2023年2月7-10日（7日報(bào)到），第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，射頻電子材料與器件技術(shù)分會作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新日程出爐?。?/p>
第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動通信等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。GaN 已成為射頻功率應(yīng)用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競爭對手，其性能和可靠性不斷提高且成本不斷降低。
據(jù)組委會透露，作為IFWS 2022的重要分會之一，“射頻電子材料與器件分會”將于2月10日08:30-12:00召開。該分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其芯片設(shè)計(jì)及在移動通信中的應(yīng)用等各方面，得到了英諾賽科、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司等單位的協(xié)辦支持。同時(shí)，由中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家陳堂勝，中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻，日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授敖金平，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇，中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任馮志紅，中興通訊股份有限公司無線射頻總工劉建利等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。
屆時(shí)，該分會將有：澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授Sourabh KHANDELWAL，南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理錢峰，復(fù)旦大學(xué)教授黃偉，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁裴軼，南京理工大學(xué)副教授黃同德，日本京都大學(xué)教授Naoki SHINOHARA，中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理杜鵬搏，山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員崔鵬，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總經(jīng)理黃鑫，西安電子科技大學(xué)王鵬飛等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞射頻電子材料與器件技術(shù)分享主題報(bào)告。目前該分會日程已經(jīng)出爐，詳情如下：
【部分嘉賓簡介】
陳堂勝
中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
陳堂勝，1986年、1989年畢業(yè)于西安交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，分別獲學(xué)士和碩士學(xué)位，1989年到南京電子器件研究所參加工作至今，長期從事GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體微波功率器件和單片電路的研制，現(xiàn)為中國電子科技集團(tuán)公司制造工藝領(lǐng)域首席科學(xué)家，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。
張乃千
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長
張乃千，1995年清華大學(xué)電子工程系本科畢業(yè)，2002年在加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校獲得電子工程博士學(xué)位。博士畢業(yè)后，張乃千選擇了于工業(yè)界發(fā)展，進(jìn)入了當(dāng)時(shí)全球最大的射頻半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家RFMD公司。在RFMD任職期間張乃千擔(dān)任了公司氮化鎵HEMT專業(yè)指導(dǎo)委員會委員，并因RF3800系列產(chǎn)品的開發(fā)獲得公司“突出貢獻(xiàn)(Spotlight)”獎。他于2007年回國創(chuàng)辦了能訊半導(dǎo)體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導(dǎo)體氮化鎵電子器件設(shè)計(jì)與制造商業(yè)企業(yè)，自主進(jìn)行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。張乃千是美國電子工程師協(xié)會（IEEE）會員，曾擔(dān)任其核心雜志IEEE EDL的審稿人。他也是華美半導(dǎo)體協(xié)會理事。
Sourabh Khandelwal
澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授
Sourabh Khandelwal，澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授，Khandelwal博士在麥格理大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)一個(gè)充滿活力的研究小組，專注于半導(dǎo)體器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ASM-HEMT模型的主要作者。他撰寫了150多篇論文，并出版了3本關(guān)于GaN、FDSOI和FinFET技術(shù)的書籍。在此之前，Khandelwal博士曾在加州大學(xué)伯克利分校的BSIM小組和IBM半導(dǎo)體研究中心工作。
Naoki Shinohara
日本京都大學(xué)教授
Naoki Shinohara，日本京都大學(xué)教授。他于1996年獲得了日本京都大學(xué)博士學(xué)位，并先后在京都大學(xué)的空間射頻研究中心和人類生存圈研究所從事太陽能衛(wèi)星和無線能量傳輸?shù)确较虻难芯浚芯款I(lǐng)域包括無線電力傳輸、微波電力傳輸和太陽能電力衛(wèi)星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等協(xié)會會員，并作為IEEE杰出演講人在世界多個(gè)知名高校展開以"無線能量傳輸"為主題的講座。
錢 峰
南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理
錢峰，南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理。研究員級高級工程師。1993年6月至2001年12月,歷任中國電科五十五所一部二室助理工程師、工程師;2001年12月至2006年6月,歷任中國電科五十五所一中心高級工程師、研究員級高級工程師;2006年6月至2011年3月,歷任中國電科五十五所集成電路設(shè)計(jì)部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任國博有限副總經(jīng)理;2012年2月至2015年3月,任中國電科五十五所單片電路設(shè)計(jì)部主任;2015年3月至2018年9月,任中國電科五十五所副總工程師;2018年9月至2020年12月,任國博有限副總經(jīng)理;2020年12月至今,任南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理。
裴 軼
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁
裴軼，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁。帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)開展氮化鎵技術(shù)研發(fā)，解決芯片產(chǎn)品規(guī)?；a(chǎn)的瓶頸，構(gòu)建公司完整的技術(shù)研發(fā)體系，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)申請發(fā)明專利400余項(xiàng)。成功建成國內(nèi)第一條具有國際水平的民用氮化鎵電子生產(chǎn)線，填補(bǔ)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)空白，培養(yǎng)出100余名優(yōu)秀產(chǎn)業(yè)人才。承擔(dān)多項(xiàng)國家級重大技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目，開發(fā)5G移動通信用氮化鎵射頻芯片，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展打開了新的空間。2022年5月，被授予第17屆“江蘇青年五四獎?wù)?rdquo;。
黃 鑫
北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁
黃鑫，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁。西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)碩士，十五年4G/5G/IoT無線通信芯片研發(fā)、規(guī)劃、推廣經(jīng)驗(yàn)?，F(xiàn)任昂瑞微副總裁，負(fù)責(zé)整個(gè)公司的戰(zhàn)略發(fā)展，產(chǎn)品定位和公共關(guān)系等。主導(dǎo)定義了十余款4G/5G射頻前端芯片，包括：L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射頻前端模組?？蛻舭s耀、小米、三星、中興、摩托羅拉、諾基亞等國內(nèi)外知名品牌。用于5G手機(jī)終端的射頻前端芯片，已在國內(nèi)一線手機(jī)廠商實(shí)現(xiàn)超七千萬顆的規(guī)模出貨。
崔 鵬
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院 研究員
崔鵬，山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院 研究員。2018年6月獲山東大學(xué)微電子學(xué)院博士學(xué)位。2018年7月至2021年7月在美國University of Delaware電子與計(jì)算機(jī)工程系從事博士后研究。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體器件制備與研究，在低功耗器件、射頻器件、功率放大器線性度等方面取得了一些較有影響力的國際指標(biāo)性成果：首次在氮化鎵（GaN）高電子遷移率場效應(yīng)晶體管（無柵介質(zhì)層）上實(shí)現(xiàn)亞閾值擺幅低于理論極限，其亞閾值擺幅可達(dá)到30 mV/dec, 為目前報(bào)道的無柵介質(zhì)的GaN HEMT最低值，促進(jìn)了GaN開關(guān)器件的功耗降低和尺寸縮?。恢苽涑鰢H最高功率截止頻率特性的GaN-on-Si 器件，其功率截止頻率可達(dá)到270 GHz；研發(fā)的硅基InAlN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)晶體管以國際最高的柵長頻率乘積值，被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分別報(bào)道；首次確立極化庫侖場散射與GaN HEMT器件線性度的關(guān)聯(lián)關(guān)系，建立器件層級提高GaN功率放大器線性度的可行性方案。迄今為止,在本領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等發(fā)表論文50余篇，其中第一作者SCI論文20篇，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利5項(xiàng)。
黃同德
南京理工大學(xué)副教授
黃同德，南京理工大學(xué)副教授。研究方向包括化合物微波集成電路芯片（MMIC）；CMOS毫米波集成電路芯片；微波器件物理與仿真模型建立。包括功率放大器，混頻器，低噪聲放大器，本振信號源等,應(yīng)用目標(biāo)為雷達(dá)制導(dǎo)探測，5G毫米波通信等前端系統(tǒng)；有源無源高頻器件建模，服務(wù)于芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)優(yōu)化。主持及參與科研項(xiàng)目包括江蘇省科技廳重點(diǎn)項(xiàng)目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”；國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“新型高性能納秒級恢復(fù)時(shí)間氮化鎵低噪聲放大器研究”；留學(xué)人員科技創(chuàng)新項(xiàng)目擇優(yōu)資助(B類)，“毫米波氮化鎵集成收發(fā)前端芯片研發(fā)”等。目前已發(fā)表SCI和EI學(xué)術(shù)論文26余篇，其中以第一作者身份在相關(guān)領(lǐng)域國際頂級期刊IEEE Trans.和Letters上發(fā)表論文10篇，五年內(nèi)論文被引用273次，單篇最高他引次數(shù)為52次，所發(fā)表成果兩次被國際權(quán)威半導(dǎo)體期刊《Semiconductor Today》專題重點(diǎn)報(bào)道.
杜鵬搏
中國電科十三所正高級工程師
河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理
杜鵬搏，中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理，中國電科十三所MMIC芯片領(lǐng)域?qū)＜遥颖笔∏嗄臧渭馊瞬拧Ｖ饕獜氖挛⒉?毫米波集成電路設(shè)計(jì)、測試及可靠性研究。多項(xiàng)研究成果達(dá)到國際先進(jìn)水平，先后承擔(dān)國家重大項(xiàng)目10余項(xiàng)，發(fā)表相關(guān)論文10多篇，申請專利7項(xiàng)。獲得中國電科科學(xué)技術(shù)獎一等獎2項(xiàng)、三等獎2項(xiàng)，國防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎2項(xiàng)、三等獎1項(xiàng)。
黃 偉
復(fù)旦大學(xué)教授
黃偉，復(fù)旦大學(xué)教授。畢業(yè)于北京大學(xué)，獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位，先后在香港科技大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)第五十八研究所從事兩站博士后研究，長期從事射頻、功率半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)研究與產(chǎn)品開發(fā)，先后主持及承擔(dān)過國家自然科學(xué)基金、國防預(yù)研、國防新品等項(xiàng)目。擁有海外知名半導(dǎo)體公司芯片研發(fā)和作為創(chuàng)始人創(chuàng)立高科技企業(yè)等經(jīng)歷。先后在IEDM、IEEE EDL、IEEE TED等專業(yè)期刊發(fā)表30余篇文章，獲得省部級技術(shù)發(fā)明獎一項(xiàng)，出版專著一部，主持研制的半導(dǎo)體芯片多次獲得省部級高新產(chǎn)品稱號。曾獲得國家外專局人才引智計(jì)劃等。
（備注：后續(xù)會有新增，請以最終日程為準(zhǔn)。）
附件：
論壇信息
會議時(shí)間：2023年2月7日-10日（7日報(bào)到）
會議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會
主席：
張 榮——廈門大學(xué)黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明——中科院院士、復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
李晉閩——中國科學(xué)院特聘研究員
張國義——北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
徐 科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
張 波——電子科技大學(xué)教授
陳 敬——香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員
張清純——復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
張玉明——西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長、教授
王德君——大連理工大學(xué)教授
袁 俊——九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家
F2-氮化物半導(dǎo)體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學(xué)教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
陳堂勝——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學(xué)教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
劉 揚(yáng)——中山大學(xué)教授
孫 錢——中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
蔡樹軍——中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長
張 韻——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授
于洪宇——南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
F3-功率電子應(yīng)用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學(xué)動力與機(jī)械學(xué)院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學(xué)動力與機(jī)械學(xué)院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授
李世瑋——香港科技大學(xué)教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學(xué)教授
羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動力工程學(xué)院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學(xué)教授
王來利——西安交通大學(xué)教授
樊嘉杰——復(fù)旦大學(xué)青年研究員
姜 克——安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
陶緒堂——山東大學(xué)講席教授
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
a.碳化硅襯底材料生長與加工
召集人
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員
孫國勝——中科院半導(dǎo)體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延
召集人：
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官
c.超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學(xué)講席教授
龍世兵——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授
張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授
單崇新——鄭州大學(xué)副校長、教授
王新強(qiáng)——北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長
王宏興——西安交通大學(xué)教授
葉建東——南京大學(xué)教授
劉玉懷——鄭州大學(xué)教授
韓根全——西安電子科技大學(xué)教授
d.生長、加工裝備與量測設(shè)備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家
F5-半導(dǎo)體照明與光電融合技術(shù)
主題分論壇主席：
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
云 峰——西安交通大學(xué)教授
羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動力工程學(xué)院院長、教授
伊?xí)匝?mdash;—中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學(xué)教授
汪 萊——清華大學(xué)電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學(xué)教授
張建立——南昌大學(xué)研究員
b.半導(dǎo)體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員
張保平——廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授
莫慶偉——老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家
劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員
F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學(xué)光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授
楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
劉 鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授
a.光品質(zhì)與光健康
召集人
羅 明——浙江大學(xué)光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授
郝洛西——同濟(jì)大學(xué)建筑與城市規(guī)劃學(xué)院教授、國際照明學(xué)會（CIE）副主席
林燕丹——復(fù)旦大學(xué)教授
熊大曦——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員
牟同升——浙江大學(xué)教授
魏敏晨——香港理工大學(xué)副教授
蔡建奇——中國標(biāo)準(zhǔn)化研究院視覺健康與安全防護(hù)實(shí)驗(yàn)室主任、研究員
劉 強(qiáng)——武漢大學(xué)顏色科學(xué)與圖像傳播研究所所長、副教授
b.光醫(yī)療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學(xué)伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任
王彥青——復(fù)旦大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院教授
崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學(xué)教授
董建飛——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員
陳德福——北京理工大學(xué)醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授
馬驍宇——中科院半導(dǎo)體研究所研究員
陳雄斌——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
田朋飛——復(fù)旦大學(xué)副研究員
李國強(qiáng)——華南理工大學(xué)教授
林維明——福州大學(xué)教授
房玉龍——中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員
d.生物與農(nóng)業(yè)光照
召集人：
楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
唐國慶——中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理
劉 鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授
泮進(jìn)明——浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學(xué)教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長
F7-新型顯示材料及應(yīng)用
主題分論壇主席：
嚴(yán) 群——福州大學(xué)教授
孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴(yán) 群——福州大學(xué)教授
王新強(qiáng)——北京大學(xué)東莞光電研究院院長、北京大學(xué)教授
閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
黃 凱——廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授
馬松林——TCL集團(tuán)工業(yè)研究院副院長
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團(tuán)股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學(xué)研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
趙德剛——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點(diǎn)及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學(xué)教授
徐 征——北京交通大學(xué)教授
段 煉——清華大學(xué)教授
鐘海政——北京理工大學(xué)教授
F8-固態(tài)紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學(xué)教授
王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任
a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件
b.紫外探測材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學(xué)教授
王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學(xué)教授
陳長清——華中科技大學(xué)教授
郭浩中——臺灣交通大學(xué)特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學(xué)副教授
許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授
日程安排
注冊權(quán)益收費(fèi)表
備注：
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報(bào)到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會。
＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。
*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
論壇線上注冊平臺
IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊通道
*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個(gè)人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報(bào)名、分享海報(bào)等等。
*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進(jìn)/出蘇州不再查驗(yàn)核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場參會。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報(bào)到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
