隨著新能源汽車的普及及5G的商用,量產(chǎn)新能源車型中搭載碳化硅(SiC)以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵,催生了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從襯底-外延-器件-模塊-應(yīng)用巨大的市場(chǎng)需求。我國(guó)目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已經(jīng)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈,從材料、裝備及工藝技術(shù)等方面也均實(shí)現(xiàn)了部分國(guó)產(chǎn)化替代,要實(shí)現(xiàn)碳化硅關(guān)鍵裝備及工藝技術(shù)完全的國(guó)產(chǎn)自主可控,仍需產(chǎn)業(yè)上下游各方加強(qiáng)協(xié)作,攜手攻克難關(guān)。
2023年5月5-7日,“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”將于長(zhǎng)沙召開(kāi)。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下,由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所聯(lián)合組織籌辦。
自半導(dǎo)體誕生以來(lái),半導(dǎo)體材料便不斷升級(jí)。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。碳化硅是最接近大規(guī)模商業(yè)化的第三代半導(dǎo)體材料,SiC器件正廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域中,作為制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。國(guó)內(nèi)外紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展布局,各地碳化硅項(xiàng)目漸次落,“枝繁葉茂”的同時(shí),也給業(yè)界帶來(lái)如何避免過(guò)度分散以及更好規(guī)?;l(fā)展的思考。
本屆論壇,泰科天潤(rùn)董事長(zhǎng)陳彤將受邀出席并帶來(lái)大會(huì)報(bào)告,就當(dāng)前碳化硅項(xiàng)目到底要建多大線的問(wèn)題,分析碳化硅行業(yè)規(guī)模化發(fā)展的謎題與難題。
欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果,敬請(qǐng)關(guān)注論壇,也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)<?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流,共商合作事宜。
陳彤,泰科天潤(rùn)董事長(zhǎng),中關(guān)村高端領(lǐng)軍人才,科技部第三代半導(dǎo)體專家組成員。深耕碳化硅領(lǐng)域數(shù)余載,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、量產(chǎn)及產(chǎn)品應(yīng)用方面取得顯著成果。陳彤博士帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)建成國(guó)內(nèi)第一條碳化硅(SiC)功率器件研發(fā)和量產(chǎn)生產(chǎn)線,并成功實(shí)現(xiàn)碳化硅(SiC)公司針對(duì)新能源、電動(dòng)汽車、通訊信息產(chǎn)業(yè),提供各類型碳化硅核心器件、及多套行業(yè)解決方案。
陳彤博士率領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)2013年開(kāi)始全面投入碳化硅產(chǎn)業(yè),依托當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)唯一的量產(chǎn)型高溫離子注機(jī)等成套設(shè)備平臺(tái),以及產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)團(tuán)隊(duì),通過(guò)多年的市場(chǎng)化鑄造,掌握了碳化硅功率器件的設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝和制造品控全套技術(shù),公司榮獲半導(dǎo)體協(xié)會(huì)創(chuàng)新產(chǎn)品、中國(guó)芯等系列大獎(jiǎng)榮譽(yù),得到半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的一致首肯。公司已建設(shè)成為一個(gè)擁有自主SBD、MOSFET等SiC器件核心芯片技術(shù)、滿足國(guó)內(nèi)外用戶的高端需求,引領(lǐng)我國(guó)SiC器件制造的研發(fā)和生產(chǎn)企業(yè)。
公司介紹
泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司是中國(guó)碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一,致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。 泰科天潤(rùn)在北京擁有一座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠,可在4/6英寸SiC晶圓上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。 作為國(guó)內(nèi)碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司,泰科天潤(rùn)的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。
目前泰科天潤(rùn)的碳化硅器件650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,3300V/0.6A-50A等系列的產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品質(zhì)量完全可以比肩國(guó)際同行業(yè)的先進(jìn)水平。泰科天潤(rùn)通過(guò)與產(chǎn)業(yè)同行、科研院所、國(guó)內(nèi)外專家共同探索與開(kāi)發(fā),正在將SiC功率器件推廣到更多更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。
論壇信息
組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.ybx365.cn)
承辦單位
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦單位
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
中車時(shí)代電氣股份有限公司
中南大學(xué)
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贊助支持
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
寧波恒普真空科技股份有限公司
蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
忱芯科技(上海)有限公司
蘇州博宏源機(jī)械制造有限公司
江蘇晶工半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
蘇州德龍激光股份有限公司
北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
布魯克(北京)科技有限公司
山東海金石墨科技有限公司
湖南德智新材料有限公司
浙江凱威碳材料有限公司
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
浙江飛越機(jī)電有限公司
中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司
吉永商事株式會(huì)社
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
北京媯水科技有限公司
昂坤視覺(jué)(北京)科技有限公司
山西中電科新能源技術(shù)有限公司
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主題方向
1、宏觀趨勢(shì)與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
·碳化硅全球發(fā)展趨勢(shì)、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景;
·國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判;
·國(guó)產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)及未來(lái)展望;
·資金、人才、技術(shù)、市場(chǎng)等關(guān)鍵要素分析;
2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
·碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù);
·外延材料生長(zhǎng)、芯片制造等核心工藝技術(shù)及裝備
·封裝材料、工藝及裝備技術(shù);
·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備;
3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈
·襯底、外延、器件等設(shè)計(jì)軟件及檢測(cè)裝備;
·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協(xié)同優(yōu)化;
·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn);
·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新;
4、規(guī)模應(yīng)用與市場(chǎng)探索
·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展;
·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景;
·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求;
·市場(chǎng)動(dòng)力、核心競(jìng)爭(zhēng)力塑造與面臨挑戰(zhàn)。
時(shí)間地點(diǎn)
2023年5月5-7日
湖南·長(zhǎng)沙·圣爵菲斯大酒店
日程安排(具體報(bào)告陸續(xù)更新中)
開(kāi)幕大會(huì)日程安排
時(shí)間 |
主要安排 |
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5月5日 |
09:00-13:00 |
報(bào)到&資料領(lǐng)取 |
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13:30-17:30 |
開(kāi)幕大會(huì)+圓桌對(duì)話 |
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18:00-21:00 |
歡迎晚宴 |
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5月6日 |
09:00-12:00 |
分論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
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18:30-20:30 |
晚餐&結(jié)束 |
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5月7日 |
09:00-12:00 |
商務(wù)考察活動(dòng)&返程 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤(rùn)或湖南三安半導(dǎo)體) |
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備注:僅供參考,以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。 |
平行論壇1:
備注:目前報(bào)告順序不分先后,最終日程將持續(xù)更新,敬請(qǐng)關(guān)注!
平行論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
時(shí)間:第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30 |
主題:SiC MOS器件可靠性制造技術(shù)及裝備 嘉賓:王德君--大連理工大學(xué)教授 |
主題:國(guó)產(chǎn)化碳化硅注入機(jī)發(fā)展情況 嘉賓:羅才旺--北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經(jīng)理 |
主題:SiC MOSFET器件及其應(yīng)用研究的思路和探索 嘉賓:王俊--湖南大學(xué)超大功率半導(dǎo)體研究中心主任,教授 |
主題:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局 嘉賓:湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
主題:適配xEV動(dòng)力域控制器的SIC電機(jī)控制器 嘉賓:陳文杰--陽(yáng)光動(dòng)力電控研發(fā)中心總監(jiān) |
主題:碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術(shù)探索 嘉賓:梅云輝--天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院 院長(zhǎng) |
主題:SIC晶圓全制程質(zhì)量控制解決方案 嘉賓:鄒偉金--蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理 |
主題:碳化硅長(zhǎng)晶爐石墨熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的國(guó)產(chǎn)化探索 嘉賓:趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng) |
主題:碳化硅功率半導(dǎo)體模塊精準(zhǔn)動(dòng)靜態(tài)特性與可靠性測(cè)試解決方案 嘉賓:陸 熙--忱芯科技技術(shù)總監(jiān) |
主題:碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 嘉賓:孔令沂--杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng) |
主題:碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案 嘉賓:劉國(guó)敬--北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理 |
主題:碳化硅晶圓減薄裝備技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì) 嘉賓:尹韶輝--湖南大學(xué)教授 |
主題:大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展(TBD) 嘉賓:方子文--AIXTRON SE中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理 |
主題:碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用挑戰(zhàn) 嘉賓:TBD |
主題:碳化硅單晶用碳化鉭技術(shù)(TBD) 嘉賓:寧波恒普真空科技股份有限公司 |
主題:先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造 嘉賓:孫占帥--北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司工藝部部長(zhǎng) |
主題:半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件材料開(kāi)發(fā)及應(yīng)用 嘉賓:余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO |
主題:碳化硅同質(zhì)外延層厚度無(wú)損紅外反射光譜法測(cè)試分析 嘉賓:雷浩東--布魯克(北京)科技有限公司應(yīng)用工程師 |
備注:以上報(bào)告順序不分先后,最終日程將持續(xù)更新,敬請(qǐng)關(guān)注! |
備注:平行論壇日程安排正在逐一敲定中,后續(xù)每日將持續(xù)更新!
擬參會(huì)單位
山東天岳,天科合達(dá),河北同光,山西爍科晶體,南砂晶圓,東莞天域,英飛凌,安森美, 瀚天天成,瞻芯電子,清純半導(dǎo)體,蔚來(lái)汽車,中南大學(xué),湖南大學(xué),基本半導(dǎo)體,士蘭微,高意半導(dǎo)體,中科院半導(dǎo)體所,中科院物理所,武漢大學(xué),武漢理工大學(xué),國(guó)防科技大學(xué),AIXTRON SE, 中電科四十六所,中電科二所,中電科十三所,中電科五十五所,晶越半導(dǎo)體,小鵬汽車,山東大學(xué),理想汽車,長(zhǎng)安汽車、超芯星,中電化合物,世紀(jì)金光,浙江大學(xué),西安交通大學(xué),復(fù)旦大學(xué)、海乾半導(dǎo)體、富士電機(jī)、三菱電機(jī).....
更多報(bào)主題安排
平行論壇報(bào)告主題安排
1.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)
2.第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國(guó)產(chǎn)化思考
3.碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
4.SiC器件和模塊的最新進(jìn)展
5.第三代半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)裝備現(xiàn)狀及展望
6.碳化硅涂層石墨盤(pán)技術(shù)
7.8英寸碳化硅單晶進(jìn)展
8.國(guó)產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展
9.SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢(shì)及工藝研究
10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求
11.SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備研發(fā)
12.SiC MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
13.激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
14.先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù)
15.車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展
16.銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù)
17.SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用
18.激光退火技術(shù)
19.SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
20.碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)
21.SiC晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和裝備
22.拋光裝備國(guó)產(chǎn)化之路
23.8寸碳化硅外延制備技術(shù)
24.8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展
25.第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)裝備與工藝自動(dòng)化
26.化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案
27.GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展
28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究
29.GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工
30.第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化
31.激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
32.碳化硅單晶生長(zhǎng)用石墨技術(shù)
33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測(cè)
34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù)
35.金剛石半導(dǎo)體技術(shù)
36.碳化硅半導(dǎo)體功率器件測(cè)試方案
37.碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求
38.光隔離探頭測(cè)試技術(shù)
39.電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用
40.金剛石單晶生長(zhǎng)技術(shù)
41.SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展
42.半導(dǎo)體電子特氣國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
43.半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
44.碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景
45.車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展
46.第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀與存在問(wèn)題
47.硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)
48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術(shù)
備注:以上部分報(bào)告主題僅供參考,報(bào)告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中,后續(xù)將集中公布。
注冊(cè)報(bào)名:
1、注冊(cè)費(fèi)2500元,4月29日前注冊(cè)報(bào)名2200元(含會(huì)議資料袋,5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預(yù)定中,請(qǐng)具體請(qǐng)咨詢。
2、交通費(fèi)、住宿費(fèi)等自理。
展覽展示
為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流,組委會(huì)開(kāi)辟出少量展示席位,數(shù)量有限,預(yù)訂從速。詳情可咨詢會(huì)議聯(lián)系人。
繳費(fèi)方式
1、通過(guò)銀行匯款
開(kāi)戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào):336 356 029 261
名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
2、線上注冊(cè)繳費(fèi)
備注:在線注冊(cè)平臺(tái)注冊(cè)請(qǐng)務(wù)必填寫(xiě)正確,以便后續(xù)查詢及開(kāi)具發(fā)票。
3、現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)(接受現(xiàn)金和刷卡)
4、收款單位:本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會(huì)議唯一收款單位。
報(bào)告及論文發(fā)表聯(lián)系:
Frank 賈:18310277858,jiaxl@casmita.com
會(huì)議報(bào)名/參展/贊助咨詢:
賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
張女士:13681329411,zhangww@casmita.com
張先生:18601159985,zhangtk@casmita.com
協(xié)議酒店:
會(huì)議酒店: 長(zhǎng)沙圣爵菲斯大酒店
酒店地址:湖南省長(zhǎng)沙市開(kāi)福區(qū)三一大道471號(hào)
協(xié)議房?jī)r(jià):
·五星酒店房間:大/ 雙 床房 含雙早 468元/晚
·三星酒店房間:大/雙 床房 含雙早 258元/晚
(備注:三星酒店單獨(dú)用餐區(qū)用早餐,不能享用酒店健身房和游泳池,具體可咨詢酒店聯(lián)系人)
預(yù)訂聯(lián)系人:李子都 圣爵菲斯大酒店?duì)I銷經(jīng)理
電話:14726987349
郵箱:136379346@qq.com
備注:預(yù)定客房時(shí)提“碳化硅”或“半導(dǎo)體會(huì)議”均可享受協(xié)議價(jià)格。