由山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、紹興中芯集成電路制造股份有限公司、泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、中電化合物半導(dǎo)體有限公司等單位聯(lián)合起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)系列標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿的編制。根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2023年3月22日起開(kāi)始征求意見(jiàn)，截止日期2023年4月21日。

T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》規(guī)定了8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸，適用于碳化硅切割片、研磨片和拋光片。

T/CASAS 026—202X《碳化硅少數(shù)載流子壽命測(cè)定 微波光電導(dǎo)法》規(guī)定了用微波光電導(dǎo)法測(cè)定碳化硅少數(shù)載流子壽命的方法，適用于4～12英寸碳化硅襯底片和碳化硅外延片及少數(shù)載流子壽命為20 ns～200 μs的碳化硅晶片。

T/CASAS 032—202X《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞等元素含量的測(cè)定，測(cè)定范圍為108 cm-2～1012 cm-2。本文件適用于4～8英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片，同時(shí)也適用于碳化硅退火片等無(wú)圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測(cè)定。