半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：2022年11月7-10日，一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。在這場被視為“全球第三代半導體行業(yè)風向標”的盛會上，開幕大會將由諾獎得主+院士重磅領銜，攜手蔚來汽車、中國電科、天馬微電子等單位知名專家/高層代表共同帶來各領域前沿進展報告，十分令人期待。

第三代半導體是以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻率、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、高導熱等優(yōu)越性能，是新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉型升級的重點核心材料。通過大力發(fā)展第三代半導體，尤其是目前大量應用的碳化硅和氮化鎵，以及探索新一代半導體材料，對支撐碳達峰、碳中和意義重大。

以碳化硅為代表的第三代半導體被稱為綠色半導體。數(shù)據(jù)顯示，它的器件節(jié)能性是硅器件的4倍，可以使新能源汽車能耗降低50%，特高壓電網(wǎng)損耗降低60%，軌道交通功率器件系統(tǒng)損耗降低20%以上。在“雙碳”的背景下，產(chǎn)業(yè)結構將面臨深刻的低碳轉型挑戰(zhàn)，能源技術將會引領能源產(chǎn)業(yè)變革，實現(xiàn)創(chuàng)新驅動發(fā)展。大數(shù)據(jù)、區(qū)塊鏈、人工智能等新技術的快速使用，帶動了數(shù)字經(jīng)濟的高速發(fā)展，使得半導體行業(yè)更要朝著高性能、低功耗的目標發(fā)展，從而帶動消費電子、醫(yī)療電子、電力電子、國防裝備電子的更新?lián)Q代和產(chǎn)業(yè)升級。

本屆論壇以“低碳智聯(lián)·同芯共贏”為主題，除了重磅精彩的大會和主題分會20余場次活動之外，論壇設置了豐富的同期活動，并隨著行業(yè)企業(yè)需求的發(fā)展變化不斷調整完善。

據(jù)組委會透露，本屆論壇開幕大會“星光燦爛”，非常值得期待。日本名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、2014年諾貝爾物理獎獲得者天野浩，美國弗吉尼亞理工大學的大學特聘教授、美國工程院院士、美國國家發(fā)明家院士、中國工程院外籍院士Fred LEE，蔚來汽車高級副總裁曾澍湘，中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松，天馬微電子集團研發(fā)中心總經(jīng)理、Micro-LED研究院院長秦鋒等多位重量級嘉賓帶來精彩的主題報告。

目前確認開幕大會報告嘉賓有(仍有部分報告正在確認中)：

天野浩（Hiroshi Amano）諾貝爾物理獎得主、中國工程院外籍院士日本工程院院士、美國國家工程院院士日本名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授

報告主題：In pursuit of short wavelength solid state light emitter

嘉賓簡介：天野浩（Hiroshi Amano），日本名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、2014年諾貝爾物理獎獲得者。他于1983年獲得日本名古屋大學電子工程學士學位,1985年及1989年分別獲得名古屋大學電氣電子工程碩士及博士學位。天野浩教授在2014年因“發(fā)明高亮度、可實現(xiàn)節(jié)能白色光源的高效率藍色發(fā)光二極管”與赤崎勇（已故）、中村修二共同獲得諾貝爾物理學獎。天野浩教授是半導體領域國際著名學者，長期致力于氮化物半導體材料與器件研究，特別是氮化鎵材料生長和器件制備研究。他開創(chuàng)了用MOCVD制備氮化鎵基藍光LED的技術，并首次成功實現(xiàn)了p型氮化鎵，使藍光PN結電注入發(fā)光成為可能，通過AlN低溫緩沖層的引入，以及Mg摻雜和激活技術，研制出世界上第一支藍光LED原型器件，開辟了成功的技術道路，極大推動了高電光轉換效率藍光LED的最終突破，帶動了全球半導體照明的研究和開發(fā)，使半導體照明節(jié)能成為現(xiàn)實。

李澤元（Fred C. Lee）

美國國家工程院院士

美國國家發(fā)明家院士

中國工程院外籍院士

美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)特聘教授

報告主題：Is WBG a Game Changer for Power Electronics Industry

嘉賓簡介：Fred C. Lee，美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)特聘教授，美國國家工程院院士，美國國家發(fā)明家院士，中國工程院外籍院士。他也是美國國家科學基金工程研究中心（NSF ERC）的電力電子系統(tǒng)中心（CPES）創(chuàng)始人，并領導了一個包括研究、技術開發(fā)、教育推廣、行業(yè)合作和技術轉讓的項目。迄今為止，全球已有 230多家公司從該行業(yè)合作伙伴計劃中受益。他的研究興趣包括高頻功率轉換、磁學與電磁干擾、分布式電源系統(tǒng)、可再生能源、電能質量、高密度電子封裝與集成、建模與控制。在高頻電能轉換和電力電子系統(tǒng)領域做出了卓越成就。他所開創(chuàng)的軟開關技術、多相式電壓調節(jié)模塊技術均已成為現(xiàn)代電力電子的核心技術，已在全世界廣泛采用。他領導CPES基于電力電子系統(tǒng)模塊集成與自動化制造理念，研發(fā)了一系列新型電力電子集成模塊技術，在21世紀初已被電力電子工業(yè)界大量采用。曾獲得美國電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)電力電子學會最高榮譽William E. Newell電力電子獎，表彰其對電力電子，尤其是高頻電能轉換的貢獻。

曾澍湘

蔚來汽車高級副總裁

報告主題：寬禁帶半導體助推電動汽車進程

嘉賓簡介：曾澍湘先生于2015年9月加入蔚來，現(xiàn)任蔚來ES&EI高級副總裁。加入蔚來之前，曾澍湘先生于1999年進入上海通用沈陽北盛汽車有限公司工作，并先后在神龍汽車、克萊斯勒亞太投資有限公司及觀致汽車擔任采購及供應鏈核心管理崗。近二十年的跨國汽車公司采購及供應鏈管理工作經(jīng)驗使曾澍湘先生具有深厚的跨文化企業(yè)管理經(jīng)驗和全球化視野，見證和推動了中國汽車零部件供應鏈的布局和優(yōu)化進程。

柏松

中國電科集團首席專家寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任

報告主題：SiC功率MOSFET技術及應用進展

嘉賓簡介：柏松，博士，研究員，中國電科集團首席專家，寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任，國家科技重大專項、國家重點研發(fā)計劃項目和課題負責人，長期從事碳化硅電力電子器件技術研究，致力于提高碳化硅器件性能和可靠性，研制出先進的碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT。

秦鋒

天馬微電子集團研發(fā)中心總經(jīng)理天馬micro-LED研究院院長

報告主題：Micro-LED 顯示產(chǎn)業(yè)化進展與挑戰(zhàn)

嘉賓簡介：秦鋒，高級工程師，國際信息顯示學會（SID）北京分會技術委員會委員?，F(xiàn)任天馬微電子集團研發(fā)中心總經(jīng)理、天馬micro-LED研究院院長，負責顯示和智能傳感器技術開發(fā)和產(chǎn)品設計工作。承擔多項國家科研項目，申請國內外發(fā)明專利300余項，發(fā)表論文多篇。

（備注：后續(xù)會有新增重要報告嘉賓，請以最終日程為準。）

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農(nóng)業(yè)光照技術，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：柔性顯示技術產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術與產(chǎn)業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用峰會、智慧照明設計與應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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