新材料是半導(dǎo)體芯片發(fā)展的基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料是芯片高速發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)力，同時(shí)可帶動(dòng)多學(xué)科發(fā)展，化合物半導(dǎo)體材料是芯片發(fā)展的重要推動(dòng)力。

4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)在武漢開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實(shí)驗(yàn)室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺(tái)聯(lián)盟共同主辦。

開幕大會(huì)上，中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍分享了化合物半導(dǎo)體器件進(jìn)展與挑戰(zhàn)。集成電路工藝和半導(dǎo)體器件不斷發(fā)展，后摩爾時(shí)代開始關(guān)注化合物半導(dǎo)體材料，寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件具有寬禁帶半導(dǎo)體芯片具有優(yōu)越的功率特性。報(bào)告分享了硅基新型高遷移率材料與晶體管的重要進(jìn)展、氮化物半導(dǎo)體器件、氧化鎵超寬禁帶半導(dǎo)體器件等技術(shù)的重要進(jìn)展。涉及70nm柵長氮化鎵超高頻器件、GaN毫米波器件、低開啟電壓毫米波GaN SBD、硅基(低成本)氮化鎵材料與器件、高耐壓一萬伏的氮化鎵電力電子器件、 氧化鎵肖特基器件研究進(jìn)展、氧化鎵MOS器件等的研究進(jìn)展。

報(bào)告指出，Ga₂O₃可用于高壓、低損耗、大功率電子器件電子，電力損耗理論上大約為硅材料的1/3400、碳化硅的1/10。微系統(tǒng)所和西電采用smart cut轉(zhuǎn)移了wafer級(jí)氧化鎵薄膜于高熱導(dǎo)率襯底，部分解決了氧化鎵襯底低熱導(dǎo)率的問題。目前實(shí)現(xiàn)了4英寸氧化鎵材料的轉(zhuǎn)移。

由于SiC和Si襯底的高熱導(dǎo)率，異質(zhì)集成Ga₂O₃MOSFET器件展現(xiàn)了遠(yuǎn)比體器件更優(yōu)異的溫度相關(guān)特性。未來要發(fā)展異質(zhì)異構(gòu)集成電路，包括開放、可互操作的芯粒（chiplet）生態(tài)系統(tǒng) ，推動(dòng)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的不斷的發(fā)展。