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日本東京大學開發(fā)出新一代半導體加工技術 封裝基板布線用孔降至6微米以下

日期:2022-11-16 閱讀:230
核心提示:東京大學的教授小林洋平等人攜手味之素Fine-Techno (川崎市)等,開發(fā)出了在半導體封裝基板上形成直徑6微米(微米為100萬分之1米)

東京大學的教授小林洋平等人攜手味之素Fine-Techno (川崎市)等,開發(fā)出了在半導體封裝基板上形成直徑6微米(微米為100萬分之1米)以下微細孔洞的激光加工技術。利用此次開發(fā)的技術,可在Fine-Techno的絕緣薄膜上形成布線用的微細孔洞。利用此前的技術,約40微米是極限。此次是與三菱電機、涉足激光振蕩器的Spectronix(大阪府吹田市)的聯(lián)合研究成果。(日經(jīng)中文網(wǎng))

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