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直擊前沿 | IFWS 前瞻:碳化硅功率電子器件分論壇日程重磅出爐

日期:2023-01-30 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:1614
核心提示:碳化硅作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比,碳化硅的禁帶寬度更大,碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的

 碳化硅作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比,碳化硅的禁帶寬度更大,碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度,抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的10倍,其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度,與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率;同時(shí),碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等一些重要領(lǐng)域也展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì),但碳化硅功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)。

碳化硅功率電子器件

一年一度行業(yè)盛會(huì),第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA )將于2023年2月7-10日(7日?qǐng)?bào)到)在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開(kāi)。作為IFWS的重要分會(huì)之一,該分會(huì)由勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)(北京)有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線(xiàn)科技有限公司、蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、深圳市先進(jìn)連接科技有限公司協(xié)辦支持。

屆時(shí),將由浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況教授和復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純教授共同主持,奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長(zhǎng)Tibor GRASSER教授,德國(guó)弗勞恩霍夫研究所研究員Eckart HOENE,國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司教授級(jí)高工楊霏,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮,浙江大學(xué)特聘研究員任娜,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實(shí),復(fù)旦大學(xué)研究員雷光寅,東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng),江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超,西安電子科技大學(xué)副教授孫樂(lè)嘉,南京芯干線(xiàn)科技有限公司董事長(zhǎng)兼CTO傅玥,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員鄭理,賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖,武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員張召富,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所劉奧等科研院所知名專(zhuān)家、學(xué)者和知名企業(yè)代表共同參與,將圍繞碳化硅功率電子器件前沿技術(shù)分享主題報(bào)告。

目前該分會(huì)日程已經(jīng)出爐,詳情如下:

 

技術(shù)分論壇:碳化硅功率電子器件

Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices

時(shí)間:2023年2月9日13:30-18:05

地點(diǎn):蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6

Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05

Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6

協(xié)辦支持/Co-organizer:

勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)(北京)有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd.

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd

江蘇博睿光電股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

南京芯干線(xiàn)科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd.

蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

深圳市先進(jìn)連接科技有限公司/ Shenzhen Advancde Joining Technology Co.,Ltd.

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

盛  況 / SHENG Kuang

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University

張清純 / Jon Zhang

復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任

Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices

13:30-13:50

Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs

Tibor GRASSER——奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長(zhǎng)、教授

Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria

13:50-14:10

6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用

Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers

楊霏——北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師

YANG Fei——Deputy Chief Engineer, Power Semiconductor Institute, Beijing Intelligent Energy Research Institute

14:10-14:30

SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)

Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment

鞏小亮——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任

Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

14:30-14:50

 

1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究

Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness

任娜——浙江大學(xué)特聘研究員

REN Na——Professor of Zhejiang University

14:50-15:10

等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field

謝秋實(shí)——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理

XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.

15:10-15:25

比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET

1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2

雷光寅——復(fù)旦大學(xué)副研究員

LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University

15:25-15:40

茶歇 / Coffee Break

15:40-16:00

Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next?

Eckart HOENE——德國(guó)弗勞恩霍夫研究所研究員

Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany

16:00-16:20

電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測(cè)表征方法

Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress

劉斯揚(yáng)——東南大學(xué)教授

LIU Siyang——Professor of Southeast University

16:20-16:40

面向功率器件的高性能

High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices

梁超——江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理

LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

16:40-17:00

SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究

Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications

孫樂(lè)嘉——西安電子科技大學(xué)副教授

SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University

17:00-17:20

GaN  HEMT與SIC  MOSFET在戶(hù)用儲(chǔ)能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET

傅玥——南京芯干線(xiàn)科技有限公司董事長(zhǎng)兼CTO

General Manger and CTO of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd.

17:20-17:35

 

SiC功率器件高效無(wú)毒的界面改性

Efficient and non-toxic interface modification of SiC

鄭理——中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員

ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences

17:35-17:50

Condura.ultraTM無(wú)銀AMB氮化硅基板---車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊用高性?xún)r(jià)比解決方案  

Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module

張靖——賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)

ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics

17:50-18:05

4H-SiC MOSFET中界面碳團(tuán)簇的形成和遷移率退化機(jī)理

Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs

張召富——武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員

ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

18:05-18:20

SiC MOSFET熱阻精確測(cè)量技術(shù)研究

Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET

劉奧——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所

LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute

 

備注:日程或有微調(diào),最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

【部分嘉賓簡(jiǎn)介】

盛  況

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、求是特聘教授

浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)

盛況,浙江大學(xué)求是特聘教授,博士生導(dǎo)師,浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng),浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)。長(zhǎng)期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究,包括芯片設(shè)計(jì)與工藝、器件封裝與測(cè)試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車(chē)、工業(yè)電機(jī)、各類(lèi)電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用,2009年回國(guó)創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實(shí)驗(yàn)室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是國(guó)內(nèi)較早開(kāi)展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團(tuán)隊(duì)。

團(tuán)隊(duì)承擔(dān)了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個(gè)國(guó)家級(jí)、省部級(jí)和橫向合作項(xiàng)目,包括國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)、國(guó)家863主題項(xiàng)目及課題、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點(diǎn)項(xiàng)目等十余項(xiàng),在器件理論、芯片研制、器件封測(cè)和應(yīng)用方面取得了一些成果,包括最早報(bào)道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在國(guó)內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)等。團(tuán)隊(duì)也和國(guó)內(nèi)外著名企業(yè)開(kāi)展合作推進(jìn)成果的產(chǎn)業(yè)化。相關(guān)的成果在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊及會(huì)議發(fā)表論文200余篇,引用次數(shù)2700次以上,獲授權(quán)專(zhuān)利20余項(xiàng)(40余項(xiàng)申請(qǐng)中),2010年獲浙江省自然科學(xué)二等獎(jiǎng),2019年獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)等。

張清純

復(fù)旦大學(xué)特聘教授

上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任

張清純,復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任。長(zhǎng)期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。迄今撰寫(xiě)過(guò)100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)V?;多次受邀在?guó)際碳化硅、功率半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)會(huì)議上作大會(huì)報(bào)告;作為第一和合作發(fā)明人,擁有75多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利;多次擔(dān)任ISPSD技術(shù)委員會(huì)成員和碳化硅器件分會(huì)主席;曾任國(guó)際電力電子技術(shù)路線(xiàn)圖研討會(huì)聯(lián)合主席等。研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體物理與器件;寬帶半導(dǎo)體器件物理、工藝、測(cè)試、產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用;器件模擬及仿真;電力系統(tǒng)。

Eckart HOENE

德國(guó)弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所負(fù)責(zé)人、研究員

楊霏

北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師

楊霏,博士,教授級(jí)高工,北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師。長(zhǎng)期從事高壓碳化硅器件研制及生產(chǎn)條件建設(shè),主持研制出1200V、6500V系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品以及18kV碳化硅IGBT。主持863項(xiàng)目1項(xiàng)、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目2項(xiàng),北京市和國(guó)網(wǎng)公司科技項(xiàng)目20余項(xiàng)。授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利32項(xiàng),發(fā)表論文45篇,制訂碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)6項(xiàng)。

鞏小亮

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任

鞏小亮,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任。電科裝備第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)專(zhuān)家。長(zhǎng)期從事第三代半導(dǎo)體制造裝備技術(shù)研究與產(chǎn)業(yè)化,重點(diǎn)致力于大尺寸SiC外延生長(zhǎng)設(shè)備開(kāi)發(fā),承擔(dān)了國(guó)家863計(jì)劃、湖南省科技重大專(zhuān)項(xiàng)等項(xiàng)目,發(fā)表論文10余篇,授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利6項(xiàng),牽頭制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng),獲中國(guó)電科科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、中國(guó)電科“十大青年拔尖人才”等獎(jiǎng)勵(lì),正牽頭承擔(dān)第三代半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域國(guó)家、省部級(jí)重大工程項(xiàng)目。

謝秋實(shí)

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理

謝秋實(shí),北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理。主持開(kāi)發(fā)了針對(duì)先進(jìn)封裝、功率器件、MEMS、化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域多款刻蝕設(shè)備,市場(chǎng)占有率在國(guó)內(nèi)名列前茅。謝經(jīng)理畢業(yè)于北京大學(xué)物理系及慕尼黑工業(yè)大學(xué)肖特基研究所。擁有半導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域論文3篇,授權(quán)專(zhuān)利15篇。

雷光寅

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長(zhǎng)

復(fù)旦大學(xué)研究員

雷光寅,博士、特聘研究員,復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長(zhǎng),主要負(fù)責(zé)研究所科技研發(fā)、科技服務(wù)的日常管理工作,同時(shí)還兼任復(fù)旦大學(xué)研究員。其長(zhǎng)期從事功率半導(dǎo)體器件、封裝及可靠性評(píng)估研究,包括新型電子封裝材料、功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)、集成化功率模塊封裝工藝開(kāi)發(fā)、半導(dǎo)體模塊可靠性及失效機(jī)理分析等。雷光寅博士具有新材料開(kāi)發(fā)、電子模塊設(shè)計(jì)15年以上工作經(jīng)驗(yàn)。2018-2020年,擔(dān)任上海蔚來(lái)汽車(chē)有限公司電動(dòng)力工程部技術(shù)專(zhuān)家,全面負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)先進(jìn)電機(jī)控制系統(tǒng)在新能源車(chē)中的應(yīng)用;2010-2018年,擔(dān)任美國(guó)密西根州福特汽車(chē)公司技術(shù)研發(fā)中心電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)部資深研發(fā)工程師,負(fù)責(zé)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電機(jī)控制器以及功率模塊的開(kāi)發(fā)。迄今在IEEE Transactions on Power Electronics等高水平期刊發(fā)表SCI論文17篇,總引次數(shù)超過(guò)1500次。近五年獲美國(guó)、歐洲、中國(guó)授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利17項(xiàng)。在國(guó)外學(xué)習(xí)工作期間,領(lǐng)導(dǎo)參與了五個(gè)大型研發(fā)項(xiàng)目?;貒?guó)工作后,當(dāng)選2018年度第八屆上海QR(創(chuàng)新長(zhǎng)期)。

劉斯揚(yáng)

東南大學(xué)教授

劉斯揚(yáng),東南大學(xué)教授,博導(dǎo),長(zhǎng)期致力于功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)理論及關(guān)鍵技術(shù)的研究。入選國(guó)家高層次人才、江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程—中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人,東南大學(xué)至善青年學(xué)者(A層次)。主要從事功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及可靠性研究,主持國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、江蘇省自然科學(xué)基金等項(xiàng)目12項(xiàng)。在IEEE TIE、TPE、EDL、TED等國(guó)際權(quán)威期刊發(fā)表SCI論文92篇(其中第一作者28篇),在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂會(huì)ISPSD等國(guó)際會(huì)議發(fā)表論文15篇(其中第一作者8篇),獲美國(guó)專(zhuān)利3項(xiàng)、中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利32項(xiàng)。研究成果獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng),教育部技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。

梁  超

江蘇博睿光電有限公司副總經(jīng)理

梁超,博士,研究員高工,江蘇博睿光電副總經(jīng)理。先后入選“江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計(jì)劃高層次創(chuàng)新領(lǐng)軍人才;獲江蘇省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、南京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)等。主要研究方向第三代半導(dǎo)體光電材料,在發(fā)光材料方向開(kāi)發(fā)出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個(gè)色系熒光粉,為高光品質(zhì)照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐;研究并開(kāi)發(fā)出具有高導(dǎo)熱系數(shù)的AlN陶瓷基板及配套關(guān)鍵技術(shù)。共申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利68件,授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利54件(3件PCT專(zhuān)利分別于美國(guó)、韓國(guó)獲得授權(quán)),發(fā)表SCI收錄論文7篇,EI收錄論文6篇。

孫樂(lè)嘉

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院副教授

孫樂(lè)嘉,西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院,副教授,IEEE member,2008年畢業(yè)于西北工業(yè)大學(xué),獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位,2011年先后于西安交通大學(xué)獲得工學(xué)碩士、工學(xué)博士學(xué)位。主要研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體脈沖功率器件與應(yīng)用共性技術(shù)、基于寬禁帶半導(dǎo)體的電力電子系統(tǒng)以及電源管理集成電路等相關(guān)研究。主持/參與國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)防領(lǐng)域重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等多項(xiàng)課題。在IEEE T-PEL、IEEE EDL、IEEE T-ED、IET-PE、SST等國(guó)際權(quán)威期刊發(fā)表SCI檢索論文20余篇,授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利30余項(xiàng)。

傅 玥

南京芯干線(xiàn)科技有限公司董事長(zhǎng)兼CTO

傅玥,南京芯干線(xiàn)科技有限公司董事長(zhǎng)兼CTO。擁有20年功率半導(dǎo)體研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),IEEE高級(jí)會(huì)員;2023 IEEE ISPSD(全球最權(quán)威的功率器件會(huì)議)高壓器件(HV Track)技術(shù)委員會(huì)主席;2022 IEEE ISPSD(全球最權(quán)威的功率器件會(huì)議)執(zhí)行委員會(huì)(Executive Committee)委員及高壓器件(HV Track)技術(shù)委員會(huì)主席;2018 IEEE APEC(全球最權(quán)威電源會(huì)議)分會(huì)主席(Section Chair)。

張召富

武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員

張召富,香港科技大學(xué)博士,劍橋大學(xué)博士后,2022年起任武漢大學(xué)研究員。2018 年畢業(yè)于香港科技大學(xué),獲得博士學(xué)位;2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授(應(yīng)該皇家科學(xué)院 / 工程院雙院士)課題組擔(dān)任博士后。主要研究方向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料與器件,具有豐富的第一性原理計(jì)算模擬和器件設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn), 已經(jīng)在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊發(fā)表 SCI 期刊論文 100 余篇,包括一作 / 通訊作者文章 50 余篇;以一作者發(fā)表國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議論文 18 篇,包括電子器件領(lǐng)域國(guó)際最頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議論文 IEDM 1 篇和特邀報(bào)告 2 篇;參與撰寫(xiě) Wiley 英文專(zhuān)著 1 章;谷歌學(xué)術(shù) h-index 為 25 ,引用 2000 余次。擔(dān)任多個(gè)期刊青年編委和審稿人。

劉  奧

中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所高級(jí)工程師

劉奧,中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所高級(jí)工程師。長(zhǎng)期從事碳化硅電力電子器件研制及應(yīng)用的相關(guān)工作。參與國(guó)內(nèi)多項(xiàng)碳化硅電子電子器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的制定,多次承擔(dān)有關(guān)碳化硅器件研發(fā)及應(yīng)用的國(guó)家重大項(xiàng)目、在國(guó)際刊物上發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文,發(fā)表多項(xiàng)相關(guān)專(zhuān)利。

張 靖

賀利氏電子(中國(guó)區(qū))研發(fā)總監(jiān)

張靖博士,賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)。張靖博士畢業(yè)于荷蘭代爾夫特理工大學(xué),專(zhuān)注于高功率電子封裝工藝以及可靠性的研究。研究領(lǐng)域主要集中在第三代半導(dǎo)體器件先進(jìn)封裝技術(shù)與可靠性評(píng)估方面。多項(xiàng)項(xiàng)目成果已被應(yīng)用到相關(guān)產(chǎn)業(yè)當(dāng)中,包括新能源汽車(chē),高鐵,半導(dǎo)體照明等。張靖博士任IEEE封裝學(xué)會(huì)(EPS)荷比盧分會(huì)首任創(chuàng)會(huì)主席,國(guó)際寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖委員會(huì)(ITRW)執(zhí)行秘書(shū),并任封裝分會(huì)委員。張靖博士同時(shí)擔(dān)任上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心技術(shù)委員會(huì)委員,第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟青年委員會(huì)委員,中國(guó)第三代半導(dǎo)體路線(xiàn)圖委員會(huì)封裝分會(huì)委員,納米燒結(jié)材料標(biāo)準(zhǔn)制定委員會(huì)成員。他還擔(dān)任復(fù)旦大學(xué)校外碩士研究生導(dǎo)師。張靖博士參與的歐盟項(xiàng)目ESiP曾獲歐盟ENIAC Innovation Award。

任  娜

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師

任娜,浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師。2010~2015年期間博士就讀于浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院,2016~2019年期間在美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校做博士后。2010-2021年,十一年期間一直致力于碳化硅(SiC)電力電子器件的相關(guān)研究,其中包括器件物理機(jī)制、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、芯片研制、器件測(cè)試與失效分析、性能與可靠性?xún)?yōu)化等方向,并取得了一系列研究成果。在器件領(lǐng)域國(guó)際知名期刊與會(huì)議上共發(fā)表約60篇論文,其中SCI論文32篇,獲得了3項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利和2項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán),正在申請(qǐng)10多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利和10多項(xiàng)中國(guó)專(zhuān)利,并獲得2020年Materials期刊杰出論文獎(jiǎng)、2017年APEC學(xué)術(shù)會(huì)議杰出報(bào)告獎(jiǎng)、2021年IEEE Wipda Asia會(huì)議杰出論文獎(jiǎng)。

2020年3月雙聘至浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院,并入選2020年浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心青年人才卓越計(jì)劃,在團(tuán)隊(duì)帶頭人的指導(dǎo)下主持建成浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心全套6英寸SiC芯片工藝線(xiàn)。領(lǐng)導(dǎo)工程師團(tuán)隊(duì)與學(xué)生團(tuán)隊(duì),基于該6寸SiC芯片工藝線(xiàn)開(kāi)展碳化硅功率器件的研發(fā)工作,并積極與國(guó)內(nèi)外企業(yè)合作開(kāi)發(fā)碳化硅產(chǎn)品技術(shù),合作企業(yè)包括國(guó)網(wǎng)、華為、華潤(rùn)、中芯紹興、中電科55所等等。

鄭  理

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員

鄭理,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 研究員,上海市青聯(lián)委員。長(zhǎng)期從事硅基化合物半導(dǎo)體界面調(diào)控和器件制備等研究工作,在硅基GaN界面改性及HEMT器件研制、SiC原位界面重構(gòu)及MOSFET器件研制和Si/PbS量子點(diǎn)界面量子阱能帶自適應(yīng)機(jī)制構(gòu)建等方面開(kāi)展了系列工作。發(fā)表 SCI 收錄論文60余篇,其中部分工作以第一/通訊作者在Nature Communications、IEEE Electron Device Letters等權(quán)威期刊發(fā)表,授權(quán)專(zhuān)利20余件。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人主持國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、上海市創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃和中科院項(xiàng)目等。先后入選/榮獲中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)特別獎(jiǎng)(2016)、上海市青年科技英才揚(yáng)帆計(jì)劃(2017)、中國(guó)科學(xué)院優(yōu)博(2018)、中國(guó)電子教育學(xué)會(huì)優(yōu)博(2018)、上海市青聯(lián)委員(2019)、中國(guó)青科協(xié)會(huì)員(2020)、中科院青促會(huì)(2020)、上海市青年五四獎(jiǎng)?wù)拢?021)、上海市青年科技啟明星計(jì)劃(2021)、上海市科技青年35人引領(lǐng)計(jì)劃(2021)、全國(guó)青年崗位能手(2022)和“振新杯”全國(guó)青年職業(yè)技能大賽金獎(jiǎng)等。

備注:以上嘉賓簡(jiǎn)介未經(jīng)其本人確認(rèn),僅供參考。

【關(guān)于協(xié)辦單位介紹】

》勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)(北京)有限公司

愛(ài)思唯爾是全球信息與分析領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,幫助科研和醫(yī)學(xué)專(zhuān)業(yè)人員推動(dòng)科學(xué)發(fā)展、改善醫(yī)療成果從而造福社會(huì)。140多年以來(lái),我們一直致力于與科研與醫(yī)學(xué)專(zhuān)業(yè)人員合作,支持他們更高效地開(kāi)展工作。從學(xué)術(shù)出版起家,愛(ài)思唯爾提供知識(shí)資源和分析服務(wù),幫助我們的用戶(hù)取得科研突破,推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。我們?cè)趹?zhàn)略研究管理、研發(fā)表現(xiàn)、臨床決策支持和醫(yī)學(xué)教育領(lǐng)域提供數(shù)字化解決方案,包括ScienceDirect, Scopus, SciVal, ClinicalKey 和Sherpath。愛(ài)思唯爾是勵(lì)訊集團(tuán)(RELX)的成員之一,勵(lì)訊集團(tuán)(RELX)為全球?qū)I(yè)人士和商業(yè)客戶(hù)提供科學(xué)、醫(yī)療、法律和商業(yè)領(lǐng)域信息分析服務(wù)及決策工具。

愛(ài)思唯爾在2021年與中科院產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略院合作在中科院院刊上發(fā)表了有關(guān)中美互聯(lián)網(wǎng)科研產(chǎn)出分析文章,被70多家國(guó)內(nèi)媒體轉(zhuǎn)載,并得到國(guó)務(wù)院政策辦關(guān)注,從而研究中國(guó)高科技企業(yè)在內(nèi)部創(chuàng)新環(huán)境優(yōu)化支持。愛(ài)思唯爾從全球最大的學(xué)術(shù)出版社到科研信息分析服務(wù)的轉(zhuǎn)變,希望可以為中國(guó)企業(yè)科學(xué)家提供更多全球先進(jìn)的科研工具及數(shù)據(jù),加速企業(yè)創(chuàng)新速度,強(qiáng)化企業(yè)科研能力。

》中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所(以下簡(jiǎn)稱(chēng)48所)又名“長(zhǎng)沙半導(dǎo)體 工藝設(shè)備研究所”,成立于1964年5月,隸屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司?,F(xiàn) 有科研生產(chǎn)人員近1000人,其中享受?chē)?guó)務(wù)院政府特殊津貼專(zhuān)家29人,研究員 33人。

48所技術(shù)力量雄厚,專(zhuān)業(yè)門(mén)類(lèi)齊全,是國(guó)內(nèi)唯一從事以三束(離子束、電子 束、分子束)為主的軍民兩用型骨干科研生產(chǎn)單位,產(chǎn)品包括第三代半導(dǎo)體裝備 以及集成電路裝備、光伏電池裝備、磁性材料裝備、冶金材料裝備、特種傳感器與系統(tǒng),并具備裝備整線(xiàn)集成能力。產(chǎn)品銷(xiāo)售覆蓋含香港、臺(tái)灣在內(nèi)的全國(guó)29個(gè) 省市、特區(qū),出口到美國(guó)、德國(guó)、法國(guó)、西班牙、俄羅斯、澳大利亞、埃及、土 耳其等20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。

48所擁有國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(湖南)、國(guó)防科技工業(yè)有源層優(yōu) 化生長(zhǎng)創(chuàng)新中心、國(guó)家光伏裝備工程技術(shù)研究中心、中國(guó)-埃及可再生能源國(guó)家聯(lián) 合實(shí)驗(yàn)室等5個(gè)國(guó)家級(jí)平臺(tái)和博士后科研工作站,取得重大科研成果380余項(xiàng),其 中填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白148項(xiàng)、達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平138項(xiàng)、列為國(guó)家替代進(jìn)口119項(xiàng),擁有專(zhuān)利396項(xiàng)。

》北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司( 002371.SZ 簡(jiǎn)稱(chēng):北方華創(chuàng))成立于2001年,是北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司的全資子公司。北方華創(chuàng)微電子的主要產(chǎn)品包括刻蝕機(jī)、薄膜、氧化/擴(kuò)散爐、清洗機(jī)、氣體質(zhì)量流量計(jì)等半導(dǎo)體工藝裝備及核心零部件,廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體照明、光伏、平板顯示等領(lǐng)域,為半導(dǎo)體、新能源、新材料等領(lǐng)域提供解決方案。

》江蘇博睿光電股份有限公司

江蘇博睿光電股份有限公司成立于2009年9月,公司專(zhuān)業(yè)從事新型光電材料的研究、開(kāi)發(fā)和應(yīng)用工作,深度布局高性能稀土發(fā)光材料、界面連接材料、高導(dǎo)熱陶瓷基板、特殊結(jié)構(gòu)封裝等領(lǐng)域,在第三代半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域,已形成科研開(kāi)發(fā)、規(guī)模生產(chǎn)和專(zhuān)業(yè)化服務(wù)的完整體系。公司為國(guó)家重點(diǎn)專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè);公司建有國(guó)家博士后科研工作站、江蘇省工程技術(shù)研究中心、江蘇省企業(yè)技術(shù)中心等科研平臺(tái)。

公司秉持技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)營(yíng)銷(xiāo)增長(zhǎng)的經(jīng)營(yíng)模式,憑借技術(shù)創(chuàng)新,公司全色系熒光粉產(chǎn)品及應(yīng)用解決方案已覆蓋全光譜照明、激光照明、高顯色通用照明等應(yīng)用場(chǎng)景,產(chǎn)品性能已全面達(dá)到甚至超過(guò)國(guó)際先進(jìn)水平,全面滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)外封裝企業(yè)多樣化的技術(shù)需求,是國(guó)內(nèi)LED熒光粉領(lǐng)域的龍頭企業(yè),也是國(guó)際知名照明企業(yè)的熒光粉主要供應(yīng)商之一和戰(zhàn)略合作伙伴。

》南京芯干線(xiàn)科技有限公司

芯干線(xiàn)科技是一家優(yōu)秀的氮化鎵及碳化硅功率器件原廠,由資深海歸博士、電源行業(yè)精英和一群有激情與夢(mèng)想的專(zhuān)業(yè)人士創(chuàng)建,專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊的設(shè)計(jì)研發(fā),服務(wù)于未來(lái)電源科技。公司總部位于南京,在蘇州和深圳有辦公室,不只有一流的功率器件和模塊產(chǎn)品,還可以為客戶(hù)提供完整的氮化鎵電源系統(tǒng)解決方案。公司一直秉承精益求精的科研精神,現(xiàn)已推出了多種氮化鎵和碳化硅的功率器件。往后將繼續(xù)豐富第三代半導(dǎo)體器件及模塊的產(chǎn)品線(xiàn),在提升核心競(jìng)爭(zhēng)力的同時(shí)進(jìn)一步加強(qiáng)客戶(hù)應(yīng)用方案的細(xì)化,開(kāi)拓新的應(yīng)用領(lǐng)域,致力于成為一家世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè),為提升全球能源轉(zhuǎn)換效率及節(jié)能減排貢獻(xiàn)應(yīng)有之力。

》蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

蘇州博湃半導(dǎo)體是半導(dǎo)體技術(shù)的高科技創(chuàng)新者和制造商,推動(dòng)功率半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝技術(shù)及新能源應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。蘇州博湃主要為客戶(hù)提供設(shè)備解決方案、材料解決方案以及工程解決方案,憑借全球領(lǐng)先的核心技術(shù)積累,吸納國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的SiC功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)與AMB覆銅陶瓷基板技術(shù)與工藝,致力于成為全球電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新及高品質(zhì)解決方案的供應(yīng)商。

》深圳市先進(jìn)連接科技有限公司

深圳市先進(jìn)連接科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)先進(jìn)連接),坐落于被評(píng)為深圳市寶安區(qū)科技創(chuàng)新桃花源的全至科技創(chuàng)新園,是一家集納米銀燒結(jié)材料及芯片封裝用燒結(jié)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、咨詢(xún)及技術(shù)服務(wù)于一體的綜合性高科技公司。

先連科技創(chuàng)始于2015年,一直精耕于高端電子焊接材料、專(zhuān)用設(shè)備及工藝的研發(fā)、推廣,在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)產(chǎn)業(yè)化,并榮獲“第十屆全國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽三等獎(jiǎng)”、“深圳市創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽二等獎(jiǎng)”,先后通過(guò)了ISO質(zhì)量體系認(rèn)證、研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。

憑借專(zhuān)業(yè)的技術(shù)、創(chuàng)新的理念、對(duì)卓越的不懈追求以及具有企業(yè)家精神的管理團(tuán)隊(duì),我們不斷努力提升業(yè)績(jī)表現(xiàn)。我們通過(guò)發(fā)揮材料方面的專(zhuān)長(zhǎng),充分利用先連科技在納米銀技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)先地位,致力于為客戶(hù)創(chuàng)造高質(zhì)量解決方案,幫助客戶(hù)提升長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力。

附:

論壇頭圖

一年一度行業(yè)盛會(huì),第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA )將于2023年2月7-10日(7日?qǐng)?bào)到)在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開(kāi)。在這場(chǎng)被視為“全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標(biāo)”的盛會(huì)上,由2014年諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者、日本工程院院士、美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來(lái)材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩,美國(guó)工程院院士、美國(guó)國(guó)家發(fā)明家院士、中國(guó)工程院外籍院士、美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授Fred LEE領(lǐng)銜200多個(gè)報(bào)告嘉賓,緊扣論壇“低碳智聯(lián)·同芯共贏”大會(huì)主題,將在開(kāi)幕大會(huì)、主題分會(huì)及同期共計(jì)近30余場(chǎng)次活動(dòng)中,全面展現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈前沿技術(shù)進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風(fēng)向"。

國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)在中國(guó)地區(qū)舉辦的、具備較強(qiáng)影響力的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域年度盛會(huì),是引領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈合作的高端平臺(tái)和高層次綜合性論壇。論壇以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,成為全球范圍內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈合作交流的重要平臺(tái),引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。

中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)伴著中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一路成長(zhǎng)起來(lái),已成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模,參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時(shí)間里,論壇盡最大力量打造國(guó)際性舞臺(tái),邀請(qǐng)全球頂級(jí)專(zhuān)家,傳遞最前沿的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)發(fā)展信息。

至今,SSLCHINA已連續(xù)舉辦了十八屆,IFWS也同期連續(xù)舉辦了七屆,全球超過(guò)1900位專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、投資人等蒞臨現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了精彩演講,參會(huì)觀眾覆蓋了70多個(gè)國(guó)家和地區(qū),累計(jì)2.9萬(wàn)余人到現(xiàn)場(chǎng)參會(huì),集齊跨地區(qū)、跨領(lǐng)域的智慧合力,共同召喚產(chǎn)業(yè)發(fā)展新生態(tài)。無(wú)論是行業(yè)龍頭企業(yè)、初創(chuàng)團(tuán)隊(duì)或是行業(yè)服務(wù)機(jī)構(gòu),論壇都是十分精準(zhǔn)的品牌展示、產(chǎn)品推廣、技術(shù)交流、成果發(fā)布及尋求合作的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)和窗口。十幾年來(lái),論壇服務(wù)過(guò)的客戶(hù)遍及全球,涵蓋了大部分國(guó)內(nèi)外知名的半導(dǎo)體材料、裝備、器件及應(yīng)用端企業(yè),數(shù)量近千家,服務(wù)次數(shù)超過(guò)1200次。通過(guò)論壇期間的交流與對(duì)接,很多企業(yè)結(jié)識(shí)了潛在的合作伙伴,為自身發(fā)展把握住了機(jī)會(huì)。更多詳情見(jiàn)附件:

附件:

壇信息

會(huì)議時(shí)間:2023年2月7日-10日(7日?qǐng)?bào)到)

會(huì)議地點(diǎn):中國(guó) - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

程序委員會(huì)

主席:

張   榮——廈門(mén)大學(xué)黨委書(shū)記、教授

聯(lián)合主席:

劉   明——中科院院士、復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長(zhǎng)、中科院微電子研究所研究員

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

李晉閩——中國(guó)科學(xué)院特聘研究員

張國(guó)義——北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

沈   波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)

徐   科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

邱宇峰——廈門(mén)大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(zhǎng)

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

張   波——電子科技大學(xué)教授

陳   敬——香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

張國(guó)旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授

主題論壇召集人(按姓氏拼音排列):

F1-碳化硅功率電子材料與器件

主題分論壇主席:

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)

a.碳化硅功率電子材料與器件

召集人:

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

柏   松——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員

張清純——復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任

邱宇峰——廈門(mén)大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(zhǎng)

張玉明——西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授

王德君——大連理工大學(xué)教授

袁   俊——九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人

b.芯片制造工藝及裝備

召集人:

唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)

王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官

杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級(jí)副總裁

吳   軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁,首席科學(xué)家

F2-氮化物半導(dǎo)體電子材料與器件

主題分論壇主席:

張   波——電子科技大學(xué)教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

陳堂勝——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家

馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專(zhuān)用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任

a.氮化鎵功率電子材料與器件

召集人:

張  波——電子科技大學(xué)教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

劉  揚(yáng)——中山大學(xué)教授

孫  錢(qián)——中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員

張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

吳毅鋒——珠海鎵未來(lái)科技有限公司總裁

梁輝南——潤(rùn)新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理

王茂俊——北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授

b.射頻電子材料與器件

召集人:

陳堂勝——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家

蔡樹(shù)軍——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長(zhǎng)

張乃千——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)

張  韻——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)、研究員

敖金平——日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授

于洪宇——南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授

馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專(zhuān)用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任

劉建利——中興通訊股份有限公司無(wú)線(xiàn)射頻總工

F3-功率電子應(yīng)用

主題分論壇主席:

劉    勝——武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長(zhǎng)、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

a.功率模塊封裝及可靠性

召集人

劉   勝——武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長(zhǎng)、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

李世瑋——香港科技大學(xué)教授

陸國(guó)權(quán)——美國(guó)弗吉尼亞大學(xué)教授

羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

楊道國(guó)——桂林電子科技大學(xué)教授

王來(lái)利——西安交通大學(xué)教授

樊嘉杰——復(fù)旦大學(xué)青年研究員

姜  克——安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理

F4-襯底材料與裝備

主題分論壇主席:

沈    波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

陶緒堂——山東大學(xué)講席教授

唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)

a.碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工

召集人

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

陳小龍——中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員

孫國(guó)勝——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

馮  淦——瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理

b.氮化物襯底材料生長(zhǎng)與同質(zhì)外延

召集人:

沈  波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐  科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

黎大兵——中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員

畢文剛——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)

楊  敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官

c.超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件

召集人:

陶緒堂——山東大學(xué)講席教授

龍世兵——中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授

張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

單崇新——鄭州大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

王新強(qiáng)——北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長(zhǎng)

王宏興——西安交通大學(xué)教授

葉建東——南京大學(xué)教授

劉玉懷——鄭州大學(xué)教授

韓根全——西安電子科技大學(xué)教授

d.生長(zhǎng)、加工裝備與量測(cè)設(shè)備

召集人:

唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)

王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官

杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級(jí)副總裁

吳  軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁,首席科學(xué)家

F5-半導(dǎo)體照明與光電融合技術(shù)

主題分論壇主席:

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員

a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性

召集人:

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

劉國(guó)旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

云  峰——西安交通大學(xué)教授

羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

伊?xí)匝?mdash;—中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

郭偉玲——北京工業(yè)大學(xué)教授

汪  萊——清華大學(xué)電子工程系副教授、信息光電子研究所所長(zhǎng)

汪煉成——中南大學(xué)教授

張建立——南昌大學(xué)研究員

b.半導(dǎo)體激光器

召集人:

曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員

張保平——廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)、教授

莫慶偉——老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家

劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員

惠   峰——云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員

F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用

主題分論壇主席:

羅  明——浙江大學(xué)光電系教授

瞿  佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長(zhǎng)、教授

顧  瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

遲  楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

楊其長(zhǎng)——國(guó)際歐亞科學(xué)院院士、中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長(zhǎng)、研究員

劉  鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長(zhǎng)、教授

a.光品質(zhì)與光健康

召集人

羅  明——浙江大學(xué)光電系教授

瞿   佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長(zhǎng)、教授

郝洛西——同濟(jì)大學(xué)建筑與城市規(guī)劃學(xué)院教授、國(guó)際照明學(xué)會(huì)(CIE)副主席

林燕丹——復(fù)旦大學(xué)教授

熊大曦——中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員

牟同升——浙江大學(xué)教授

魏敏晨——香港理工大學(xué)副教授

蔡建奇——中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院視覺(jué)健康與安全防護(hù)實(shí)驗(yàn)室主任、研究員

劉  強(qiáng)——武漢大學(xué)顏色科學(xué)與圖像傳播研究所所長(zhǎng)、副教授

b.光醫(yī)療

召集人

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

張鳳民——黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長(zhǎng),哈爾濱醫(yī)科大學(xué)伍連德書(shū)院院長(zhǎng)、國(guó)家地方聯(lián)合工程研究中心主任

王彥青——復(fù)旦大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院教授

崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員

蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學(xué)教授

董建飛——中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員

陳德福——北京理工大學(xué)醫(yī)工融合研究院特聘副研究員

楊   華——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員

c.光通信與傳感

召集人:

遲   楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

馬驍宇——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

陳雄斌——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

田朋飛——復(fù)旦大學(xué)副研究員

李國(guó)強(qiáng)——華南理工大學(xué)教授

林維明——福州大學(xué)教授

房玉龍——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員

d.生物與農(nóng)業(yè)光照

召集人:

楊其長(zhǎng)——國(guó)際歐亞科學(xué)院院士、中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長(zhǎng)、研究員

唐國(guó)慶——中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長(zhǎng)、木林森執(zhí)行總經(jīng)理

劉   鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長(zhǎng)、教授

泮進(jìn)明——浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長(zhǎng)

賀冬仙——中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)教授

陳   凱——華普永明光電股份有限公司董事長(zhǎng)、總裁

華桂潮——四維生態(tài)董事長(zhǎng)

徐  虹——廈門(mén)通秮科技有限公司總經(jīng)理

劉厚誠(chéng)——華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授

李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長(zhǎng)

F7-新型顯示材料及應(yīng)用

主題分論壇主席:

嚴(yán)  群——福州大學(xué)教授

孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授

畢   勇——中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任

a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備

召集人:

嚴(yán)   群——福州大學(xué)教授

王新強(qiáng)——北京大學(xué)東莞光電研究院院長(zhǎng)、北京大學(xué)教授

閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、納微朗科技(深圳)有限公司董事長(zhǎng)

劉   斌——南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授

黃   凱——廈門(mén)大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)、教授

馬松林——TCL集團(tuán)工業(yè)研究院副院長(zhǎng)

劉國(guó)旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

邱   云——京東方科技集團(tuán)股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)

劉召軍——南方科技大學(xué)研究員

b.激光顯示三基色材料與器件

畢   勇——中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任

趙德剛——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

c.鈣鈦礦、量子點(diǎn)及柔性照明與顯示等

召集人:

孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授

廖良生——蘇州大學(xué)教授

徐   征——北京交通大學(xué)教授

段   煉——清華大學(xué)教授

鐘海政——北京理工大學(xué)教授

F8-固態(tài)紫外材料與器件

主題分論壇主席:

康俊勇——廈門(mén)大學(xué)教授

王軍喜——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任

a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件

b.紫外探測(cè)材料與器件

召集人:

康俊勇——廈門(mén)大學(xué)教授

王軍喜——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任

黎大兵——中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員

陸   海——南京大學(xué)教授

陳長(zhǎng)清——華中科技大學(xué)教授

郭浩中——臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授

李曉航——沙特國(guó)王科技大學(xué)副教授

許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授

1.30展商

日程安排

1.30日程表

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

收費(fèi)權(quán)益表

備注:

*中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

*學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

*會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

*IFWS相關(guān)會(huì)議包括:開(kāi)幕大會(huì),碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件,閉幕大會(huì)。

*SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括:開(kāi)幕大會(huì),氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),固態(tài)紫外材料與器件,LED芯片、封裝與光通信,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù),教育照明與健康光環(huán)境,光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括:生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車(chē)用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)。

*若由于某些原因,您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì),可辦理退款事宜,組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

*自助餐包含:2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線(xiàn)上注冊(cè)平臺(tái)

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*備注:請(qǐng)微信掃碼查看并注冊(cè),注冊(cè)成功后可在個(gè)人中心查看電子票信息、申請(qǐng)發(fā)票、為他人報(bào)名、分享海報(bào)等等。

*防疫提醒:目前全國(guó)各地防疫政策逐漸放寬,目前進(jìn)/出蘇州不再查驗(yàn)核酸、健康碼,組委會(huì)提醒參會(huì)代表臨行前能做好自我健康檢測(cè),體溫等無(wú)異常者,佩戴好口罩即可現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)。

即日起至2023年2月1日之前,完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票(詳見(jiàn)上圖),中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

 

 

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