近日，中國科學技術(shù)大學化學物理系楊金龍教授課題組胡偉團隊在二維鐵電Rashba材料領(lǐng)域取得進展，研究成果以題為“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashbasemiconductors”發(fā)表在Journal of the American Chemical Society上。

自旋電子研究的一個重要領(lǐng)域是使用晶體管中的電子自旋來傳輸和處理信息。迄今為止，在自旋邏輯、磁控自旋電子學和半導體自旋電子學領(lǐng)域，已經(jīng)做出了許多努力來操縱編碼在自旋中的信息。在 Datta 和 Das 提出的自旋場效應晶體管的開創(chuàng)性想法 30 多年后，許多實際限制仍然阻礙了晶體管的實施。由于磁性半導體需要低溫操作和外部磁場來控制自旋分布，希望找到非磁性半導體來操縱自旋電子器件中的自旋，而無需磁場和鐵磁材料的幫助。在這種情況下，一類新型的鐵電 Rashba 半導體值得進一步探索，因為可以通過非易失性電控制的鐵電極化反轉(zhuǎn)來逆轉(zhuǎn)它們的自旋分布。

圖1 Rashba效應和鐵電性在二維材料中的設計原則。

圖2 同時具有Rashba效應和鐵電性的二維半導體材料的篩選流程。

然后，課題組進行高通量密度泛函理論計算研究上述三種類型的結(jié)構(gòu)。15個A 2 P 2 X 6單層、11個ABP 2 X 6單層和47個AB單層在價帶頂或?qū)У字芯哂屑僐ashba效應。由于 AB 型是 2D 最薄的 Rashba 結(jié)構(gòu)，我們進一步研究 AB 單層，發(fā)現(xiàn) 14 個 AB 單層（AlBi、SiPb、TlP、GaSb、InSb、BBi、AlSb、GeSn、SiSn、GaAs、InAs、AlAs、InP 和 TlF ) 具有可克服的能量勢壘，這是有前途的鐵電 Rashba 半導體。特別是，二維 AlBi 單層具有最大的 Rashba 常數(shù) (2.738 eV·Å) 和相對較小的鐵電勢壘 (0.233 eV）。對于 2D 鐵電 Rashba 半導體，可以通過非易失性電控制切換鐵電極化來反轉(zhuǎn)自旋分布。因此，這個逆向設計的成果可以運用到自旋電子和邏輯器件上，例如自旋場效應管和雙極存儲器件。

Rashba常數(shù)計算和自旋分布可視化腳本已經(jīng)集成到KSSOLV軟件中（Comput. Phys. Commun.2022, 279, 108424）。楊金龍教授課題組關(guān)于Rashba效應的相關(guān)工作：Nano Lett.2020, 21, 740−746; J. Phys. Chem. Lett.2021, 12, 12256−12268; J. Phys. Chem. Lett.2021, 12, 1932−1939; RSC Adv.2020, 10, 6388−6394。

中國科學技術(shù)大學楊金龍教授和胡偉研究員為共同通訊作者，化學院學生陳佳佳為第一作者。研究工作得到了基金委、科技部和中科院等項目的資助。

文章鏈接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/jacs.2c08827

來源：中國科學技術(shù)大學