擺幅低于理論極限，其亞閾值擺幅可達到30 mV/dec, 為目前報道的無柵介質(zhì)的GaN HEMT最低值，促進了GaN開關(guān)器件的功耗降低和尺寸縮小；制備出國際最高功率截止頻率特性的GaN-on-Si 器件，其功率截止頻率可達到270 GHz；研發(fā)的硅基InAlN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)晶體管以國際最高的柵長頻率乘積值，被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分別報道；首次確立極化庫侖場散射與GaN HEMT器件線性度的關(guān)聯(lián)關(guān)系，建立器件層級提高GaN功率放大器線性度的可行性方案。迄今為止,在本領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等發(fā)表論文50余篇，其中第一作者SCI論文20篇，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利5項。

黃同德，南京理工大學(xué)副教授。研究方向包括化合物微波集成電路芯片（MMIC）；CMOS毫米波集成電路芯片；微波器件物理與仿真模型建立。包括功率放大器，混頻器，低噪聲放大器，本振信號源等,應(yīng)用目標為雷達制導(dǎo)探測，5G毫米波通信等前端系統(tǒng)；有源無源高頻器件建模，服務(wù)于芯片設(shè)計與系統(tǒng)優(yōu)化。主持及參與科研項目包括江蘇省科技廳重點項目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”；國家自然科學(xué)基金項目“新型高性能納秒級恢復(fù)時間氮化鎵低噪聲放大器研究”；留學(xué)人員科技創(chuàng)新項目擇優(yōu)資助(B類)，“毫米波氮化鎵集成收發(fā)前端芯片研發(fā)”等。目前已發(fā)表SCI和EI學(xué)術(shù)論文26余篇，其中以第一作者身份在相關(guān)領(lǐng)域國際頂級期刊IEEE Trans.和Letters上發(fā)表論文10篇，五年內(nèi)論文被引用273次，單篇最高他引次數(shù)為52次，所發(fā)表成果兩次被國際權(quán)威半導(dǎo)體期刊《Semiconductor Today》專題重點報道.

Sourabh Khandelwal，澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授，Khandelwal博士在麥格理大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)一個充滿活力的研究小組，專注于半導(dǎo)體器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行業(yè)標準ASM-HEMT模型的主要作者。他撰寫了150多篇論文，并出版了3本關(guān)于GaN、FDSOI和FinFET技術(shù)的書籍。在此之前，Khandelwal博士曾在加州大學(xué)伯克利分校的BSIM小組和IBM半導(dǎo)體研究中心工作。

蔡小龍，中興通訊高級技術(shù)預(yù)研工程師

杜鵬搏，中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理，中國電科十三所MMIC芯片領(lǐng)域?qū)＜?，河北省青年拔尖人才。主要從事微?毫米波集成電路設(shè)計、測試及可靠性研究。多項研究成果達到國際先進水平，先后承擔(dān)國家重大項目10余項，發(fā)表相關(guān)論文10多篇，申請專利7項。獲得中國電科科學(xué)技術(shù)獎一等獎2項、三等獎2項，國防科學(xué)技術(shù)進步獎二等獎2項、三等獎1項。

黃鑫，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁。西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)碩士，十五年4G/5G/IoT無線通信芯片研發(fā)、規(guī)劃、推廣經(jīng)驗。現(xiàn)任昂瑞微副總裁，負責(zé)整個公司的戰(zhàn)略發(fā)展，產(chǎn)品定位和公共關(guān)系等。主導(dǎo)定義了十余款4G/5G射頻前端芯片，包括：L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射頻前端模組?？蛻舭s耀、小米、三星、中興、摩托羅拉、諾基亞等國內(nèi)外知名品牌。用于5G手機終端的射頻前端芯片，已在國內(nèi)一線手機廠商實現(xiàn)超七千萬顆的規(guī)模出貨。

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權(quán)益收費表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、智慧照明設(shè)計與應(yīng)用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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