一、政策及市場動向

1、甘肅武威“2023年政府工作報告”重點提及碳化硅等材料產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級

3月1日，甘肅省武威市人民政府官網(wǎng)對外發(fā)布“2023年政府工作報告”，其中提到“要加快碳化硅等材料產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，并計劃在2023年實施3萬片碳化硅襯底等項目”。

2、國產(chǎn)碳化硅功率芯片打入了日本市場

3月9日，據(jù)日本媒體消息，我國碳化硅打入了日本市場——Japan Power Device（JPD）公司將從3月開始銷售我國制造的碳化硅功率芯片。國產(chǎn)SiC將被以JPD品牌在日本銷售，并由JPD公司提供技術(shù)支持和質(zhì)量控制體系。關(guān)于為何要銷售中國的SiC器件，JPD給出了2個原因：一方面是因為日本SiC半導(dǎo)體制造商很少出售芯片，采購中國SiC可緩解日本功率模塊等供應(yīng)鏈下游企業(yè)對SiC芯片的需求；另一方面，主要是由于中國SiC產(chǎn)品價格較為低廉。據(jù)悉，JPD將從3家中國企業(yè)中采購SiC器件，產(chǎn)品包括650V、1200V的SiC SBD和SiC MOSFET，采用TO220和TO247封裝形式，樣品將于3月開始出貨。JPD還透露，他們將聯(lián)合一家日本的封裝測試(OSAT)公司，在4月左右為每個芯片準(zhǔn)備完整的測試。

3、更多地鐵線路搭載碳化硅技術(shù)

3月23日，據(jù)“中國城市軌道交通協(xié)會”官微報道，受西安地鐵與中車永濟委托，經(jīng)中國城市軌道交通協(xié)會批準(zhǔn)，“西安地鐵1號線三期碳化硅永磁牽引系統(tǒng)設(shè)計方案”評審會已由中國城市軌道交通協(xié)會技術(shù)裝備專業(yè)委員會于3月15日在西安組織召開。會上，經(jīng)專家組討論，一致通過項目研制的碳化硅永磁牽引系統(tǒng)設(shè)計方案，建議前期試驗穩(wěn)定后開展一列車碳化硅永磁牽引系統(tǒng)的裝車和試驗。據(jù)公開消息，截至目前，國內(nèi)已知的9條地鐵線路已經(jīng)搭載碳化硅技術(shù)，分別位于西安、廣州、珠海、武漢、上海、蘇州以及深圳等地。為地鐵提供碳化硅技術(shù)的均為中國中車集團旗下的控股子公司。

4、碳化硅技術(shù)在國內(nèi)外多家車企加速上車

繼一、二月份特斯拉、比亞迪、阿爾特、極氪、奔馳、起亞、一汽紅旗、吉利、大眾、捷尼賽思、現(xiàn)代、瑪莎拉蒂、雷克薩斯、奧迪上車碳化硅，三月份車企表現(xiàn)持續(xù)積極：

3月份，邁凱倫表示，其800V逆變器將搭載意法半導(dǎo)體的SiC模塊。目前，邁凱倫的800V碳化硅逆變器已成功“上車”美國混合動力跑車品牌Czinger。

3月7日，安森美表示已與寶馬汽車集團（BMW）簽署了長期供貨協(xié)議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動動力傳動系統(tǒng)。

3月9日，日產(chǎn)汽車宣布已經(jīng)開發(fā)出新一代電動動力總成“X-in-1”原型機，采用SiC技術(shù)，以及“無稀土”電機，預(yù)計到2026年電驅(qū)生產(chǎn)成本將降低30%。

3月15日，路虎攬勝宣布采用Wolfspeed碳化硅技術(shù)，預(yù)計將于2024年底推出。

3月中旬，小鵬G6已在工信部申報，有望于4月上海車展首發(fā)亮相。據(jù)悉，該車將搭載800V碳化硅高壓電驅(qū)平臺，預(yù)計滿電狀態(tài)續(xù)航可達600km+。

3月24日，“江鈴汽車”官微發(fā)文稱富山智能工廠（位于江西南昌）首批100臺江鈴E路達純電輕卡正式下線，這意味著江鈴E路達進入量產(chǎn)階段。值得注意的是，E路達攜手博世，全球首發(fā)SiC多合一控制器技術(shù)。

二、技術(shù)和產(chǎn)品

1、紅米300W GaN快充刷新手機快充記錄

2月28日，雷軍公眾號公開了一款名為“300瓦神仙秒充”的GaN充電器，5分鐘充滿100%電，刷新手機快充記錄。據(jù)悉，該快充基于Redmi Note 12探索版魔改而來，采用了定制的6:2電荷泵芯片，芯片最高轉(zhuǎn)換效率高達98%，多顆電荷泵并聯(lián)后直接給電池充電，實現(xiàn)了300瓦超大功率。此外，它還搭載了第四代GaN集成化方案，功率高、體積小、發(fā)熱低，效率也更高。在功率大漲43%的情況下，其體積與小米上一代210瓦充電器完全相同，功率密度達到2.31W/cm³。

2、廣汽埃安宣布900V碳化硅電驅(qū)技術(shù)取得突破性進展

近日，廣汽埃安官方正式發(fā)布了全新一代電驅(qū)技術(shù)群——夸克電驅(qū)，該動力系統(tǒng)最核心的技術(shù)之一是900V碳化硅功率模塊，能夠以最小的體積迸發(fā)出最大的功率。廣汽埃安表示，900V碳化硅技術(shù)結(jié)合全銀精準(zhǔn)低溫?zé)Y(jié)工藝，使SiC模塊回路雜感降低50%以上，熱阻降低約25%，芯片流通能力提升10%以上，功率循環(huán)壽命提升約10%。而結(jié)合SiC芯片驅(qū)動與保護，助力夸克電驅(qū)實現(xiàn)最高滿功率工作電壓900V，峰值功率高達320kW，最高效率超99.8%。

3、臺灣中山大學(xué)晶體研究中心生長出6英寸導(dǎo)電型4H SiC單晶

3月6日，臺灣導(dǎo)報發(fā)文稱，中國臺灣省國立中山大學(xué)晶體研究中心已經(jīng)成功生長出6英寸導(dǎo)電型4H碳化硅單晶。該大學(xué)的材料與光電科學(xué)學(xué)系教授兼國際長周明奇指出，6英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶的中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370μm/hr。而目前臺灣企業(yè)的生長速度約在150-200μm/hr之間，晶體穩(wěn)定性與良率仍有待提升。周明奇強調(diào)，目前團隊已投入8英寸導(dǎo)電型碳化硅生長設(shè)備研發(fā)設(shè)計，今年將持續(xù)推進碳化硅晶體生長核心技術(shù)，也正在打造高真空環(huán)境，研發(fā)生長半絕緣碳化硅。

4、盛新材料成功產(chǎn)出臺灣首片8英寸SiC襯底

3月14日，據(jù)中國臺灣媒體爆料，盛新材料已經(jīng)成功產(chǎn)出臺灣首片8英寸SiC襯底。盛新材料董事長謝明凱表示，這是臺灣成功試產(chǎn)的首爐8英寸SiC，由于臺灣SiC供應(yīng)鏈在8英寸仍未成熟，包括沒有8英寸的SiC切晶、晶圓廠及元件等產(chǎn)能，所以此次是由臺灣以外的伙伴完成首片8英寸襯底。2023年，盛新材料規(guī)劃65臺SiC長晶爐——廣運自制50臺、日本設(shè)備10臺、美國5臺。該公司稱，在所有長晶爐全數(shù)啟動的假設(shè)下，期望良率達70%。

5、廈門大學(xué)成功實現(xiàn)8英寸SiC同質(zhì)外延生長

廈門大學(xué)成功實現(xiàn)了8英寸碳化硅同質(zhì)外延生長，成為國內(nèi)首家擁有并實現(xiàn)該項技術(shù)的機構(gòu)；同時標(biāo)志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關(guān)技術(shù)。據(jù)悉，該外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×10¹?cmˉ³，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cmˉ²。廈門大學(xué)科研團隊負(fù)責(zé)人表示，該技術(shù)的實現(xiàn)是廈門大學(xué)與瀚天天成等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，通過克服了8英寸襯底應(yīng)力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現(xiàn)了基于國產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長。值得一提的是，瀚天天成一直致力于研發(fā)生產(chǎn)SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”被列為廈門市2023年重點項目之一。

6、萬年芯微電子推出首款SiC MOSFET技術(shù)的PIM模塊

最近，江西萬年芯微電子有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技術(shù)的PIM模塊，實現(xiàn)了對硅基IGBT芯片的模塊替代，在系統(tǒng)損耗方面降低了三分之一。與此同時，這款產(chǎn)品在技術(shù)上突破傳統(tǒng)PIM模塊灌封封裝模式，模塊體積減少約57％，而且使用了萬年芯自主研發(fā)的10項工藝創(chuàng)新，模塊可靠性得到大幅提升，非常適用于新能源汽車、充電樁、儲能等新興領(lǐng)域。所謂功率集成模塊（PIM）是一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼，內(nèi)部通常會將功率器件（IGBT、SiC MOSFET）、二極管、檢測電阻等其它元器件集成在一起，這種單個封裝可大幅減少生產(chǎn)裝配時間和器件數(shù)量，能夠降低系統(tǒng)成本和尺寸。

7、國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認(rèn)證

近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅實步伐。通過認(rèn)證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式，在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。

8、連城數(shù)控首次研制的液相法碳化硅長晶爐順利下線

液相SiC長晶技術(shù)具有多個優(yōu)勢，包括晶體質(zhì)量高、成本低、易擴徑、易實現(xiàn)穩(wěn)定的p型摻雜等，近年來受到高度關(guān)注。3月21日，連城數(shù)控官微發(fā)文稱，該公司半導(dǎo)體晶體事業(yè)部首次研制的液相法碳化硅長晶爐順利下線，經(jīng)檢驗各項性能達到預(yù)期目標(biāo)。公告還表示，連城數(shù)控今年一季度中標(biāo)某重點客戶190臺碳化硅感應(yīng)爐。

三、產(chǎn)業(yè)進展

1、企業(yè)/項目動態(tài)

（1）博康半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項目開工

3月6日，博康半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項目在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行正式開工，總投資約6億元，占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米，預(yù)計年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片。

（2）山東加睿晶欣年產(chǎn)10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底項目環(huán)評表公示

3月13日，濟寧國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)公示了山東加睿晶欣年產(chǎn)10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底項目環(huán)評表。該GaN項目于2019年3月開工建設(shè)，總投資15億元，總建筑面積10.1萬平米，建設(shè)涵蓋生產(chǎn)車間、研發(fā)中心、檢測等全系列產(chǎn)業(yè)鏈的標(biāo)準(zhǔn)化園區(qū)。根據(jù)公告，該項目一期將購置晶體生長爐、大型多線切割機、自動倒角機等先進設(shè)備266臺（套），形成長晶、切割、拋光、激光剝離等全鏈條生產(chǎn)線，年生產(chǎn)2英寸氮化鎵單晶襯底10萬片。

（3）博格華納碳化硅模塊項目啟用

3月14日，博格華納PDS蘇州研發(fā)中心暨二期廠房正式啟用，預(yù)計投產(chǎn)后將年產(chǎn)180萬臺功率電子控制單元。報道稱，博格華納研發(fā)中心將專注于電力電子、逆變器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品的全方位設(shè)計，并結(jié)合本土Viper功率模塊 (硅基IGBT模塊和碳化硅基MOSFET模塊）測試的開發(fā)，成為全球第二大Viper生產(chǎn)基地。據(jù)悉，博格華納二期廠房及研發(fā)中心總建筑面積2.2萬平方米，包含一幢可容納450名員工的四層研發(fā)中心大樓和一幢二層生產(chǎn)車間。

（4）愛仕特與臺灣漢磊達成多方面重要合作

3月15日，臺灣漢磊集團董事長徐建華到訪深圳愛仕特科技有限公司，雙方在以下方面達成重要合作：基于雙方2022年已簽署的LTA協(xié)議，漢磊將重點考慮滿足愛仕特的代工產(chǎn)能需求；1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準(zhǔn)備；共同合作開發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù)；共同合作開發(fā)SiC MOS 8英寸工藝技術(shù)。

（5）揚帆半導(dǎo)體“年產(chǎn)碳化硅襯底材料3萬片項目”環(huán)評表對外公布

近日，揚帆半導(dǎo)體“年產(chǎn)碳化硅襯底材料3萬片項目”環(huán)評表對外公布。根據(jù)報告，揚帆半導(dǎo)體擬投資7000萬元新建該碳化硅項目，占地面積1500平方米。早在2022年11月，蘇州市吳江區(qū)人民政府發(fā)布了該碳化硅項目備案證，并提到項目將于2023年開工，擬購置切割機、研磨機、雙面拋光機等各類生產(chǎn)、檢測及輔助設(shè)備37臺（套），預(yù)計建成后將年產(chǎn)碳化硅襯底材料3萬片。

（6）中核紀(jì)元之光碳化硅材料生產(chǎn)廠房及配套工程建設(shè)項目即將開建

3月16日，中國核工業(yè)集團電子采購平臺對外公示了“中核紀(jì)元之光碳化硅材料生產(chǎn)廠房及配套工程建設(shè)項目”的中標(biāo)候選人，投標(biāo)報價約為1456萬元或1633萬元。今年2月，該平臺還發(fā)布了該碳化硅項目建設(shè)的招標(biāo)公告。根據(jù)公告，該碳化硅項目位于陜西省延安市安塞區(qū)工業(yè)園區(qū)內(nèi)，建筑面積總計4569平方米，計劃施工總工期為365天。該項目主要生產(chǎn)的產(chǎn)品為碳化硅單晶材料，產(chǎn)能規(guī)劃為15000片/年，配套碳化硅單晶生長爐50 臺套（先期20臺套，后續(xù)30臺套），將提供N型碳化硅材料。消息報道，中電科2所未來將為該項目提供技術(shù)支持，并與中核匯能公司、陜西紀(jì)元之光新能源有限公司等共同推進SiC產(chǎn)業(yè)落地。此前，2022年12月，中電科2所官微發(fā)文稱，安塞區(qū)SiC襯底生產(chǎn)項目由中核匯能公司引入，陜西紀(jì)元之光新能源有限公司投資、建設(shè)、運營。

（7）總投資達80億元的天域半導(dǎo)體建設(shè)項目在東莞動工

3月17日，總投資達80億元的天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目在東莞市動工，建成后將用于生產(chǎn)6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，預(yù)計年產(chǎn)能120萬片。

（8）廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū)項目動工

3月17日，廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū)（松山湖）項目動工。該項目由東莞市中晶松湖半導(dǎo)體科技有限公司、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司投資44億元，占地面積約202畝，建筑面積約19萬平方米，建成后主要生產(chǎn)制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸Mini LED外延芯片。

（9）中國中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目開工

3月18日，一期投資59億元的中國中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目在宜興經(jīng)開區(qū)開工。此次開工的中國中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目投資體量大、科技含量高，項目一期投資59億元，產(chǎn)品主要用于新能源汽車領(lǐng)域，預(yù)計明年全面投入量產(chǎn)，達產(chǎn)后可新增年產(chǎn)36萬片中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，滿足每年300萬臺新能源汽車或300GW新能源發(fā)電裝機需求。

（10）世紀(jì)金光北京6英寸碳化硅晶圓線將升級改造

3月20日，世紀(jì)金光官微發(fā)布消息稱，其北京的6英寸碳化硅晶圓線將升級改造，并對外發(fā)布相關(guān)采購需求。此次項目有設(shè)備升級改造、設(shè)備二次配等需求，其中設(shè)備類需求達36臺套，承建方須有碳化硅設(shè)備升級加改造經(jīng)驗。

（11）聯(lián)合電子碳化硅模塊項目今年6月竣工

3月20日，聯(lián)合汽車電子太倉分公司二期項目已經(jīng)全面封頂，目前正處于內(nèi)部機電安裝階段，生產(chǎn)設(shè)備也在同步調(diào)試中，預(yù)計今年6月底竣工交付。報道稱，太倉聯(lián)電新能源汽車動力總成項目位于高新區(qū)，是由聯(lián)合汽車電子有限公司總投資50.5億元建設(shè)，總占地面積147畝，分為二期和三期廠房建設(shè)。其中，二期廠房于2022年7月開工，計劃將于今年7月投產(chǎn)，總建筑面積約2.2萬平方米，規(guī)劃布置2條電機線、1條電橋線以及3條碳化硅功率模塊生產(chǎn)線。二期項目達產(chǎn)后，聯(lián)電太倉分公司預(yù)計可年產(chǎn)汽車驅(qū)動電機120萬件、汽車驅(qū)動電橋60萬件、汽車功率模塊270萬件。

（12）颶芯科技國內(nèi)首條GaN激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)

3月22日，颶芯科技的氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會在柳州市舉行，柳州市市長張壯出席發(fā)布會并宣布產(chǎn)線正式投產(chǎn)。氮化鎵半導(dǎo)體激光器目前覆蓋近紫外（375nm）至綠光（532nm）的波長范圍，廣泛的應(yīng)用于激光曝光、激光顯示、激光焊接、激光照明、激光指示等重要領(lǐng)域。由于技術(shù)門檻較高，只有國際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。經(jīng)過兩年多的不懈努力，颶芯科技（hurricanechip.com）建成了國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線，產(chǎn)線包含8大工藝站點，擁有全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體量產(chǎn)設(shè)備100余臺，涵蓋襯底、外延、工藝與封測等各生產(chǎn)環(huán)節(jié)。颶芯科技技術(shù)團隊來源于北京大學(xué)。

（13）博世近68億汽車級碳化硅項目奠基開工

3月25日，博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地在蘇州工業(yè)園區(qū)奠基。博世計劃在未來幾年內(nèi)累計向“博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地”投資約70億人民幣（約10億美元），以擴大在華布局，進一步提升博世在電動智能出行領(lǐng)域的本土研發(fā)和制造實力。項目全部建成后計容面積超過30萬平方米，其中一期工程建筑面積超7萬平方米，共有四棟建筑，包括66000平方米的生產(chǎn)制造車間、3200平方米的能源中心、400平方米的倉庫及1700平方米的安防保障區(qū)，預(yù)計于2024年年中竣工。

（14）安徽西電蕪湖研究院舉辦寬禁帶半導(dǎo)體器件試制線通線儀式

3月25日，安徽西電蕪湖研究院舉辦了寬禁帶半導(dǎo)體器件試制線通線儀式，該項目建成后，將具備4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化鎵外延材料生長到器件研制的全套工藝流程能力。

（15）清華大學(xué)蘇州汽車研究院和至信微電子簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”

3月25日，清華大學(xué)蘇州汽車研究院宣布和深圳市至信微電子在蘇州吳江區(qū)正式簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”，旨在推動SiC技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的研究和運用，加速SiC在新能源車產(chǎn)線前端應(yīng)用的落地與定制開發(fā)。據(jù)悉，雙方將利用各自領(lǐng)域內(nèi)的尖端技術(shù)和資源，致力把研發(fā)中心建成國內(nèi)一流的碳化硅芯片及其功率模組等技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺、科技成果轉(zhuǎn)化平臺、碳化硅創(chuàng)新企業(yè)孵化平臺、碳化硅技術(shù)服務(wù)平臺和碳化硅專業(yè)人才培養(yǎng)平臺。

（16）泰科天潤北京總部項目舉行開工奠基儀式

3月27日，泰科天潤的北京總部項目舉行了開工奠基儀式。該項目規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，項目建成后，泰科天潤將整體遷入中關(guān)村順義園三代半產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)。2022年8月，泰科天潤競得北京市順義區(qū)1塊工業(yè)用地，用于擴大位于北京生產(chǎn)基地的碳化硅產(chǎn)能——計劃建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及6-8英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)基地。

（17）寶士曼半導(dǎo)體實驗室順利完成第一個客戶項目

3月27日，寶士曼半導(dǎo)體官微宣布，其實驗室已于近日順利完成第一個客戶項目，包含貼片與燒結(jié)工藝，實現(xiàn)了蘇州寶士曼工程服務(wù)由0到1的突破。報道稱，蘇州寶士曼工程中心實驗室已于2022年11月正式揭幕，復(fù)刻歐洲技術(shù)，聚焦功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，為國內(nèi)模塊廠商、新能源車企拉通先進封裝的工藝流程提供完整解決方案。目前，該實驗室已具備獨立承接項目的能力，幫助客戶從設(shè)計、打樣到小批量量產(chǎn)。此外，今年2月“寶士曼集成電路專用設(shè)備項目”被列入《2023年江蘇省重大項目清單》。據(jù)悉，該項目位于蘇州吳中高新區(qū)，占地面積50畝，建筑面積約7.5萬平方米，總投資10億元，年度計劃投資3億元。項目建成后用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，將加速助推寶士曼研發(fā)和生產(chǎn)裝配能力在蘇州落地。項目達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備250套，預(yù)計產(chǎn)值8.5億元，稅收7000萬元。

（18）盛美上海獲國內(nèi)SiC襯底制造商訂單

3月28日，消息透露，盛美上海首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。該采購訂單來自一家中國碳化硅襯底制造商，預(yù)計將在2023年第三季度末之前發(fā)貨。目前，該公司推出的 CMP 后清洗設(shè)備可用于高質(zhì)量硅襯底及碳化硅襯底的制造。

2、投資擴產(chǎn)

（1）總投資5.3億元 深圳華芯邦碳化硅芯片封裝項目簽約

2月28日，聊城高新區(qū)官微發(fā)文稱，深圳市華芯邦科技有限公司的碳化硅芯片封裝項目成功簽約并落戶山東聊城高新區(qū)，項目投資金額為5.3億元。目前，華芯邦自主研發(fā)的SiC電源芯片已經(jīng)成功打破國外壟斷，效能等參數(shù)均處于行業(yè)領(lǐng)先水平，產(chǎn)品可批量應(yīng)用在儲能系統(tǒng)、光伏儲能系統(tǒng)、新能源車系統(tǒng)等領(lǐng)域。華芯邦成立于2008年12月，是fab-lite模式數(shù)?；旌闲酒萍计髽I(yè)，目前已經(jīng)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多元化產(chǎn)品布局，包括 PMIC芯片、MCU芯片、MEMS芯片等。

（2）總投資25億元 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目簽約

3月3日，山東省東營市河口區(qū)人民政府與高金富恒集團在廣州舉行了“碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目”簽約儀式，項目總投資25億元，將年產(chǎn)6英寸碳化硅導(dǎo)電片36萬片，項目將在本月開工建設(shè)。

（3）總投資4.2億元 華凱科技建SiC封裝項目

3月13日，江門臺官網(wǎng)發(fā)文稱，華凱科技目前正在建設(shè)一個新項目，該項目占地24000平米，未來將成為華南地區(qū)重要的碳化硅和集成電路生產(chǎn)基地。根據(jù)華凱科技總經(jīng)理兼高級工程師李衛(wèi)國介紹，該項目將分兩期進行，第一期投資1.6億，目標(biāo)達到年產(chǎn)量40億只；第二期投資2.6個億，重點在碳化硅、功率器件、IGBT模塊、新能源應(yīng)用方面發(fā)展，兩期投資完成之后，年產(chǎn)量將達到70億只。

（4）碳化硅器件應(yīng)用制造項目落戶徐州高新區(qū)

3月20日，2023徐州（北京）投資洽談會在北京舉行。會上，共有10個項目簽約落戶銅山區(qū)（徐州高新區(qū)），其中包括一個碳化硅器件應(yīng)用制造項目。根據(jù)報道，該碳化硅器件應(yīng)用制造項目主要建設(shè)碳化硅模組產(chǎn)品制造基地，預(yù)計2027年全面達產(chǎn)，滿產(chǎn)年產(chǎn)值達9億元。

（5）總投資10.59億元 通科半導(dǎo)體芯片封裝測試產(chǎn)業(yè)項目奠基動工

3月24日，佛山市三水區(qū)云東海街道舉行了2023年重點項目簽約暨動竣工儀式，其中包括通科半導(dǎo)體芯片封裝測試產(chǎn)業(yè)項目奠基動工。該項目投資額達10.59億元，主要從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及制造，生產(chǎn)全系列功率器件與集成電路，還將專注于功率半導(dǎo)體器件與集成電路、MCU、車規(guī)級碳化硅、GaN等SiP封裝高端產(chǎn)品領(lǐng)域。

（6）平煤神馬與平發(fā)集團投資7億元生產(chǎn)碳化硅高純粉體

3月24日，據(jù)河南平頂山政府消息，中國平煤神馬控股集團與平頂山發(fā)展投資控股集團成立合資公司簽約儀式于23日在市黨政綜合辦公大樓舉行。據(jù)悉，中國平煤神馬和平發(fā)集團于今年年初共同出資，建設(shè)年產(chǎn)1000噸碳化硅高純粉體項目。項目公司名稱為河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司，總投資7億元，項目建成后產(chǎn)能將達全國第一、國內(nèi)市場占有率達到30%以上、全球市場占有率達到10%以上。

（7）總投資2.5億元 合盛硅業(yè)上海研發(fā)中心在南翔動工

3月27日，合盛硅業(yè)上海研發(fā)中心在南翔動工，預(yù)計全部建成后將著力研發(fā)碳化硅長晶技術(shù)和有機硅材料高端產(chǎn)品；該項目總投資為2.5億元，計劃2024年底竣工，達產(chǎn)后年產(chǎn)值約為7.1億元。

3、資本動態(tài)

（1）瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資

2月28日，據(jù)瞻芯電子官微消息已完成數(shù)億元B輪融資。據(jù)悉，本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構(gòu)跟投，老股東臨芯投資、光速中國、廣發(fā)信德持續(xù)追加。融資資金將進一步用于SiC領(lǐng)域。領(lǐng)頭機構(gòu)國方創(chuàng)新表示，瞻芯電子旗下碳化硅MOSFET、SBD、驅(qū)動IC三大產(chǎn)品均已完成車規(guī)級認(rèn)證，獲得多家下游行業(yè)龍頭認(rèn)可和大規(guī)模應(yīng)用，2022年自主建設(shè)的SiC晶圓廠已建成投產(chǎn)，成為了國內(nèi)極少數(shù)具備SiC MOSFET IDM能力的功率半導(dǎo)體整體解決方案商，這是尤其值得關(guān)注的。公開數(shù)據(jù)顯示，他們的SiC MOSFET累計量產(chǎn)出貨逾310萬顆。

（2）利普思完成超億元Pre-B輪融資

3月17日，利普思半導(dǎo)體官微發(fā)文稱已經(jīng)完成了Pre-B輪融資，金額超億元人民幣，由和高資本領(lǐng)投，上海瀛嘉匯及老股東聯(lián)新資本跟投。報道稱，利普思半導(dǎo)體本輪融資資金將主要用于公司在無錫和日本工廠產(chǎn)能的提升，擴大研發(fā)團隊，以及現(xiàn)金流儲備。同時，該公司還計劃在國內(nèi)建立一個百萬級IGBT和SiC模塊的生產(chǎn)基地，產(chǎn)能預(yù)計將實現(xiàn)十倍增長，預(yù)計于明年年底投產(chǎn)。利普思半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明表示，經(jīng)過本次Pre-B輪融資，到今年6月份，公司位于日本的工廠產(chǎn)能將達到30萬只/年，而無錫工廠在覆蓋SiC模塊生產(chǎn)和測試的同時，也兼顧車規(guī)級IGBT模塊，產(chǎn)能將達到90萬只/年。

（3）中科意創(chuàng)完成了數(shù)千萬元人民幣A+輪融資

3月20日，據(jù)36氪報道，中科意創(chuàng)已經(jīng)完成了數(shù)千萬元人民幣A+輪融資，由創(chuàng)新工廠獨家投資，融資資金將用于功率半導(dǎo)體先進封裝產(chǎn)線建設(shè)。截至目前，中科意創(chuàng)累計融資金額已超1億元。

/// 國外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動態(tài) ///

一、政策及市場動向

1、美國初創(chuàng)公司H3X開始向客戶交付高功率密度碳化硅電動機

據(jù)境外媒體《Aviation Week》報道，美國初創(chuàng)公司H3X開始向客戶交付高功率密度碳化硅電動機，客戶包括航空航天和國防應(yīng)用的電動飛機單位。根據(jù)H3X的介紹，他們正在根據(jù)美國國家航空航天局(NASA)的合同開展第一階段工作，設(shè)計一種電機，為NASA的亞音速單尾發(fā)動機(SUSAN)概念模型提供動力。SUSAN是一種續(xù)航為750英里的180座飛機，采用了混合動力動力系統(tǒng)。此前，NASA發(fā)布報告稱，其X-57 Maxwell實驗飛機的飛行前測試已成功步入關(guān)鍵階段，并表示該飛機的巡航電機控制器使用了碳化硅晶體管，在高功率起飛和巡航期間可提供98%的效率。

2、日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省推動日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重組整合

日前，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）公布了一項倡議，其中提到，日本政府將為碳化硅和其他半導(dǎo)體項目投資提供最多三分之一的資助，但前提是——只有投資金額超過2000億日元（約104億人民幣）以上的項目才會得到支持。METI在接受媒體采訪時表示，設(shè)定這個不容易達到的補貼數(shù)字，目的是推動日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重組整合，“我們認(rèn)為重組是必要的，海外功率半導(dǎo)體制造商的資金實力和資本投資遠遠超過日本制造商，他們太強大了，國內(nèi)單個公司無法與之競爭。即使日本制造商在技術(shù)實力上有優(yōu)勢，也將是一場硬仗”。

3、特斯拉宣稱下一代驅(qū)動單元SiC將減少75%引市場熱議

3月2日，特斯拉在投資者日活動公開宣稱該公司下一代驅(qū)動單元成本將降低約1000美元，碳化硅(SiC)將減少75%，相應(yīng)的工廠占地面積將減少50%。活動上，特斯拉表示，2022年Model 3的成本已降低了30%，但下一代汽車的生產(chǎn)成本還將降低超過50%。而降低驅(qū)動單元的造價是特斯拉降低汽車生產(chǎn)成本的關(guān)鍵一環(huán)。通過碳化硅器件、電池等多個方面的優(yōu)化，他們可將驅(qū)動單元的成本降低約1000美元（近7000元人民幣），并且認(rèn)為其他任何汽車制造商很難做到。最為關(guān)鍵的是特斯拉提出要減少碳化硅器件用量——“我們找出了一種減少75％器件用量的方法，但不會損害汽車的性能或效率”。當(dāng)前碳化硅SiC功率器件價格較高，是硅基IGBT的3-5倍左右。顯然這對于現(xiàn)在面臨投資者壓力的特斯拉來說太貴了。業(yè)界人士普遍對碳化硅的市場前景是確定性的，唯一讓大家恐慌的是特斯拉減少那么多的用量（75%）會不會造成市場需求的下滑。受消息刺激，A股市場碳化硅板塊持續(xù)低走。3月1日至3日，3個交易日內(nèi)東尼電子大跌逾18%、天岳先進跌7.9%，天富能源跌逾5%、晶盛機電跌近6%。

4、美國總統(tǒng)拜登“投資美國”之旅第一站視察Wolfspeed總部

美國東部時間3月28日，美國總統(tǒng)拜登視察了位于美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed總部，作為“投資美國（Invest in America）”之行的首站。拜登強調(diào)了政府將進一步促進美國制造業(yè)發(fā)展，重建國家基礎(chǔ)設(shè)施，并增強供應(yīng)鏈。美國商務(wù)部部長吉娜·雷蒙多和北卡羅來納州州長羅伊·庫珀同時出席。拜登“投資美國”之旅的第一站視察Wolfspeed總部，顯示出美國政府對碳化硅這一第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和部件的重視程度。碳化硅是美國芯片法案重點支持的方向之一，根據(jù)美國商務(wù)部概述，該法案計劃向碳化硅、碳納米管、成熟芯片行業(yè)提供大約100億美元資助。據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)分析，從法案提出到頒布，美國各地新增了50多個半導(dǎo)體項目，投資金額超過2100億美元。其中，碳化硅項目建設(shè)企業(yè)包括：Wolfspeed、Coherent(貳陸)、Microchip、SK Siltron CSS、安森美、Pallidus、Entegris等。同一天，Wolfspeed宣布將與北卡羅來納州農(nóng)業(yè)與技術(shù)州立大學(xué)一起申請美國芯片法案資金，用于在北卡羅來納州農(nóng)業(yè)與技術(shù)大學(xué)校園內(nèi)建立一個新的碳化硅研發(fā)設(shè)施，打算在今年秋天將該項目的資助申請?zhí)峤唤o美國聯(lián)邦政府。

二、技術(shù)和產(chǎn)品

1、東京大學(xué)孵化公司Gaianixx計劃使用“中間膜”技術(shù)提升外延質(zhì)量

日媒發(fā)文介紹了東京大學(xué)孵化公司Gaianixx的外延生長技術(shù)——計劃使用“中間膜”技術(shù)來防止SiC襯底缺陷轉(zhuǎn)移到外延生長環(huán)節(jié)，還可以用在硅襯底上生長SiC外延。根據(jù)官網(wǎng)，Gaianix成立于2021年11月，計劃引進年產(chǎn)7000片中間膜的外延生產(chǎn)設(shè)備，2024年左右開始量產(chǎn)設(shè)備。他們計劃在2025年前后進入SiC等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。Gaianixx利用獨特的技術(shù)解決了“馬氏體外延”的傳統(tǒng)難題，可以實現(xiàn)高品質(zhì)的多層單晶。

2、昭和電工官宣開發(fā)出第三代SiC外延片并開始量產(chǎn)

3月1日，Resonac（昭和電工改名）官網(wǎng)宣布，他們開發(fā)出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已經(jīng)開始量產(chǎn)，質(zhì)量優(yōu)于第二代SiC外延片（HGE-2G）。據(jù)悉，HGE-3G在高電流密度下具有高可靠性，將為SiC功率模塊的普及做出貢獻。

3、EEMCO同萊奧本礦業(yè)大學(xué)利用數(shù)字建模提升SiC晶體生長質(zhì)量

3月6日，據(jù)外媒報道，奧地利的萊奧本礦業(yè)大學(xué)在開發(fā)新的建模方法，目標(biāo)是幫助碳化硅企業(yè)提高單晶生長質(zhì)量。據(jù)該校負(fù)責(zé)人介紹，通過PVT法生產(chǎn)高質(zhì)量的SiC晶體，需要能夠盡可能精確地預(yù)測晶體生長過程。雖然傳統(tǒng)物理建模已經(jīng)很先進了，然而這需要大量的數(shù)據(jù)和相應(yīng)數(shù)量的實驗，需要耗費大量的時間和財力。為此，該校CD實驗室希望結(jié)合基于物理和數(shù)據(jù)驅(qū)動的模型，以獲得盡可能高效和可預(yù)測的碳化硅晶體生長方法，他們的合作伙伴是碳化硅襯底廠商EEMCO GmbH。EEMCO是一家成立于2020年底的初創(chuàng)公司，由EBNER集團控股。該公司已經(jīng)開發(fā)出4H SiC單晶生長爐，正在邁向8英寸4H SiC單晶制造，工廠位于奧地利萊昂丁，目前EEMCO運營著15個研究爐，使用PVT工藝在氣相中生長SiC單晶。

4、GaN Systems發(fā)表最新11kW/800V氮化鎵車載充電器參考設(shè)計

3月20日，GaN Systems在應(yīng)用電力電子會議(APEC 2023)上發(fā)表了最新11kW/800V氮化鎵車載充電器(On-Board Charger)參考設(shè)計，與采用碳化硅晶體管產(chǎn)品相比，提高36%功率密度，降低至少15%整體物料清單(BOM)成本。這款突破性創(chuàng)新11kW/800V氮化鎵車載充電器設(shè)計，結(jié)合無橋圖騰柱功率因子校正(PFC)結(jié)構(gòu)的三階飛跨電容(flying capacitor)拓樸，及雙主動橋式AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器，在功率密度及總物料成本上與市場做出區(qū)隔。三階飛跨電容拓樸中所采用的氮化鎵晶體管能達到優(yōu)異的切換頻率，有效減低一半電壓壓力，使650V GaN晶體管也能應(yīng)用于這款或其他800V電源系統(tǒng)中。

三、產(chǎn)業(yè)進展

1、企業(yè)/項目動態(tài)

（1）Coherent官宣未來五年內(nèi)SiC晶圓產(chǎn)量至少增加六倍

3月7日，Coherent宣布在加快對150毫米和200毫米碳化硅（SiC）襯底和外延晶圓生產(chǎn)的投資，在賓夕法尼亞州的Easton和瑞典的Kista進行大規(guī)模的工廠擴建（這是該公司先前宣布的在未來10年內(nèi)對碳化硅投資10億美元的一部分）。據(jù)悉，Coherent將大力建設(shè)其位于Easton的近30萬平方英尺的工廠，以擴大其最先進的150毫米和200毫米SiC襯底和外延晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。預(yù)計到2027年，Easton的150毫米和200毫米SiC襯底的年產(chǎn)量將達到相當(dāng)于100萬片。據(jù)介紹，Coherent的客戶正在加快其計劃，以應(yīng)對電動汽車對SiC電力電子器件的預(yù)期需求浪潮，高意預(yù)計這一浪潮將緊隨當(dāng)前的工業(yè)、可再生能源、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的采用周期而來。未來五年內(nèi)，Easton工廠將使Coherent在SiC晶圓的產(chǎn)量至少增加六倍，還將成為高意的200毫米SiC外延晶圓的旗艦制造中心。

（2）Onsemi與寶馬汽車集團簽署長期供貨協(xié)議

3月7日，據(jù)Onsemi官網(wǎng)消息已與寶馬汽車集團（BMW）簽署了長期供貨協(xié)議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動動力傳動系統(tǒng)。Onsemi此前透露，電動汽車、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、替代能源和工業(yè)自動化等長期增長的大趨勢是被重點關(guān)注的，Onsemi與3家領(lǐng)先的新能源汽車新勢力簽訂了長期供應(yīng)協(xié)議，并將這種合約關(guān)系擴大到更多戰(zhàn)略客戶，也與10家能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)軍企業(yè)中的7家建立了合作。目前與客戶簽訂了大量的長期供應(yīng)協(xié)議，預(yù)計在未來3年將帶來40億美元的碳化硅收入。根據(jù)寶馬集團的規(guī)劃，到2025年底，寶馬將累計交付200萬輛純電動車；預(yù)計到2030年，寶馬將在全球累積交付約1000萬輛純電動汽車。

（3）Aehr獲得價值約4600萬元SiC設(shè)備部件訂單

3月14日，Aehr宣布收到一家SiC器件供應(yīng)商的價值670萬美元（約4600萬人民幣）的后續(xù)訂單——采購WaferPak™全晶圓接觸器，以滿足電動汽車市場對碳化硅功率半導(dǎo)體不斷增長的產(chǎn)能需求。Aehr表示，這批WaferPak™全晶圓接觸器預(yù)計將從本財季開始交付，持續(xù)到2023年8月31日完成交付發(fā)貨。據(jù)悉，采購方是一家500強半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，并且是Aehr的老客戶。

（4）Wolfspeed與美爾森、西格里碳素公司達成長期供應(yīng)協(xié)議

3月14日，據(jù)美爾森官網(wǎng)消息已與Wolfspeed簽署了一份重要合同，為后者提供石墨和其他高性能材料，以支持?jǐn)U大Wolfspeed的材料產(chǎn)能，滿足碳化硅材料和器件快速增長的需求。據(jù)介紹，該協(xié)議涵蓋五年期限，在此期間美爾森的銷售額約為4億美元（約27.5億人民幣）；而美爾森也將增加其設(shè)備和產(chǎn)能以滿足Wolfspeed的需求激增，計劃在2023年至2025年期間在美國投資約1.2億美元（約8.25億人民幣）。

3月28日，西格里碳素公司官網(wǎng)稱已經(jīng)與Wolfspeed達成了一項長期供應(yīng)協(xié)議，將為Wolfspeed碳化硅生產(chǎn)設(shè)施提供關(guān)鍵石墨部件，用于后者在莫霍克谷工廠和北卡羅來納州工廠的生產(chǎn)。

（5）羅姆預(yù)計在碳化硅方面五年投入約87-112億元

最近，羅姆表示正在不斷地進行碳化硅方面的投資，預(yù)計在2021-2025五年投入1700-2200億日元（約87-112億元人民幣）。相比2021年，預(yù)計2025年羅姆的碳化硅產(chǎn)能提升6倍，到2030年提升25倍。羅姆的兩個碳化硅生產(chǎn)基地——宮崎基地，還有阿波羅筑后工廠的新廠房也都投入使用。

2、投資擴產(chǎn)

（1）SweGaN官宣在瑞典建造GaN外延生產(chǎn)設(shè)施

3月2日，SweGaN官網(wǎng)宣布正在瑞典的創(chuàng)新材料集群建設(shè)一個新總部，包括一個大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。報道稱，該項目計劃于今年第二季度末完成，將部署創(chuàng)新制造工藝，以大批量生產(chǎn)下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預(yù)計年產(chǎn)能將高達4萬片4/6英寸外延片。

（2）約133億元 三菱電機官宣向功率器件業(yè)務(wù)投資擴產(chǎn)

3月14日，三菱電機官網(wǎng)宣布，將在2021財年至2025財年向功率器件業(yè)務(wù)投資2600億日元（約合人民幣133億元），投資金額是之前宣布的投資計劃的兩倍。其中，約1000億日元（約合人民幣51億元）將用于建造一個新的8英寸SiC晶圓廠，并增強相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)施，以應(yīng)對電動汽車市場的擴張需求。

（3）豐田通商聯(lián)合關(guān)西學(xué)院成立SiC功率半導(dǎo)體晶圓研發(fā)公司

豐田集團一直都在研發(fā)碳化硅襯底，并且實現(xiàn)了溝槽SiC MOSFET、模組等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)布局。3月22日，豐田通商株式會社宣布，他們聯(lián)合關(guān)西學(xué)院大學(xué)成立了一家SiC功率半導(dǎo)體晶圓研發(fā)公司——QureDA Research。該公司將專注以一種新的晶圓制造方法研發(fā)制造8英寸SiC晶圓，目標(biāo)在2025年將該技術(shù)實現(xiàn)商業(yè)化。據(jù)悉，QureDA Research注冊資金為4.5億日元（約2360萬人民幣），由豐田通商和關(guān)西學(xué)院各出資50%成立。

3、資本動態(tài)

（1）總價57.4億！英飛凌收購GaN Systems

根據(jù)英飛凌3月2日官網(wǎng)消息，他們與GaN Systems公司宣布，雙方已簽署最終協(xié)議，英飛凌將以8.3億美元（約合人民幣57.39億元）收購GaN Systems。根據(jù)公告，英飛凌計劃以全現(xiàn)金收購GaN Systems，資金將來自現(xiàn)有的流動資金。

對這次收購，英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，“基于無與倫比的研發(fā)資源、應(yīng)用理解和客戶項目管道，這次計劃收購GaN Systems將顯著加快我們的GaN路線圖。根據(jù)我們的戰(zhàn)略，此次合并將通過掌握所有相關(guān)的電源技術(shù)，無論是硅、碳化硅還是氮化鎵，進一步加強英飛凌在電源系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

而GaN Systems首席執(zhí)行官Jim Witham表示:“GaN Systems團隊很高興與英飛凌合作，在整合互補優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，為客戶提供高度差異化的產(chǎn)品。憑借我們在提供卓越解決方案方面的共同專長，我們將最佳地利用GaN的潛力。將GaN系統(tǒng)的代工資源與英飛凌的內(nèi)部制造能力相結(jié)合，可以實現(xiàn)最大的增長能力，讓我們服務(wù)的廣泛目標(biāo)市場加速采用GaN。”

（2）NI收購德國SET GmbH

3月6日，NI宣布收購SET GmbH（簡稱“SET”）。SET主要致力于航空航天和國防測試系統(tǒng)開發(fā)，是功率半導(dǎo)體可靠性測試領(lǐng)域的創(chuàng)新者。據(jù)悉，未來NI和SET將共同縮短關(guān)鍵的、高度差異化的解決方案的上市時間，并以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等功率電子材料為切入點，加速從半導(dǎo)體到汽車的供應(yīng)鏈融合。對于此次收購，NI表示將擴大它在汽車功率半導(dǎo)體可靠性系統(tǒng)中的機會，這是一個高增長的投資領(lǐng)域。

NI執(zhí)行副總裁兼事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示，“汽車供應(yīng)鏈正在經(jīng)歷一場變革，原始設(shè)備制造商（OEM）和半導(dǎo)體廠商都在新技術(shù)領(lǐng)域迅速創(chuàng)新。對于這些新技術(shù)在新型電動汽車中的表現(xiàn)能進行充分預(yù)測并說明的能力對于產(chǎn)品最終性能和安全性至關(guān)重要”。