開年第三代半導(dǎo)體盛會(huì)，凝心聚力再啟新征程！—— 第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年2月7-10日（7日?qǐng)?bào)到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)分會(huì)作為重要的技術(shù)分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)的報(bào)告嘉賓日程正式出爐！

材料水平直接決定了器件的性能。以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。同時(shí)，碳化硅外延工藝是非常關(guān)鍵的工藝，器件在外延上實(shí)現(xiàn)，外延的質(zhì)量對(duì)器件的性能影響非常大，外延質(zhì)量受晶體和襯底加工的影響，碳化硅外延是產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。

作為IFWS重要的技術(shù)分論壇，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)分會(huì)得到了寧波恒普真空科技股份有限公司，勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司，湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司協(xié)辦支持，由山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)徐現(xiàn)剛教授，中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任陳小龍研究員，中科院半導(dǎo)體研究所孫國(guó)勝研究員，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理馮淦博士等業(yè)界知名專家擔(dān)任程序委員會(huì)召集人。

屆時(shí)，特邀徐現(xiàn)剛教授和陳小龍研究員共同主持，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)、教授皮孝東，南砂晶圓副總經(jīng)理、山東大學(xué)教授陳秀芳，南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理方子文，勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員賈維煒，中國(guó)科學(xué)院物理研究所副研究員李輝，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、首席專家王英民，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)趙麗麗，廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授尹君，北京工業(yè)大學(xué)副教授陳沛等科研院校專家學(xué)者與企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)分享前沿研究。

目前最新日程如下，歡迎參會(huì)交流合作：

 備注：日程或有微調(diào)，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

【部分嘉賓簡(jiǎn)介】

徐現(xiàn)剛

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

徐現(xiàn)剛，山東大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，教育部長(zhǎng)江計(jì)劃特聘教授，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，泰山學(xué)者特聘專家，科技部973國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研發(fā)計(jì)劃首席科學(xué)家，核心基礎(chǔ)元器件重大專項(xiàng)負(fù)責(zé)人。國(guó)家863計(jì)劃半導(dǎo)體照明工程重大項(xiàng)目總體專家組專家，享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼專家，獲得山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，國(guó)防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)，山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)，以及第十屆“山東省優(yōu)秀科技工作者”榮譽(yù)稱號(hào)。

現(xiàn)任山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院主任。國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)委員、中國(guó)晶體學(xué)會(huì)理事、弱光非線性光子學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電器件分會(huì)特聘專家、中國(guó)青年科技工作者協(xié)會(huì)會(huì)員。在國(guó)內(nèi)外發(fā)表論文400余篇，被引4000余次。國(guó)家授權(quán)發(fā)明專利100余項(xiàng)。

陳小龍

中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員

陳小龍，博士，德國(guó)海德堡大學(xué)和巴洛意特大學(xué)洪堡學(xué)者?，F(xiàn)任中科院物理研究所研究員，博士生導(dǎo)師，1999年獲國(guó)家杰出青年科學(xué)基金，2003年入選中國(guó)科學(xué)院“百人計(jì)劃”，2004年至今兼任中國(guó)晶體學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)和國(guó)際衍射數(shù)據(jù)中心（ICDD）中國(guó)區(qū)主席，2007年獲ICDD Fellow稱號(hào)，2009年成為“新世紀(jì)百千萬(wàn)人才工程”國(guó)家級(jí)人選，2009年獲第五屆“發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)”特等獎(jiǎng)，作為負(fù)責(zé)人帶領(lǐng)寬禁帶半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用團(tuán)隊(duì)獲2010年度“中國(guó)科學(xué)院先進(jìn)集體”榮譽(yù)稱號(hào)。

長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，先后主持國(guó)家863、973和國(guó)家科技支撐計(jì)劃等23個(gè)科研項(xiàng)目，取得了多項(xiàng)研究成果。系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ)和應(yīng)用開發(fā)研究工作，解決了多項(xiàng)關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題和系列關(guān)鍵技術(shù)，生長(zhǎng)出2-4英寸高質(zhì)量晶體；攻克了晶體制備重復(fù)性和穩(wěn)定性等關(guān)鍵工程化問(wèn)題，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化，碳化硅系列晶片批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)用戶，并出口至歐美和日本等發(fā)達(dá)國(guó)家，打破了國(guó)外的長(zhǎng)期壟斷，為發(fā)展我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠定了基礎(chǔ)。發(fā)現(xiàn)了一系列新的功能晶體材料，包括新超導(dǎo)體K0.8Fe2Se2和具有潛在應(yīng)用價(jià)值的閃爍晶體YBa3B9O18等，精確測(cè)定了新化合物的晶體結(jié)構(gòu)，其中120個(gè)化合物的衍射數(shù)據(jù)被ICDD收錄為標(biāo)準(zhǔn)衍射數(shù)據(jù)。在國(guó)際有影響的學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表和合作發(fā)表論文360余篇，引用8000余次，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利50項(xiàng)（已授權(quán)40項(xiàng)），起草國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)（已實(shí)施）。在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文301篇，共被引用2549次（h因子23）。自1999年來(lái)指導(dǎo)博士研究生58余名，其中40人已獲博士學(xué)位。招收博士后4人，3人出站。

孫國(guó)勝

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理

孫國(guó)勝，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理。1994年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所并獲理學(xué)博士學(xué)位，同年留所從事半導(dǎo)體致冷技術(shù)的開發(fā)工作。1997-1998年在美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。目前主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)、特性表征、以及SiC功率半導(dǎo)體器件研制工作。先后參加和主持國(guó)家“863”、國(guó)家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目（973項(xiàng)目）、國(guó)家自然科學(xué)基金委、中國(guó)科學(xué)院重點(diǎn)和北京市科委等項(xiàng)目多項(xiàng)。近來(lái)，作為廣東省創(chuàng)新科研團(tuán)隊(duì)引進(jìn)項(xiàng)目的主要成員，與廣東省企業(yè)合作承擔(dān)了廣東省戰(zhàn)略性新型產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目和東莞市重大方向性項(xiàng)目，開展SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化以及SiC功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)工作。

多年還從事過(guò)非晶硅半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)和半導(dǎo)體致冷技術(shù)的研究與開發(fā)工作，曾獲得中國(guó)科學(xué)院科學(xué)技術(shù)成果獎(jiǎng)（非晶硅中的亞穩(wěn)缺陷及界面問(wèn)題研究）、陜西省教育委員會(huì)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)（非晶碳化硅的電致發(fā)光特性及大面積發(fā)光二極管）和中國(guó)科學(xué)院留學(xué)回國(guó)擇優(yōu)支持項(xiàng)目的資助。從九十年代至今在國(guó)內(nèi)外主要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表研究論文六十余篇，獲得國(guó)家發(fā)明和實(shí)用新型專利十余項(xiàng)。主要研究領(lǐng)域或方向：第三代寬帶隙SiC半導(dǎo)體材料、物理與器件及產(chǎn)業(yè)化研究。

馮  淦

瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理

馮淦，博士，教授級(jí)高級(jí)工程師。2003年畢業(yè)于中科院半導(dǎo)體所，獲材料物理與化學(xué)專業(yè)博士學(xué)位，后就職于德國(guó)、日本多家科研機(jī)構(gòu)，一直從事禁帶半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)及其大功率器件的研制。2011年9月回國(guó)加入瀚天天成電子科技（廈門）有限公司，推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體外延晶片的國(guó)產(chǎn)化，現(xiàn)為瀚天天成公司總經(jīng)理。發(fā)表SCI收錄論文40多篇，申請(qǐng)專利20多項(xiàng)，主持碳化硅外延晶片團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)二項(xiàng)，多次受邀在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上做特邀報(bào)告。

在其主導(dǎo)下，瀚天天成研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功攻克多項(xiàng)碳化硅外延生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)，成功完成600V、1200V碳化硅外延晶片的研制和產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到世界領(lǐng)先水平。馮淦博士還主持和參與了國(guó)家發(fā)改委2012年“電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技術(shù)改造項(xiàng)目”、國(guó)家科技部重大科技專項(xiàng)（02專項(xiàng)）“SiC電力電子器件集成制造技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”、國(guó)家科技部863項(xiàng)目“基于SiC器件的并網(wǎng)光伏逆變器研制”和“大尺寸SiC材料與器件制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”、國(guó)家科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“中低壓SiC材料、器件及其在電動(dòng)汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”等多項(xiàng)國(guó)家級(jí)項(xiàng)目。

皮孝東

浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)、教授

皮孝東,浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料研究所所長(zhǎng)，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)、教授。浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院雙聘教授，博士生導(dǎo)師。2004年在英國(guó)巴斯大學(xué)獲得博士學(xué)位，并受頒新穎研究獎(jiǎng)?wù)隆ｋS后在加拿大麥克馬斯特大學(xué)和美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)雙城分校從事研究工作。于2008年到浙江大學(xué)工作，在2012年由副教授晉升為教授。是中國(guó)真空學(xué)會(huì)理事和中國(guó)真空學(xué)會(huì)電子材料與器件專業(yè)委員會(huì)副主任委員（2019-2024）、美國(guó)物理聯(lián)合會(huì)學(xué)術(shù)期刊Applied Physics Letters的編輯顧問(wèn)委員會(huì)成員（2017-2022）、英國(guó)物理學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)期刊Nanotechnology的顧問(wèn)委員會(huì)成員（2019-2021）、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》青年編委（2021-2023）、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“光電子與微電子器件及集成”項(xiàng)目顧問(wèn)專家（2019-2023）。

主要從事半導(dǎo)體材料和器件研究。在硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其光電器件如發(fā)光二極管、光電探測(cè)器和光電神經(jīng)形態(tài)器件研究方面取得了系列進(jìn)展。近期針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展的迫切需求，啟動(dòng)了以半導(dǎo)體碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的制備、加工、外延和應(yīng)用研究。曾在Physical Review Letters、Advanced Materials、Materials Science & Engineering R、ACS Nano、Nano Letters、Nano Energy和IEDM等學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表了系列研究論文。

陳秀芳

南砂晶圓總經(jīng)理助理、山東大學(xué)教授

陳秀芳，山東大學(xué)教授，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司總經(jīng)理助理。主要從事寬帶隙碳化硅等半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領(lǐng)域中，取得系列重要應(yīng)用型科研成果，先后主持承擔(dān)了國(guó)家科技重大專項(xiàng)、973計(jì)劃、預(yù)研項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、科技部“863”計(jì)劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項(xiàng)等20余項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文40余篇，申請(qǐng)和獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項(xiàng)。獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)”、“國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年基金”、“山東省自然科學(xué)杰出青年基金”等。

李  輝

中科院物理所副研究員

李輝，中科院物理所副研究員。曾獲中科院青年促進(jìn)會(huì)會(huì)員、中科院盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)、英國(guó)皇家學(xué)會(huì)牛頓高級(jí)研究學(xué)者、北京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)稱號(hào)。承擔(dān)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2項(xiàng)（課題負(fù)責(zé)人和單位負(fù)責(zé)人）、北京市科技計(jì)劃（單位負(fù)責(zé)人）、英國(guó)皇家學(xué)會(huì)高級(jí)牛頓研究學(xué)者項(xiàng)目（負(fù)責(zé)人）、中科院青年促進(jìn)會(huì)項(xiàng)目、國(guó)家自然基金面上、青年基金等10余項(xiàng)，做為項(xiàng)目骨干參與中國(guó)科學(xué)院“弘光專項(xiàng)”、科技部863課題等8項(xiàng)。在Chemical Reviews、Nature Energy、Nature Chemistry、JACS、Journal of Crystal Growth等期刊上發(fā)表SCI論文90余篇，獲授權(quán)專利7項(xiàng)，譯著1部。

王英民

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，首席專家

王英民博士，研究員，中國(guó)電科集團(tuán)首席專家，寬禁帶半導(dǎo)體材料山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，CASA第三代半導(dǎo)體卓越青年，山西省學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人，“三晉英才”領(lǐng)軍人才，山西省新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才。2009年畢業(yè)于山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，獲博士學(xué)位。長(zhǎng)期從事碳化硅單晶生長(zhǎng)及缺陷表征工作，具有近20年碳化硅單晶材料研制經(jīng)驗(yàn)。主持并參加了國(guó)家自然科學(xué)基金、“863”計(jì)劃以及山西省重大專項(xiàng)等20余項(xiàng)國(guó)家，省部級(jí)課題研究。獲山西省、集團(tuán)公司、國(guó)防系統(tǒng)等省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)5項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)外期刊和重要國(guó)際會(huì)議上發(fā)表論文40余篇。申請(qǐng)國(guó)家專利18項(xiàng)，授權(quán)9項(xiàng)。

趙麗麗

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)

哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

趙麗麗博士，2006年在德國(guó)獲得德國(guó)馬克思普朗克物理所 材料學(xué)博士學(xué)位，2012年哈爾濱工業(yè)大學(xué)“百人計(jì)劃”高層次人才引入，投身家鄉(xiāng)教育事業(yè)，在哈工大化工與化學(xué)學(xué)院擔(dān)任教授，為國(guó)家振興，民族富強(qiáng)培養(yǎng)棟梁之才。趙麗麗博士長(zhǎng)期堅(jiān)持在科研一線、潛心研究新材料與高端裝備，并于2018年受邀擔(dān)任深圳第三代半導(dǎo)體研究院晶體材料所所長(zhǎng)。2018年響應(yīng)“大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新”的政策，趙麗麗博士持科技成果創(chuàng)辦哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（簡(jiǎn)稱：科友半導(dǎo)體）擔(dān)任董事長(zhǎng)。2006年-2007年，在瑞士聯(lián)邦工業(yè)大學(xué)蘇黎世分校從事博士后研究工作；2007年-2010年，在挪威麥拓卡夫特（metaLLKRAFT）研發(fā)部，擔(dān)任資深研究員；2011年-2013年，在美國(guó)可再生能源公司，擔(dān)任中國(guó)區(qū)總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)。2015年至今，在創(chuàng)業(yè)奮斗的過(guò)程中，也獲得國(guó)家、省、市的各項(xiàng)殊榮。入選國(guó)家中組部“創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才”，入選國(guó)家科技部“萬(wàn)人計(jì)劃”科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才；黑龍江省杰出青年科學(xué)基金獲得者，獲黑龍江省科學(xué)技術(shù)一、二等獎(jiǎng)各一項(xiàng)。黑龍江省巾幗建功標(biāo)兵、黑龍江省十大杰出青年創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、黑龍江省歸國(guó)留學(xué)生人員報(bào)國(guó)獎(jiǎng)；獲得哈爾濱市科技創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、哈爾濱市有突出貢獻(xiàn)專家、哈爾濱高層次創(chuàng)新人才、哈爾濱市有突出貢獻(xiàn)中青年專家、三八紅旗手和省人才代表等榮譽(yù)稱號(hào)。

方子文

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理

方子文，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理。方子文博士畢業(yè)于英國(guó)利物浦大學(xué)工程學(xué)院，主修先進(jìn)半導(dǎo)體沉積技術(shù)，現(xiàn)任AIXTRON中國(guó)區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷和工藝高級(jí)部門經(jīng)理。他在AIXTRON曾擔(dān)任工藝科學(xué)家，實(shí)驗(yàn)室部門經(jīng)理等職，精通三五族化合物半導(dǎo)體MOCVD外延材料生長(zhǎng)、制備和測(cè)試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產(chǎn)品使用的外延材料。

宣  融

南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官

宣融，南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官，臺(tái)灣交通大學(xué)博士，主要研究方向?yàn)榈谌雽?dǎo)體，發(fā)表著作20篇，半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠l(fā)明86件。主要經(jīng)歷如下：研究所畢業(yè)后進(jìn)入臺(tái)灣工研院電光所服務(wù)，在技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)服務(wù)方面皆有優(yōu)良表現(xiàn)。期間取得交大電子物理博士學(xué)位。博士論文為“以硅基板開發(fā)常關(guān)型氮化鎵高電子移動(dòng)率晶體管”。曾先后供職于臺(tái)灣漢磊科技和嘉晶電子，組建第三代半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)，領(lǐng)導(dǎo)并完成多項(xiàng)三代半功率器件新產(chǎn)品的研發(fā)和銷售任務(wù)，多年來(lái)率領(lǐng)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在氮化鎵和碳化硅功率器件的量產(chǎn)良率提升方面取得卓越成績(jī)。2019年創(chuàng)立南京百識(shí)電子，擔(dān)任南京百識(shí)董事、總經(jīng)理和創(chuàng)始人。建立專業(yè)第三代半導(dǎo)體外延片代工廠，目前4/6寸SiC外延片，以及6/8寸GaN on Si外延片生產(chǎn)線均已完成建置，并在2022年順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；在碳化硅和氮化鎵外延片的生產(chǎn)上，宣融所領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)具備10年以上超過(guò)5萬(wàn)片量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。曾獲得臺(tái)灣工研院部服務(wù)推廣獎(jiǎng)銀牌；工研院電光所杰出研究所金牌；新竹縣社會(huì)優(yōu)秀青年；南京浦口區(qū)中青年優(yōu)秀人才；江蘇省雙創(chuàng)人才，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士研究生實(shí)踐導(dǎo)師。

尹  君

廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授

尹君，工學(xué)博士，2014年6月畢業(yè)于華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院/武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室；2014年9月加入廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院，任研究型助理教授/師資博士后；2017年8月任副教授職務(wù)。主要研究方向?yàn)槟茉崔D(zhuǎn)換相關(guān)的光電子材料與相關(guān)器件，涉及微米納米結(jié)構(gòu)制備及在半導(dǎo)體材料光電行為操控上的應(yīng)用、新型生物及光電傳感器制備、高效全固態(tài)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研發(fā)等，近年來(lái)已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊發(fā)表高水平論文多篇。目前已主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、中國(guó)博士后科學(xué)基金面上項(xiàng)目，福建省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，江西省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等多項(xiàng)科研課題，并參與國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目、福建省科技計(jì)劃項(xiàng)目及廈門市科技項(xiàng)目等多項(xiàng)。

陳  沛

北京工業(yè)大學(xué)副教授

陳沛，北京工業(yè)大學(xué)副教授。研究方向?yàn)橄冗M(jìn)電子封裝中的力學(xué)問(wèn)題與可靠性問(wèn)題、先進(jìn)電子封裝中的新型材料與結(jié)構(gòu)中的力學(xué)問(wèn)題。曾承擔(dān)課題國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金“減薄晶圓損傷層殘余應(yīng)力和力學(xué)性能測(cè)量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。國(guó)家科技重大專項(xiàng)--極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝（“02”專項(xiàng)）任務(wù)“晶圓減薄損傷層表征與控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（參加）。

賈維煒

勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員

（備注：以上嘉賓信息未經(jīng)其本人確認(rèn)，僅供參考。）

【關(guān)于本場(chǎng)分會(huì)協(xié)辦單位】

》》》寧波恒普真空科技股份有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究為基礎(chǔ)，以高溫?zé)釄?chǎng)環(huán)境控制為技術(shù)核心的金屬注射成形（MIM)領(lǐng)域和寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結(jié)爐、碳化硅晶體生長(zhǎng)爐、碳化硅同質(zhì)外延設(shè)備等熱工裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。恒普科技以材料基礎(chǔ)研究和創(chuàng)新方法解決行業(yè)需求，為行業(yè)提供全新的解決方案，推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展。

》》》勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司

愛(ài)思唯爾是全球信息與分析領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，幫助科研和醫(yī)學(xué)專業(yè)人員推動(dòng)科學(xué)發(fā)展、改善醫(yī)療成果從而造福社會(huì)。140多年以來(lái)，我們一直致力于與科研與醫(yī)學(xué)專業(yè)人員合作，支持他們更高效地開展工作。從學(xué)術(shù)出版起家，愛(ài)思唯爾提供知識(shí)資源和分析服務(wù)，幫助我們的用戶取得科研突破，推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。我們?cè)趹?zhàn)略研究管理、研發(fā)表現(xiàn)、臨床決策支持和醫(yī)學(xué)教育領(lǐng)域提供數(shù)字化解決方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。愛(ài)思唯爾是勵(lì)訊集團(tuán)（RELX）的成員之一，勵(lì)訊集團(tuán)（RELX）為全球?qū)I(yè)人士和商業(yè)客戶提供科學(xué)、醫(yī)療、法律和商業(yè)領(lǐng)域信息分析服務(wù)及決策工具。

》》》廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司以山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室近年來(lái)研發(fā)的最新碳化硅單晶生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)成果為基礎(chǔ)，同山東大學(xué)開展全方位產(chǎn)學(xué)研合作。公司產(chǎn)品以6英寸半絕緣和n型碳化硅襯底為主，可視市場(chǎng)需求不斷豐富產(chǎn)品線。第三代半導(dǎo)體材料作為新基建的戰(zhàn)略性材料，公司將立足粵港澳大灣區(qū)，力爭(zhēng)發(fā)展成為全國(guó)乃至全球馳名的碳化硅半導(dǎo)體公司。

》》》中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所（以下簡(jiǎn)稱48所）又名“長(zhǎng)沙半導(dǎo)體 工藝設(shè)備研究所”，成立于1964年5月，隸屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司?，F(xiàn) 有科研生產(chǎn)人員近1000人，其中享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼專家29人，研究員 33人。

48所技術(shù)力量雄厚，專業(yè)門類齊全，是國(guó)內(nèi)唯一從事以三束（離子束、電子 束、分子束）為主的軍民兩用型骨干科研生產(chǎn)單位，產(chǎn)品包括第三代半導(dǎo)體裝備 以及集成電路裝備、光伏電池裝備、磁性材料裝備、冶金材料裝備、特種傳感器與系統(tǒng)，并具備裝備整線集成能力。產(chǎn)品銷售覆蓋含香港、臺(tái)灣在內(nèi)的全國(guó)29個(gè) 省市、特區(qū)，出口到美國(guó)、德國(guó)、法國(guó)、西班牙、俄羅斯、澳大利亞、埃及、土 耳其等20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。

48所擁有國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）、國(guó)防科技工業(yè)有源層優(yōu) 化生長(zhǎng)創(chuàng)新中心、國(guó)家光伏裝備工程技術(shù)研究中心、中國(guó)-埃及可再生能源國(guó)家聯(lián) 合實(shí)驗(yàn)室等5個(gè)國(guó)家級(jí)平臺(tái)和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余項(xiàng)，其 中填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白148項(xiàng)、達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平138項(xiàng)、列為國(guó)家替代進(jìn)口119項(xiàng)，擁有專利396項(xiàng)。

》》》德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司

AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的沉積設(shè)備供應(yīng)商。該公司成立于1983年，總部設(shè)在德國(guó)黑措根拉特（靠近亞?。?，并在亞洲、美國(guó)及歐洲設(shè)有子公司及銷售辦事處。該公司的技術(shù)解決方案被全世界廣泛的客戶所使用，以制造先進(jìn)的電子和光電子應(yīng)用元件，這些元件乃基于化合物、硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料。該元件被廣泛用于創(chuàng)新應(yīng)用、技術(shù)及行業(yè)，其中包括LED應(yīng)用、顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)傳輸、能源管理和轉(zhuǎn)化、通訊、信號(hào)燈和照明技術(shù)以及其他尖端技術(shù)。請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.aixtron.com 了解AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)（法蘭克福證券交易所：AIXA，國(guó)際證券號(hào)碼：DE000A0WMPJ6）的更多信息。

》》》湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室

九峰山實(shí)驗(yàn)室與你一起，創(chuàng)造未來(lái)。

九峰山實(shí)驗(yàn)室以建設(shè)先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體研發(fā)和創(chuàng)新中心為愿景。我們將來(lái)自世界各地的人才聚集在一起，建設(shè)先進(jìn)的基礎(chǔ)設(shè)施，打造公共、開放、共享的科研平臺(tái)，與合作伙伴一起構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)。

九峰山實(shí)驗(yàn)室于2021年成立。實(shí)驗(yàn)室緊密結(jié)合全球優(yōu)勢(shì)學(xué)科領(lǐng)域和重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)布局，連接科研與產(chǎn)業(yè)，建立成熟開放的實(shí)驗(yàn)室運(yùn)營(yíng)機(jī)制、豐富的基礎(chǔ)IP交付能力、一流的設(shè)備環(huán)境、良好穩(wěn)定的合作關(guān)系，打造成全球最具影響力的化合物半導(dǎo)體科研創(chuàng)新高地。

天工開物檢測(cè)分析中心為先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供世界級(jí)第三方量測(cè)能力。

天工開物檢測(cè)分析中心是九峰山實(shí)驗(yàn)室重點(diǎn)打造的檢測(cè)分析平臺(tái)，聚焦于半導(dǎo)體材料和器件的分析與測(cè)試，秉持開放的理念，提供專業(yè)、全面的檢測(cè)分析服務(wù)。

》》》哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司成立于2018年5月，企業(yè)坐落于哈爾濱市新區(qū)，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計(jì)、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長(zhǎng)晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，已形成系列自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控?？朴寻雽?dǎo)體投資10億元人民幣，打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料供應(yīng)商，并在黑龍江建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)及裝備制造的新高地，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端裝備和材料制造的新動(dòng)能。

科友將在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長(zhǎng)-襯底加工-外延晶圓的全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，成為行業(yè)內(nèi)首家材料端全閉合企業(yè)。全力實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)和專利中國(guó)化。

附：

一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日?qǐng)?bào)到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場(chǎng)被視為“全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標(biāo)”的盛會(huì)上，由2014年諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者、日本工程院院士、美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來(lái)材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩，美國(guó)工程院院士、美國(guó)國(guó)家發(fā)明家院士、中國(guó)工程院外籍院士、美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授Fred LEE領(lǐng)銜200多個(gè)報(bào)告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯(lián)·同芯共贏”大會(huì)主題，將在開幕大會(huì)、主題分會(huì)及同期共計(jì)近30余場(chǎng)次活動(dòng)中，全面展現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈前沿技術(shù)進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風(fēng)向"。

國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在中國(guó)地區(qū)舉辦的、具備較強(qiáng)影響力的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域年度盛會(huì)，是引領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈合作的高端平臺(tái)和高層次綜合性論壇。論壇以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，成為全球范圍內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈合作交流的重要平臺(tái)，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。

中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一路成長(zhǎng)起來(lái)，已成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時(shí)間里，論壇盡最大力量打造國(guó)際性舞臺(tái)，邀請(qǐng)全球頂級(jí)專家，傳遞最前沿的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)發(fā)展信息。

至今，SSLCHINA已連續(xù)舉辦了十八屆，IFWS也同期連續(xù)舉辦了七屆，全球超過(guò)1900位專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、投資人等蒞臨現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了精彩演講，參會(huì)觀眾覆蓋了70多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，累計(jì)2.9萬(wàn)余人到現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)，集齊跨地區(qū)、跨領(lǐng)域的智慧合力，共同召喚產(chǎn)業(yè)發(fā)展新生態(tài)。無(wú)論是行業(yè)龍頭企業(yè)、初創(chuàng)團(tuán)隊(duì)或是行業(yè)服務(wù)機(jī)構(gòu)，論壇都是十分精準(zhǔn)的品牌展示、產(chǎn)品推廣、技術(shù)交流、成果發(fā)布及尋求合作的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)和窗口。十幾年來(lái)，論壇服務(wù)過(guò)的客戶遍及全球，涵蓋了大部分國(guó)內(nèi)外知名的半導(dǎo)體材料、裝備、器件及應(yīng)用端企業(yè)，數(shù)量近千家，服務(wù)次數(shù)超過(guò)1200次。通過(guò)論壇期間的交流與對(duì)接，很多企業(yè)結(jié)識(shí)了潛在的合作伙伴，為自身發(fā)展把握住了機(jī)會(huì)。更多詳情見附件：

會(huì)議時(shí)間：2023年2月7日-10日（7日?qǐng)?bào)到）

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó) - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

日程安排

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

備注：

＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線上注冊(cè)平臺(tái)

IFWS&SSLCHINA 在線注冊(cè)通道

*備注：請(qǐng)微信掃碼查看并注冊(cè)，注冊(cè)成功后可在個(gè)人中心查看電子票信息、申請(qǐng)發(fā)票、為他人報(bào)名、分享海報(bào)等等。

2023年2月1日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

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