由山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司聯(lián)合提出的《碳化硅少數(shù)載流子壽命測(cè)定 微波光電導(dǎo)法》和《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過(guò)，2022年11月21日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 026、T/CASAS 032。

秘書(shū)處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件（casas@casa-china.cn）。T/CASAS 026—20XX《碳化硅少數(shù)載流子壽命測(cè)定 微波光電導(dǎo)法》規(guī)定了用微波光電導(dǎo)法測(cè)定碳化硅少數(shù)載流子壽命的方法。標(biāo)準(zhǔn)適用于4~12 英寸碳化硅襯底片和碳化硅外延片。同時(shí)也適用于少數(shù)載流子壽命為20 ns~1 ms 的碳化硅晶片。

T/CASAS 032—20XX《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞元素含量的測(cè)定，測(cè)定范圍為108 cm-2~1012 cm-2。適用于4~8 英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片。同時(shí)也適用于碳化硅退火片等無(wú)圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測(cè)定。

(來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟)