近日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）聯合主辦。江蘇第三代半導體研究院、蘇州市第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。論壇還得到了來自國內以及美國、日本、德國、瑞典、英國、意大利、波蘭、澳大利亞、新加坡等國家和地區(qū)近70家組織機構、近90家行業(yè)代表性實力企業(yè)的支持。

期間，重要的技術分會：“碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術“分論壇如期召開。該分論壇由寧波恒普真空科技股份有限公司、勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、德國愛思強股份有限公司、湖北九峰山實驗室、哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司、江蘇省第三代半導體研究院協辦支持。該論壇特邀請到論壇程序委員會聯合主席：山東大學新一代半導體材料研究院院長徐現剛教授和中國電子科技集團公司第二研究所所長唐景庭研究員共同主持。

主持人：山東大學新一代半導體材料研究院院長徐現剛教授

主持人：中國電子科技集團公司第二研究所所長唐景庭研究員

會上，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院副院長、教授皮孝東，南砂晶圓副總經理，山東大學教授陳秀芳，南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經理方子文，勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員賈維煒，中國科學院物理研究所副研究員李輝，中國電子科技集團公司第四十六研究所首席專家王英民，哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司董事長、哈爾濱工業(yè)大學教授趙麗麗，廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授尹君，北京工業(yè)大學副教授陳沛等精英專家們帶來精彩報告，分享前沿研究成果。

論壇現場，人氣爆棚

浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院副院長、教授皮孝東分享了4H碳化硅單晶的制備和加工技術進展，報告指出，4H-SiC適用于更高頻、更高功率電子器件，碳化硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） 仍然處于研發(fā)階段。超快激光垂直改質剝離技術，剝離過程中發(fā)生裂片成為超快激光切片面臨的關鍵難題。碳化硅很可能成為應用規(guī)模僅次于硅的半導體材料，值得加強其基礎研究和技術開發(fā)。缺陷和雜質研究對半導體碳化硅的發(fā)展至關重要。

伴隨著SiC材料直徑和質量的突破，電力電子器件、光電子等相關器件應運而生，其市場規(guī)模逐年增長。南砂晶圓副總經理，山東大學教授陳秀芳帶來了題為“大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備”的主題報告，分享了8英寸單晶材料進展，報告指出，當前8英寸4H-SiC晶體制備難點主要涉及高質量8英寸4H-SiC籽晶制備；大尺寸溫度場不均勻和成核過程控制；大尺寸晶體生長體系下氣相物質組分輸運效率和演變規(guī)律；大尺寸熱應力增大導致的晶體開裂和缺陷增殖。 

德國愛思強股份有限公司資深銷售經理陳曦分享了碳化硅及其他化合物半導體外延大規(guī)模量產方案，報告指出GaN和SiC的市場增長是現實，正在改變著功率半導體市場。高吞吐量和低擁有成本滿足了所有傳統和新的生產增長要求。AIXTRON 的GaN 300mm平臺即將發(fā)布，以滿足早期300mm Epi需求，并且供應鏈已做好充分準備，以滿足未來幾年的市場需求。

南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融在線分享了碳化硅外延與晶圓制造技術進展報告。他總結時指出，碳化硅成長爆發(fā)期來臨,新能源車不受美國的限制,技術水平與國外相差不遠。賽道產業(yè)鏈將從IDM模式加入代工/設計；碳化硅芯片整體售價應在下降40~50%；結合外延+晶圓代工,提供客戶芯片良率/可靠度保證。國內有效產能不足,設備/襯底/外延/代工皆有很大的商機。外延片濃度均一性影響芯片縮小化進步；外延片底層缺陷影響MOS良率與可靠；在MOS產品上,將從平面逐漸發(fā)展溝槽式。

愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員賈維煒 全球科研信息賦能第三代半導體材料技術創(chuàng)新與發(fā)展，報告指出，科研數據助力企業(yè)研發(fā)，便于洞察行業(yè)科研動態(tài)及熱點課題，關注“對標”企業(yè)科研產出信息，快速準確找到科研和生產中遇到問題的解決方案，追蹤領軍科研人物研發(fā)動向，為企業(yè)專利發(fā)表提供科研數據基礎。

碳化硅(SiC)具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優(yōu)異性能，SiC器件具有耐高壓、耐高溫、高頻特性好、體積小和重量輕等優(yōu)勢，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領域具有重要的應用潛力。中國科學院物理研究所李輝副研究員帶來了題為“液相法碳化硅單晶生長研究進展”的主題報告，報告分享了物理所采用物理氣相傳輸(PVT)法生長8英寸碳化硅單晶的研究進展，主要分享了物理所在液相法生長碳化硅單晶的研究進展，通過液相法，物理所已經生長出了4英寸高質量的p型和n型碳化硅單晶，生長的碳化硅單晶具有高的質量。

隨著我國“新基建”和“雙碳”戰(zhàn)略的深入實施，作為關鍵環(huán)節(jié)的電子系統對半導體元器件技術提出了高密度、高速度、大功率、低功耗、低成本的需求。中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家王英民分享了碳化硅單晶技術進展及挑戰(zhàn)，以及中國電科46所研究進展。碳化硅襯底產品通過外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產品應用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統。碳化硅器件優(yōu)勢明顯，EV和光伏產業(yè)需求高速增長，碳化硅襯底成本的持續(xù)降低是下游終端市場提高滲透的關鍵。

哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司董事長、哈爾濱工業(yè)大學教授趙麗麗做了題為“電阻爐八英寸碳化硅制備技術探索”的主題報告，分享了開展大尺寸/低成本/高良率/產業(yè)化長晶設備及工藝研究成果，研制出適合 8 英寸碳化硅單晶生長的電阻長晶爐，碳化鉭（TaC）高溫蒸鍍工藝開發(fā)，低純度碳化硅（SiC）粉原料燒結提純工藝開發(fā)等。

廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授尹君分享了200 mm碳化硅晶體生長仿真，基于氣相導流板調控的傳質過程優(yōu)化。SiC單晶尺寸增大，坩堝內的溫場均勻性變差，特別是粉料內部，不利于厚晶的生長。坩堝尺寸增大，腔內對流加劇，不利于籽晶生長面均勻的氣相傳質與生長。報告分享了大尺寸電阻PVT模型構建與熱場仿真，大尺寸SiC單晶PVT生長傳質過程優(yōu)化，單晶生長演化特性分析及質量評價等。

北京工業(yè)大學副教授陳沛分享了超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究進展與成果，研究采用飛秒激光系統對SiC表面進行預處理以產生周期性微觀結構（LIPPS），改性表面的力學財產顯著減弱，iC在表面沉積成Si、SiO2和C。在刮擦過程中，改性表面的材料去除深度提高，切削力也降低。與LSFL相比，HSFL可以產生更寬的切削槽和更好的表面粗糙度。報告指出，未來研究需要控制激光影響的深度，以滿足減薄目標。滯后區(qū)域修改需要快速和統一。激光改性可以應用于SiC的隱形切割。

現場花絮