2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報(bào)告嘉賓正式出爐！

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的氮化鎵材料而言，尋找到更加合適的襯底是發(fā)展氮化鎵技術(shù)的重要目標(biāo)。氮化物襯底材料的生長與外延非常重要。

據(jù)組委會透露，作為IFWS&SSLCHINA2022重要分會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會將由北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所黎大兵研究員，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長畢文剛研究員，江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官楊敏博士等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。目前已經(jīng)確認(rèn)有來自美國斯坦福大學(xué)、日本國立物質(zhì)材料研究所、南京大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所、北京大學(xué)、奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司、北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司、武漢大學(xué)等科研機(jī)構(gòu)與知名企業(yè)專家代表共同參與，就氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分享主題報(bào)告。

目前確認(rèn)報(bào)告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報(bào)告正在確認(rèn)中)：

·Adding efficiency to electronics with III-Nitride technology

Srabanti CHOWDHURY——美國斯坦福大學(xué)電氣工程副教授

·基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術(shù)

修向前——南京大學(xué)教授

·平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長

趙德剛——中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員

·TBD

王建峰——蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理

·AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究

許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授

·PVT法同質(zhì)外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰(zhàn) 

吳亮——奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官

·定量陰極發(fā)光CL技術(shù)在氮化物半導(dǎo)體中的應(yīng)用

劉兵武——北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理

·無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)

袁超-——武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員

·High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication

王國斌——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人

·利用AlN傳導(dǎo)層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性

桑立雯——日本國立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員

部分嘉賓簡介

沈波，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、物理學(xué)院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人，國家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國家863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員、國家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長、國家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員，享受國務(wù)院特殊津貼。先后在南京大學(xué)、中國科技大學(xué)和日本東北大學(xué)獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。曾任日本東京大學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究所研究員，東京大學(xué)先端科技研究中心、千葉大學(xué)電子學(xué)與光子學(xué)研究中心客座教授、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所訪問教授。

1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計(jì)劃、863計(jì)劃和自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)國家級科研課題，先后與華為、京東方、彩虹集團(tuán)、廣東光大集團(tuán)和中國電科13所、55所等企業(yè)開展了一系列科研合作。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請國家發(fā)明專利50多件，在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議做大會和分會邀請報(bào)告20多次， 多次擔(dān)任國際學(xué)術(shù)會議顧問委員會、程序委員會、組織委員會主席和委員，先后獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、國家自然科學(xué)二等獎、江蘇省科技進(jìn)步一等獎和教育部科技進(jìn)步一等獎。部分研究成果實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會效益。

徐科，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長。國家杰出青年基金獲得者。1988～1995年就讀于西安交通大學(xué)，獲碩士學(xué)位，1998年于中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所獲博士學(xué)位。1999～2002年在日本千葉大學(xué)光電子研究中心做博士后，2002～2004年在日本科學(xué)技術(shù)振興事業(yè)團(tuán)，參加超高速省電力高性能納米器件/系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，2004～2006年任教于北京大學(xué)，2006年起加入中科院蘇州納米所，任測試分析平臺主任。曾榮獲2007年“蘇州工業(yè)園區(qū)首屆科技領(lǐng)軍人才”稱號、2008年“首屆姑蘇創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才”、“江蘇省雙創(chuàng)人才”稱號、2010年榮獲第十三屆中國科協(xié)“求是杰出青年獎”、2011年蘇州市市長獎，2012年榮獲全國產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新成果獎、中國科學(xué)院國際合作青年科學(xué)家獎，2013年獲得國家杰出青年基金資助，2013年蘇州市魅力科技人物。現(xiàn)任“863”計(jì)劃新材料領(lǐng)域主題專家、國家納米標(biāo)準(zhǔn)委員會委員。

一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長、相關(guān)材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長，在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長出非極性m面GaN；系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長機(jī)理，氮化物的極性選擇、極性控制，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響，是國際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一；近年來重點(diǎn)開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研發(fā)出可以連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)GaN單晶襯底的HVPE系統(tǒng)，開發(fā)出高質(zhì)量完整2英寸單晶氮化鎵襯底，并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)；組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術(shù)與裝備研制、微納尺度原位加工與測試技術(shù)的融合，并用于半導(dǎo)體中單個缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究。發(fā)表SCI論文70余篇，申請專利40余項(xiàng)，國際專利一項(xiàng)，國際會議特邀報(bào)告20余次。承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金、973重大研究計(jì)劃、863項(xiàng)目、科技部國際合作項(xiàng)目、中科院裝備研制項(xiàng)目、江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)、發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目等。

Srabanti CHOWDHURY，美國斯坦福大學(xué)電氣工程副教授。Srabanti Chowdhury是電氣工程（EE）副教授和斯坦福大學(xué)預(yù)科學(xué)院高級研究員。她領(lǐng)導(dǎo)斯坦福大學(xué)寬帶隙實(shí)驗(yàn)室，在那里她的研究重點(diǎn)是寬帶隙（WBG）和超寬帶隙（UWBG）材料和器件工程，以實(shí)現(xiàn)高效緊湊的電子系統(tǒng)架構(gòu)，包括功率RF和計(jì)算應(yīng)用。除了氮化鎵之外，她的團(tuán)隊(duì)還在探索鉆石的各種主動和被動電子應(yīng)用，特別是熱管理。Srabanti獲得了加州大學(xué)圣巴巴拉分校電氣工程碩士和博士學(xué)位，從事垂直GaN開關(guān)的研究。2015年，她獲得了DARPA青年教師獎、NSF CAREER和AFOSR青年研究員計(jì)劃（YIP）。2016年，她在化合物半導(dǎo)體國際研討會（ISCS）上獲得了青年科學(xué)家獎。她是IEEE的高級成員，也是NAE工程前沿的校友。她于2020年獲得了阿爾弗雷德·P·斯隆（Alfred P.Sloan）物理學(xué)獎學(xué)金。迄今為止，她的工作已經(jīng)產(chǎn)生了超過6個書籍章節(jié)、90篇期刊論文、110篇會議報(bào)告和26項(xiàng)已頒發(fā)專利。她為多個IEEE會議（包括IRPS和VLSI研討會）的計(jì)劃委員會以及IEDM的執(zhí)行委員會服務(wù)。她擔(dān)任Transaction Electron Devices的副主編，以及IEEE Electron Device Society下屬的兩個委員會（復(fù)合半導(dǎo)體器件與電路委員會成員和功率器件與集成電路委員會）。她是美國能源部資助的能源前沿研究中心（簡稱ULTRA）的科學(xué)合作主任。

修向前，南京大學(xué)教授。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導(dǎo)體襯底材料與設(shè)備以及III族氮化物納米結(jié)構(gòu)材料與器件等的研究和應(yīng)用。2017年，主持的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備”獲得立項(xiàng)。近5年，主持/參與863計(jì)劃、973、國家自然科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金等項(xiàng)目共10余項(xiàng)。共發(fā)表SCI/EI等學(xué)術(shù)論文80余篇，其中SCI論文60余篇。已獲得授權(quán)國家發(fā)明專利31項(xiàng)（第一發(fā)明人20余項(xiàng)），申請國家發(fā)明專利30余項(xiàng)。編寫論著9章。相關(guān)研究成果“III族氮化物半導(dǎo)體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學(xué)?？茖W(xué)研究優(yōu)秀成果獎（科學(xué)技術(shù)）”自然科學(xué)獎一等獎，本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的襯底材料生長、性質(zhì)和器件研究；氫化物氣相外延設(shè)備研制與應(yīng)用；微納米氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究。

趙德剛，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員、博士生導(dǎo)師、光電子研究發(fā)展中心主任，主要從事GaN基光電子材料生長與器件研究，對材料生長機(jī)理、材料物理、器件設(shè)計(jì)及器件物理有較深入的理解和認(rèn)識，解決了GaN材料大失配異質(zhì)外延技術(shù)等關(guān)鍵難題，研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍(lán)光激光器和紫外雪崩光電探測器，還在碳雜質(zhì)研究做出了系統(tǒng)性、創(chuàng)新性工作。主持和承擔(dān)了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、863、國家自然科學(xué)基金等多個項(xiàng)目，在Applied Physics Letters等著名學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表SCI論文270多篇，獲得國家發(fā)明專利30多項(xiàng)，撰寫中文、英文專著各一章。在GaN器件方面，設(shè)計(jì)出能夠監(jiān)測紫外波長的新型器件，提出了利用紫外探測器的響應(yīng)光譜對p-GaN載流子濃度進(jìn)行測量的新方法；研究了p-GaN的歐姆接觸工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了良好的歐姆接觸特性，揭示了歐姆接觸、空位缺陷和碳雜質(zhì)對探測器的影響機(jī)理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的電熒光光譜隨注入電流變化的機(jī)制，并提出了相應(yīng)的物理模型；提出了降低吸收損耗、抑制電子泄漏的多種激光器新結(jié)構(gòu)，闡述了V型缺陷和碳雜質(zhì)破壞發(fā)光器件性能的物理機(jī)制；研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍(lán)光激光器以及紫外雪崩光電探測器。

許福軍，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結(jié)構(gòu)外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導(dǎo)率調(diào)控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質(zhì)量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達(dá)到國際先進(jìn)水平，并在團(tuán)隊(duì)支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關(guān)鍵技術(shù)，正推動科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐。近年來，作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)面上基金3項(xiàng)；作為子課題負(fù)責(zé)人參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)、北京市科委重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng)，山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)和廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發(fā)明專利10多件。 

吳亮，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官。國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學(xué)家，有近20年半導(dǎo)體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發(fā)與研發(fā)領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)。曾供職于英特爾技術(shù)發(fā)展有限公司、比利時FEMAGSoft SA（高級研發(fā)工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協(xié)鑫工業(yè)應(yīng)用研究院有限公司（副院長，現(xiàn)協(xié)鑫中央研究院）、協(xié)鑫太陽能材料有限公司（總工程師）等，現(xiàn)任奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司CEO。吳亮博士曾承擔(dān)日本、德國、比利時等多家世界500強(qiáng)企業(yè)或政府組織在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的專業(yè)化合作研究，申請/授權(quán)國內(nèi)國際專利50余項(xiàng)，在德國出版晶體生長專著一部，發(fā)表各種期刊/會議論文及各種國際/國內(nèi)邀請報(bào)告100多篇/次）。 

袁超，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員，長期從事寬禁帶器件表征和熱管理研究工作，在薄膜尺度熱反射表征方法(thermoreflectance)、聲子熱輸運(yùn)理論、以及(超)寬禁帶半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)等領(lǐng)域具有一定的技術(shù)優(yōu)勢和科研特色。承擔(dān)多個國家/省部級重大戰(zhàn)略需求的縱向科研項(xiàng)目，迄今共發(fā)表國際SCI論文30余篇。長期和國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)合作，擁有豐富的產(chǎn)學(xué)研經(jīng)驗(yàn)。

桑立雯，日本國立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員。2010年畢業(yè)于北京大學(xué)，獲理學(xué)博士學(xué)位。2010年4月加入日本國立物質(zhì)材料研究所(National Institute for Materials Science)進(jìn)行博士后研究，2014年拿到該所終身職位，目前是該所國際納米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 獨(dú)立研究者。2012年和2019年兩次獲得日本科學(xué)振興機(jī)構(gòu)(JST)杰出青年先驅(qū)計(jì)劃PRESTO，2017年獲得國際缺陷領(lǐng)域the James W. Corbet Prize，2022年獲得日本國家文部科學(xué)省科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域文部科學(xué)大臣若手科學(xué)者獎, 該獎項(xiàng)是日本青年研究人員最高獎。桑立雯研究員課題組主要從事III-V族氮化物界面調(diào)控及光電機(jī)械器件研究，已發(fā)表SCI論文110余篇，總引用次數(shù)2800余次(h指數(shù)26)，參與撰寫英文專著2部。

王建峰，蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理

 

劉兵武，北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理

更多論壇信息

 更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

＊會議現(xiàn)場報(bào)到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、智慧照明設(shè)計(jì)與應(yīng)用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報(bào)名、分享海報(bào)等等。