據(jù) SNS Insider 報道，風能和太陽能等可再生能源的日益普及，導致對基于 GaN 的電力電子產(chǎn)品的需求不斷增加。這些設(shè)備對于可再生能源系統(tǒng)中的高效電源轉(zhuǎn)換和管理至關(guān)重要。

據(jù) SNS Insider 稱，“ GaN半導體器件市場 在 2022 年的估值達到 21.7 億美元，預計從 2023 年到 2030 年將以 22.1% 的復合年增長率增長，最終達到2030 年價值 107.3 億美元”。

GaN（氮化鎵）半導體器件是基于氮化鎵材料的電子元件。由于與傳統(tǒng)硅基器件相比具有卓越的性能，它們被廣泛用于各種應用，例如電力電子、射頻 (RF) 放大器和照明。與硅基器件相比，GaN 器件具有多項優(yōu)勢，例如更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更高的效率。這些特性使它們成為電力電子應用的理想選擇，可用于降低功耗、增加功率密度和提高整體系統(tǒng)效率。

市場分析

GaN 半導體器件市場主要受到諸如汽車、航空航天、國防和消費電子等各個行業(yè)對電力電子產(chǎn)品不斷增長的需求等因素的推動。與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN 器件具有多項優(yōu)勢，例如更高的功率密度、更高的效率和更快的開關(guān)速度，使其成為電力電子應用的理想選擇。此外，可再生能源的日益普及和對能源效率的日益關(guān)注也促進了市場的增長。對無線充電設(shè)備和電動汽車的需求不斷增長，預計將進一步推動市場增長。

經(jīng)濟衰退的影響

經(jīng)濟衰退影響了 GaN 半導體器件市場，導致需求和增長下降。然而，隨著可再生能源的日益普及和對電動汽車的需求不斷增長，市場有望在未來幾年逐漸復蘇，從而導致對 GaN 半導體器件的需求不斷增加。

重點區(qū)域發(fā)展

由于國防和航空航天工業(yè)對研發(fā)活動的投資不斷增加，北美的 GaN 半導體器件市場正在經(jīng)歷顯著的增長。這正在推動該地區(qū)市場的增長，使其成為全球主導市場。這一增長背后的關(guān)鍵因素之一是政府機構(gòu)向該地區(qū)的半導體公司提供了大量資金。這筆資金使這些公司能夠開展廣泛的研發(fā)活動，從而創(chuàng)造出各行各業(yè)需求量很大的創(chuàng)新 GaN 半導體器件。

GaN 半導體器件市場研究的主要收獲

GaN 半導體器件的耗盡模式工作模式部分有望在市場的增長和發(fā)展中發(fā)揮重要作用。耗盡型 GaN 器件的獨特特性和優(yōu)勢使其在一系列應用中極具吸引力，其不斷提高的成本效益有望進一步推動其市場需求。GaN 晶體管部分憑借其卓越的性能特征和不斷提高的成本效益有望在市場上占據(jù)重要份額。對節(jié)能電子產(chǎn)品的需求不斷增加以及電動汽車的采用預計將進一步推動各種應用中對 GaN 晶體管的需求。

與GaN 半導體器件市場相關(guān)的最新發(fā)展

總部位于英國的半導體公司 Cambridge GaN Devices 最近籌集了 1600 萬英鎊的資金，用于支持無晶圓廠半導體的開發(fā)和生產(chǎn)。這筆資金由投資公司 IQ Capital 牽頭，其他幾位投資者也參與其中。

全球領(lǐng)先的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應商 Transphorm 通過開設(shè)新的 GaN 應用實驗室擴大了其在中國的業(yè)務。該實驗室位于上海，將專注于為各種行業(yè)開發(fā)和測試基于 GaN 的新型電力電子應用。

（來源：半導體產(chǎn)業(yè)雜談）