半導(dǎo)體激光器是以半導(dǎo)體材料為增益介質(zhì)的激光器，依靠半導(dǎo)體能帶間的躍遷發(fā)光，通常以天然解理面為諧振腔。因此其具有波長覆蓋面廣、體積小、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)、泵浦方式多樣、成品率高、可靠性好、易高速調(diào)制等優(yōu)勢。新物理、新概念以及新技術(shù)與半導(dǎo)體激光器的融合，為其發(fā)展注入了新鮮的血液.其中，半導(dǎo)體激光器在光纖通信領(lǐng)域的發(fā)展?jié)摿薮?。得益于半?dǎo)體激光器成本低、功耗低的優(yōu)勢，目前其已在光纖通信網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域被廣泛地應(yīng)用。

近日，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。本屆論壇是在國家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國家科學(xué)技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、 國家節(jié)能中心、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、江蘇省科學(xué)技術(shù)廳、蘇州市科學(xué)技術(shù)局、蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會(huì)的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。

論壇現(xiàn)場

期間，由化合積電（廈門）半導(dǎo)體科技有限公司、寧波升譜光電股份有限公司、江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院協(xié)辦支持的“化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)論壇“，在廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長張保平教授主持下如期召開。會(huì)上，波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKI、蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官王俊、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部研究員劉建平、寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理林勝、日本名城大學(xué)教授Tetsuya TAKEUCHI、化合積電（廈門）半導(dǎo)體科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人&CEO張星，河南仕佳光子科技股份有限公司有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān)、中科院半導(dǎo)體所研究員黃永光，廈門大學(xué)助理教授梅洋、珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長趙有文，河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司總經(jīng)理惠峰等精英專家們帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。

波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKI做了題為”基于藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的新器件：SWOT分析“的線上主題報(bào)告。

蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官王俊做了題為”激光雷達(dá)用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片“的主題報(bào)告。

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部研究員劉建平做了題為”氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展“的主題報(bào)告。

寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理林勝做了題為”GaAs VCSEL先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用“的主題報(bào)告。

日本名城大學(xué)教授Tetsuya TAKEUCHI做了題為”Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers“的線上主題報(bào)告z。

化合積電（廈門）半導(dǎo)體科技有限公司 聯(lián)合創(chuàng)始人&CEO張星做了題為”金剛石在激光器的應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展“的主題報(bào)告

河南仕佳光子科技股份有限公司有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān),中科院半導(dǎo)體所研究員黃永光做了題為”激光雷達(dá)用的1550nm磷化銦半導(dǎo)體激光器”的主題報(bào)告

廈門大學(xué)助理教授梅洋帶來了題為”GaN基微腔激光器制備“的主題報(bào)告，分享了GaN基回音壁激光器、柔性GaN基微腔激光器的研究進(jìn)展與成果，研究顯示，基于InGaN量子點(diǎn)材料制備了低閾值綠光GaN基VCSEL；基于AlGaN與InGaN材料實(shí)現(xiàn)了UVC波段與UVA波段GaN基VCSEL光泵激射。實(shí)現(xiàn)了高Q值GaN基微盤激光器的低閾值激射，利用游標(biāo)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)了單模GaN基微盤激光器的制備；進(jìn)行了電注入GaN基微盤激光器的工藝開發(fā)。開發(fā)了GaN基微腔激光器的柔性襯底轉(zhuǎn)移工藝，實(shí)現(xiàn)了柔性VCSEL與柔性微盤激光器的光泵激射。

云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司總經(jīng)理惠峰做了題為”高品質(zhì)磷化銦襯底對激光器性能影響研究“的主題報(bào)告，介紹了高品質(zhì)InP單晶的生長技術(shù)，InP在半導(dǎo)體激光器應(yīng)用開發(fā)的優(yōu)勢，InP單晶襯底對激光器性能影響等研究進(jìn)展。其中，報(bào)告指出，InP襯底主要應(yīng)用領(lǐng)域包括光子學(xué)領(lǐng)域和射頻領(lǐng)域，光子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用開發(fā)包括：激光器、光探測器，應(yīng)用在光器件、芯片、光電集成電路及模塊，汽車防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等。其中的激光器開發(fā)，對比GaAs襯底，InP基器件可做成高質(zhì)量的共振腔，也可做差頻器件、并可基于QCL量子級聯(lián)激光器的差頻特性，開發(fā)太赫茲光源。

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為”GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計(jì)與分析“的主題報(bào)告，介紹了利用二維耗盡效應(yīng)改善GaN基VCSEL的橫向電流限制、GaN基VCSEL PNP結(jié)的電流擴(kuò)展、GaN基VCSEL中p-AlGaN插入層的空穴注入增強(qiáng)、MQW中具有梯度InN成分的GaN VCSEL的獨(dú)特財(cái)產(chǎn)、反相位表面起伏結(jié)構(gòu)對光學(xué)模式和激光的影響、450nm GaN基VCSEL的輸出功率及其他類型的激光二極管的相關(guān)研究成果。

珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長趙有文做了題為”高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)“的主題報(bào)告，介紹了單晶生長和襯底制備技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)、單晶缺陷及其控制技術(shù)、襯底缺陷與外延材料缺陷的研究進(jìn)展。研究建立并完善了磷化銦多晶合成、單晶生長到襯底制備的整套生產(chǎn)工藝技術(shù)并實(shí)現(xiàn)襯底的大批量生產(chǎn)銷售，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵原材料的國產(chǎn)化自主保障。通過長晶、襯底加工、清洗等諸多工藝環(huán)節(jié)的技術(shù)優(yōu)化完善，有效控制襯底晶格缺陷和表面缺陷數(shù)量，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高量產(chǎn)良率，滿足下游客戶外延生長及器件生產(chǎn)的要求。通過優(yōu)化單晶生長熱場、襯底拋光清洗技術(shù)工藝等，實(shí)現(xiàn)銻化鎵單晶生長缺陷和襯底表面缺陷的可控，滿足分子束外延材料生長要求，并制備出性能優(yōu)異的紅外成像面陣。國內(nèi)大尺寸襯底材料（3英寸、4英寸磷化銦；4英寸和6英寸銻化鎵）的市場需求逐步增長，國際上已基本成為市場主流。