智能駕駛時代下第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步給電動車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術(shù)進(jìn)展。汽車電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢中，電動化最受益的是功率器件，尤其是IGBT。智能化的快速發(fā)展，自動駕駛、智能座艙等對汽車感知器件、運(yùn)算能力、數(shù)據(jù)量需求日益提升，汽車控制芯片、存儲芯片等成長空間廣闊。

英諾賽科作為全球領(lǐng)先的GaN IDM高新技術(shù)企業(yè)，擁有世界上最大的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地和先進(jìn)的研發(fā)與制造能力，致力于用硅基氮化鎵打造綠色高效新世界。自2015年成立至今，英諾賽科已獲專利700多項，為客戶提供從30V 到700V的高、低壓全功率段氮化鎵芯片及全氮化鎵整體解決方案。8英寸氮化鎵全自動生產(chǎn)線與全流程質(zhì)量管控體系，為芯片性能和大批量交付需求提供了有力保障。截至去年8月，英諾賽科已累計出貨超1億顆氮化鎵芯片，并在消費(fèi)類電子、數(shù)據(jù)中心、自動駕駛、新能源等領(lǐng)域與上下游企業(yè)緊密合作，逐步構(gòu)建起氮化鎵“芯”生態(tài)。

隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，高效、低能耗、高功率密度的氮化鎵功率器件推動系統(tǒng)向高功率密度的發(fā)展，逐漸成為綠色經(jīng)濟(jì)發(fā)展的驅(qū)動力，尤其是新能源汽車領(lǐng)域。據(jù)預(yù)測，到2025年電動汽車中氮化鎵芯片市場機(jī)會每年總值將超過25億美元。目前，英諾賽科已通過了IATF16949認(rèn)證。

近期，在第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）召開的“第二屆車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會”上。英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任工程師孟無忌做了題為“GaN在新能源汽車的探索與實踐”的主題報告，介紹了相關(guān)的實踐成果與方案。

GaN功率器件在智能汽車中的應(yīng)用涉及雙向DC/DC、自動駕駛核心電源、PD快充、車載充電器(OBC)、激光雷達(dá)、LED驅(qū)動、音響Class-D功放、能量管理系統(tǒng)（BMS）、電機(jī)驅(qū)動等環(huán)節(jié)。

報告介紹了介紹了英諾賽科GaN在高性能自動駕駛激光雷達(dá)、音響Class-D功放等領(lǐng)域的應(yīng)用，氮化鎵Class-D功放仿真和樣機(jī)，以及英諾賽科支撐高功率密度/高效率核心供電方案、All-GaN 車載快充和無線充解決方案、All-GaN 48V/12V雙向DC/DC方案、All-GaN車載充電機(jī)(OBC)解決方案、All-GaN雙向APM解決方案等實踐進(jìn)展。

其中，InnoGaN支撐高功率密度/高效率核心供電方案方面，相同功率密度下GaN可實現(xiàn)更高效率，相同效率下GaN可實現(xiàn)更高的功率密度。InnoGaN在音響Class-D功放中具有顯著優(yōu)勢，比如高開關(guān)頻率、超低寄生電容、零反向恢復(fù)等。All-GaN車載充電機(jī)(OBC)解決方案中，具有能量雙向流動、效率高于Si /SiC MOSFET方案、成本低于SiC MOSFET方案等優(yōu)勢。All-GaN雙向APM解決方案中具有高開關(guān)頻率、DC/DC級高功率密度、低壓側(cè)低驅(qū)動損耗等優(yōu)勢。

嘉賓簡介

孟無忌，英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任工程師。自就讀博士起致力于研究氮化鎵晶體管高速和高頻應(yīng)用，發(fā)表SCI期刊論文3篇，國際學(xué)術(shù)會議論文8篇。目前在英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用部負(fù)責(zé)氮化鎵功率器件產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)，構(gòu)建InnoGaN產(chǎn)品與解決方案在數(shù)據(jù)中心、人工智能、新能源等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域的競爭力。