由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、廈門(mén)市三安集成電路有限公司、北京大學(xué)、中興通訊股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所聯(lián)合提出的《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測(cè)量方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過(guò)，2022年11月21日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 027。

由中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、河北博威集成電路有限公司、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司、中興通訊股份有限公司、西安電子科技大學(xué)、河北北芯半導(dǎo)體科技有限公司聯(lián)合提出的《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》和《Sub-6GHz GaN 射頻器件微波特性測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過(guò)，2022年11月21日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 028、T/CASAS 029。

由中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、廈門(mén)市三安集成電路有限公司、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所聯(lián)合提出的《GaN毫米波前端芯片測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過(guò)，2022年11月21日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 030。

由中興通訊股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、廈門(mén)市三安集成電路有限公司、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)聯(lián)合提出的《面向5G基站應(yīng)用的Sub-6GHz氮化鎵功放模塊測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過(guò)，2022年11月21日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 031。

秘書(shū)處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 027—20XX《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測(cè)量方法》規(guī)定了射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸Hall測(cè)量方法，適用于遷移率量測(cè)范圍在100 cm2/V•s ~ 3000 cm2/V•s 的射頻GaN HEMT 外延片。

T/CASAS 028—20XX《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》適用于Sub-6GHz GaN 射頻器件的篩選、測(cè)試與驗(yàn)收要求。

T/CASAS 029—20XX《Sub-6GHz GaN 射頻器件微波特性測(cè)試方法》規(guī)定了Sub-6GHz GaN 射頻器件的詳細(xì)測(cè)試要求，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)研發(fā)生產(chǎn)、性能評(píng)估、量產(chǎn)測(cè)試和應(yīng)用評(píng)價(jià)等具有重要指導(dǎo)意義。

T/CASAS 030—20XX《GaN毫米波前端芯片測(cè)試方法》規(guī)定了GaN 毫米波前端模塊的術(shù)語(yǔ)、定義、測(cè)試條件、測(cè)試要求和測(cè)試方法，該標(biāo)準(zhǔn)借鑒了GJB 548B－2005（微電子器件試驗(yàn)方法和程序）等國(guó)標(biāo)的內(nèi)容，并結(jié)合了近幾年科研人員在毫米波氮化鎵前端模塊領(lǐng)域的研發(fā)、測(cè)試評(píng)估以及應(yīng)用方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，對(duì)毫米波氮化鎵前端模塊性能指標(biāo)的測(cè)試方法進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定，包括且不限于測(cè)試目的、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試方法及步驟、測(cè)試工具及儀表等。

T/CASAS 031—20XX《面向5G基站應(yīng)用的Sub-6GHz氮化鎵功放模塊測(cè)試方法》文件規(guī)定了氮化鎵功放模塊的術(shù)語(yǔ)、定義、測(cè)試條件、測(cè)試要求和測(cè)試方法，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)借鑒了3GPP TS 37.104 V16.5.0 等國(guó)標(biāo)的內(nèi)容，并結(jié)合了近幾年科研人員在氮化鎵功放領(lǐng)域的研發(fā)、測(cè)試評(píng)估以及應(yīng)用方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，對(duì)氮化鎵功放性能指標(biāo)的測(cè)試方法進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定，包括且不限于測(cè)試目的、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試方法及步驟、測(cè)試工具及儀表等。