2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇
(CASICON 2023)
尊敬的各有關(guān)單位:
第三代半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、“東數(shù)西算”戰(zhàn)略和保障國家產(chǎn)業(yè)安全、經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的重要支撐。隨著5G、新能源汽車等市場發(fā)展,第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長。特別是近兩年碳化硅、氮化鎵功率器件的采用在眾多市場快速增長,覆蓋可再生能源與儲能、電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動等眾多領(lǐng)域,可帶來更小型、更輕量、更具經(jīng)濟(jì)效益的設(shè)計(jì),并更高效率地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換,從而賦能不計(jì)其數(shù)的新型清潔能源應(yīng)用,在全球朝向可持續(xù)電氣化轉(zhuǎn)型中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。我國目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已經(jīng)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈,從材料、裝備及工藝技術(shù)等方面也均實(shí)現(xiàn)了部分國產(chǎn)化替代,占據(jù)了一定的市場份額,但在材料、工藝與裝備一體化、大規(guī)模量產(chǎn)能力、器件性能與穩(wěn)定性等方面與國際先進(jìn)水平仍存在一定差距,要實(shí)現(xiàn)碳化硅關(guān)鍵裝備及工藝技術(shù)完全的國產(chǎn)自主可控,仍需產(chǎn)業(yè)上下游各方加強(qiáng)協(xié)作,攜手攻克難關(guān)。
為強(qiáng)化自主科技創(chuàng)新,提升核心裝備國產(chǎn)化供給能力,在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所、中南大學(xué)聯(lián)合組織籌辦,擬于5月5-7日在長沙市舉辦“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”,會議圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”,邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討,攜手促進(jìn)國內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會組委會
2023年4月
》》組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
承辦單位
中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
中南大學(xué)
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦單位
瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
中車時(shí)代電氣股份有限公司
......
》》主題方向
1、宏觀趨勢與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
·碳化硅全球發(fā)展趨勢、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景;
·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判;
·國產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)及未來展望;
·資金、人才、技術(shù)、市場等關(guān)鍵要素分析;
2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù);
·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術(shù)及關(guān)鍵裝備
·封裝材料、工藝及裝備技術(shù);
·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備探索;
3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈
·襯底、外延、器件等設(shè)計(jì)軟件及檢測裝備;
·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝、裝備的協(xié)同優(yōu)化;
·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn);
·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新;
4、規(guī)模應(yīng)用與市場探索
·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展;
·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景;
·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求;
·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰(zhàn)。
》》時(shí)間地點(diǎn)
論壇時(shí)間:2023年5月5-7日
論壇地點(diǎn):湖南·長沙
》》日程安排(具體報(bào)告陸續(xù)更新中)
時(shí)間 |
主要安排 |
||
5月5日 |
09:00 13:00 |
報(bào)到&資料領(lǐng)取 |
|
13:30 17:30 |
開幕大會+合影 |
||
18:00 21:00 |
歡迎晚宴 |
||
5月6日 |
09:00 12:00 |
分論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
12:00 13:30 |
午餐&交流 |
||
13:30 17:30 |
分論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
|
18:30 20:30 |
晚餐&結(jié)束 |
||
5月7日 |
08:30 12:00 |
商務(wù)考察活動&返程 (中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導(dǎo)體) |
|
備注:僅供參考,以現(xiàn)場為準(zhǔn)。 |
備注:詳細(xì)日程持續(xù)確認(rèn)&更新,最終以現(xiàn)場為準(zhǔn),敬請關(guān)注!
》》報(bào)告主題
報(bào)告主題安排 |
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考 |
碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國產(chǎn)化進(jìn)展 |
SiC器件和模塊的最新進(jìn)展 |
第三代半導(dǎo)體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望 |
碳化硅涂層石墨盤技術(shù) |
8英寸碳化硅單晶進(jìn)展 |
國產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展 |
SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢及工藝研究 |
SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求 |
SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備研發(fā) |
Sic MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) |
激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展 |
先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù) |
車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展 |
銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù) |
SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用 |
激光退火技術(shù) |
SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展 |
碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù) |
SiC晶體生長、加工技術(shù)和裝備 |
拋光裝備國產(chǎn)化之路 |
8寸碳化硅外延制備技術(shù) |
8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展 |
第三代半導(dǎo)體材料生長裝備與工藝自動化 |
化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案 |
GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展 |
Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究 |
GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工 |
第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化 |
激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
碳化硅單晶生長用石墨技術(shù) |
碳化硅缺陷檢測 |
碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù) |
第三代半導(dǎo)體器件工藝設(shè)備國產(chǎn)化探討 |
碳化硅半導(dǎo)體功率器件測試方案 |
碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求 |
光隔離探頭測試技術(shù) |
電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用 |
車規(guī)級碳化硅功率器件技術(shù)解析 |
SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展 |
半導(dǎo)體電子特氣國產(chǎn)化進(jìn)展 |
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展 |
碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景 |
車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展 |
第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場現(xiàn)狀與存在問題 |
硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢 |
圓桌討論:裝備國產(chǎn)化?存在的問題&發(fā)展建議 |
備注:以上報(bào)告主題僅供參考,報(bào)告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中,后續(xù)將集中公布。
》》注冊報(bào)名:
1、注冊費(fèi)2500元,4月29日前注冊報(bào)名2200元(含會議資料袋,5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預(yù)定中,請具體請咨詢。
2、交通費(fèi)、住宿費(fèi)等自理。
》》繳費(fèi)方式
1、通過銀行匯款
開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號:336 356 029 261
名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
2、線上繳費(fèi)
備注:在線注冊平臺注冊請務(wù)必填寫正確,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。
3、現(xiàn)場繳費(fèi)(接受現(xiàn)金和刷卡)
4、收款單位:本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會議唯一收款單位。
》》報(bào)告及論文發(fā)表聯(lián)系:
Frank 賈:18310277858,jiaxl@casmita.com
》》會議報(bào)名/參展/贊助咨詢:
為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流,組委會開辟出少量展示席位,數(shù)量有限,預(yù)訂從速。詳情可咨詢會議聯(lián)系人。
賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
張女士:13681329411,zhangww@casmita.com
張先生:18601159985,zhangtk@casmita.com
》》協(xié)議酒店
會議酒店: 長沙圣爵菲斯大酒店(湖南省長沙市開福區(qū)三一大道471號)
協(xié)議房價(jià):
·五星酒店房間:大/ 雙 床房 含雙早 468元/晚
·三星酒店房間:大/雙 床房 含雙早 258元/晚
(備注:三星酒店單獨(dú)用餐區(qū)用早餐,不能享用酒店健身房和游泳池,具體可咨詢酒店聯(lián)系人)
預(yù)訂聯(lián)系人:李子都 圣爵菲斯大酒店?duì)I銷經(jīng)理
電話:14726987349
郵箱:136379346@qq.com
備注:預(yù)定客房時(shí)提“碳化硅”或“半導(dǎo)體會議”均可享受協(xié)議價(jià)格。