2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國(guó)際博覽中心召開(kāi)。其中，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)分會(huì)作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報(bào)告嘉賓正式出爐！

材料水平直接決定了器件的性能。以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。同時(shí)，碳化硅外延工藝是非常關(guān)鍵的工藝，器件在外延上實(shí)現(xiàn)，外延的質(zhì)量對(duì)器件的性能影響非常大，外延質(zhì)量受晶體和襯底加工的影響，碳化硅外延是產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。

據(jù)組委會(huì)透露，作為IFWS 2022的重要分會(huì)之一，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)分會(huì)得到了廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦支持，由山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)徐現(xiàn)剛教授，中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任陳小龍研究員，中科院半導(dǎo)體研究所孫國(guó)勝研究員，瀚天天成電子科技（廈門(mén)）有限公司總經(jīng)理馮淦博士等業(yè)界知名專(zhuān)家擔(dān)任程序委員會(huì)召集人。

目前分會(huì)已經(jīng)確認(rèn)有來(lái)自：中國(guó)科學(xué)院物理研究所、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、山東大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，廈門(mén)大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院、北京工業(yè)大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司、南京百識(shí)電子科技有限公司、勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、臺(tái)灣創(chuàng)技工業(yè)股份等科研院校專(zhuān)家學(xué)者與企業(yè)專(zhuān)家代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)分享前沿研究。

目前確認(rèn)報(bào)告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報(bào)告正在確認(rèn)中)：

·4H碳化硅單晶的制備和加工技術(shù)進(jìn)展

皮孝東——浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)、教授

·大尺寸4H-SiC單晶擴(kuò)徑及襯底制備

陳秀芳——廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理、山東大學(xué)教授

·碳化硅單晶技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)

王英民——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所首席專(zhuān)家

·碳化硅外延與晶圓制造技術(shù)

宣融——南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官

·碳化硅及其他化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)方案

方子文——德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理

·全球科研信息賦能第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展——基礎(chǔ)研究及科研策略分析

賈維煒——勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員

·液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

李輝——中國(guó)科學(xué)院物理研究所副研究員

·SiC Wafer研磨加工技術(shù)進(jìn)展

張植芃——臺(tái)灣創(chuàng)技工業(yè)股份有限公司

·200 mm碳化硅晶體生長(zhǎng)仿真：基于氣相導(dǎo)流板調(diào)控的傳質(zhì)過(guò)程優(yōu)化

尹君——廈門(mén)大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授

·超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究

陳沛——北京工業(yè)大學(xué)副教授

部分嘉賓簡(jiǎn)介

皮孝東，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)、教授。皮孝東，浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院教授，中國(guó)真空學(xué)會(huì)理事和中國(guó)真空學(xué)會(huì)電子材料與器件專(zhuān)業(yè)委員會(huì)副主任委員。研究領(lǐng)域主要涉及四族半導(dǎo)體材料和器件。

陳秀芳，山東大學(xué)教授，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理。主要從事寬帶隙碳化硅等半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領(lǐng)域中，取得系列重要應(yīng)用型科研成果，先后主持承擔(dān)了國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)、973計(jì)劃、預(yù)研項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、科技部“863”計(jì)劃、山東省自主創(chuàng)新重大專(zhuān)項(xiàng)等20余項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文40余篇，申請(qǐng)和獲得授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利20余項(xiàng)。獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)”、“國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年基金”、“山東省自然科學(xué)杰出青年基金”等。 

方子文，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理。方子文博士畢業(yè)于英國(guó)利物浦大學(xué)工程學(xué)院，主修先進(jìn)半導(dǎo)體沉積技術(shù)，現(xiàn)任AIXTRON中國(guó)區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和工藝高級(jí)部門(mén)經(jīng)理。他在AIXTRON曾擔(dān)任工藝科學(xué)家，實(shí)驗(yàn)室部門(mén)經(jīng)理等職，精通三五族化合物半導(dǎo)體MOCVD外延材料生長(zhǎng)、制備和測(cè)試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產(chǎn)品使用的外延材料。 

陳小龍，中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員。長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，先后主持國(guó)家863、973和國(guó)家科技支撐計(jì)劃等23個(gè)科研項(xiàng)目，取得了多項(xiàng)研究成果。系統(tǒng)開(kāi)展了碳化硅晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ)和應(yīng)用開(kāi)發(fā)研究工作，解決了多項(xiàng)關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題和系列關(guān)鍵技術(shù)，生長(zhǎng)出2-4英寸高質(zhì)量晶體；攻克了晶體制備重復(fù)性和穩(wěn)定性等關(guān)鍵工程化問(wèn)題，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化，碳化硅系列晶片批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)用戶(hù)，并出口至歐美和日本等發(fā)達(dá)國(guó)家，打破了國(guó)外的長(zhǎng)期壟斷，為發(fā)展我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠定了基礎(chǔ)。發(fā)現(xiàn)了一系列新的功能晶體材料，包括新超導(dǎo)體K0.8Fe2Se2和具有潛在應(yīng)用價(jià)值的閃爍晶體YBa3B9O18等，精確測(cè)定了新化合物的晶體結(jié)構(gòu)，其中120個(gè)化合物的衍射數(shù)據(jù)被ICDD收錄為標(biāo)準(zhǔn)衍射數(shù)據(jù)。在國(guó)際有影響的學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表和合作發(fā)表論文360余篇，引用8000余次，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利50項(xiàng)（已授權(quán)40項(xiàng)），起草國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)（已實(shí)施）。在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文301篇，共被引用2549次（h因子23）。 

陳沛，北京工業(yè)大學(xué)副教授。研究方向?yàn)橄冗M(jìn)電子封裝中的力學(xué)問(wèn)題與可靠性問(wèn)題、先進(jìn)電子封裝中的新型材料與結(jié)構(gòu)中的力學(xué)問(wèn)題。曾承擔(dān)課題國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金“減薄晶圓損傷層殘余應(yīng)力和力學(xué)性能測(cè)量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)--極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝（“02”專(zhuān)項(xiàng)）任務(wù)“晶圓減薄損傷層表征與控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（參加）

宣融

宣融，南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官

張植芃

張植芃，臺(tái)灣技創(chuàng)工業(yè)股份 、臺(tái)灣漢民集團(tuán)

更多論壇信息：

會(huì)議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó) - 蘇州 - 蘇州國(guó)際博覽中心G館

日程安排

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開(kāi)幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開(kāi)幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車(chē)用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、智慧照明設(shè)計(jì)與應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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