近日，由西安交通大學(xué)王宏興教授團(tuán)隊(duì)領(lǐng)銜的“德盟特半導(dǎo)體”創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)在單晶金剛石襯底技術(shù)產(chǎn)業(yè)化上取得了重大進(jìn)展和突破。作為秦創(chuàng)原總窗口入駐企業(yè)，其在研的技術(shù)產(chǎn)品主要面向第四代半導(dǎo)體材料、器件及5G通訊等行業(yè)，對(duì)于提升我國(guó)半導(dǎo)體材料器件行業(yè)水平，促進(jìn)新一代半導(dǎo)體技術(shù)代差更迭具有重要意義。

在半導(dǎo)體制備原理中，襯底是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，不同襯底材料可以生產(chǎn)包括單晶金剛石等在內(nèi)的半導(dǎo)體芯片。而單晶金剛石被稱為“終極半導(dǎo)體”，與硅同為單質(zhì)半導(dǎo)體，性能完全超越現(xiàn)有半導(dǎo)體，可以克服“擊穿場(chǎng)強(qiáng)不足”和“自熱效應(yīng)”瓶頸。在超高電壓、超大電流、超大功率、高效、耐輻照和超高頻工作且無(wú)需冷卻的電子器件方面，單晶金剛石具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。

作為國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期從事單晶金剛石寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件研究工作的專家，王宏興帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期科研攻關(guān)，獨(dú)立自主開(kāi)發(fā)了系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的單晶金剛石微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，掌握了有關(guān)技術(shù)，并已全面完成了原理性創(chuàng)新、實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)研究和中試實(shí)驗(yàn)，可批量化提供1-2英寸的大面積高質(zhì)量單晶金剛石襯底，進(jìn)而有效保證國(guó)內(nèi)功率電子器件、導(dǎo)熱、雷達(dá)探測(cè)等領(lǐng)域?qū)τ诟哔|(zhì)量、大尺寸電子級(jí)單晶金剛石的需求，同時(shí)滿足院校科研對(duì)高質(zhì)量晶種的需求。

在西安交通大學(xué)的支持下，王宏興項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)入駐秦創(chuàng)原創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)平臺(tái)總窗口，校方將該項(xiàng)目所涉及的設(shè)備、金剛石材料、器件外延等21項(xiàng)核心專利全部投入，通過(guò)秦創(chuàng)原平臺(tái)對(duì)接各類產(chǎn)業(yè)研資源，全力推進(jìn)其產(chǎn)業(yè)化。此外，來(lái)自陜西地市產(chǎn)業(yè)創(chuàng)投基金的投資，也為加速實(shí)現(xiàn)科研成果落地提供了支持。