2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”將于長(zhǎng)沙召開。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所聯(lián)合組織籌辦。論壇將圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

當(dāng)前，SiC MOSFET器件存在可靠性問題，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。SiC MOSFET器件可靠性制造存在諸多難題，其中柵氧及其界面缺陷成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。論壇上，大連理工大學(xué)教授王德君帶來《SiC MOS 器件可靠性制造技術(shù)及裝備》的主題報(bào)告。

大連理工大學(xué)在SiC器件領(lǐng)域經(jīng)二十余年技術(shù)積累，率先解決了柵氧缺陷分析和缺陷物理參數(shù)分離難題，形成了SiC MOS器件柵氧可靠性分析測(cè)試技術(shù)成套解決方案，為服務(wù)器件制造產(chǎn)業(yè)提供了強(qiáng)有力的支撐。

開發(fā)了SiC MOS器件柵氧化新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在大場(chǎng)強(qiáng)高溫長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)力作用下的器件穩(wěn)定性。明晰了N、H、O、Cl等多種元素在SiC半導(dǎo)體氧化和界面缺陷鈍化中的作用及缺陷物理機(jī)制，為產(chǎn)業(yè)優(yōu)化柵氧工藝制程提供了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。相比于Si半導(dǎo)體，SiC半導(dǎo)體通過濕法清洗后其表面依然存在碳?xì)埩?、離子污染和表面缺陷等突出問題，影響器件性能和可靠性。針對(duì)此問題，開發(fā)了三代半導(dǎo)體干法清洗裝備及技術(shù)。集成清洗技術(shù)的半導(dǎo)體表面干法清洗裝備。支持第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、AlN等半導(dǎo)體表面處理，柵氧化和歐姆電極金屬化前處理、外延前處理等工藝優(yōu)化和制程升級(jí)。

報(bào)告將詳細(xì)介紹SiC MOS器件柵氧可靠性分析測(cè)試技術(shù)；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術(shù)及裝備；SiC半導(dǎo)體表面干法清洗技術(shù)及裝備的最新進(jìn)展。

欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果，敬請(qǐng)關(guān)注論壇，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜摇W(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。

王德君，大連理工大學(xué)教授，研究方向涉及三代半導(dǎo)體SiC電子器件制造測(cè)試技術(shù)及裝備； SiC半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)；集成電路技術(shù)。技術(shù)領(lǐng)域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測(cè)試技術(shù)；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術(shù)及裝備；SiC半導(dǎo)體表面干法清洗技術(shù)及裝備。

論壇信息

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

主辦單位

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.ybx365.cn)

承辦單位

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦單位

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

中車時(shí)代電氣股份有限公司

中南大學(xué)

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贊助支持

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司

蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

忱芯科技（上海）有限公司

蘇州博宏源機(jī)械制造有限公司

江蘇晶工半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

蘇州德龍激光股份有限公司

北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

布魯克（北京）科技有限公司

山東海金石墨科技有限公司

湖南德智新材料有限公司

浙江凱威碳材料有限公司

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

浙江飛越機(jī)電有限公司

中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司

吉永商事株式會(huì)社

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司

北京媯水科技有限公司

昂坤視覺（北京）科技有限公司

山西中電科新能源技術(shù)有限公司

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主題方向

1、宏觀趨勢(shì)與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

·碳化硅全球發(fā)展趨勢(shì)、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景；

·國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判；

·國(guó)產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)及未來展望；

·資金、人才、技術(shù)、市場(chǎng)等關(guān)鍵要素分析；

2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)

·碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù)；

·外延材料生長(zhǎng)、芯片制造等核心工藝技術(shù)及裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術(shù)；

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備；

3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈

·襯底、外延、器件等設(shè)計(jì)軟件及檢測(cè)裝備；

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協(xié)同優(yōu)化；

·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn)；

·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新；

4、規(guī)模應(yīng)用與市場(chǎng)探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展；

·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景；

·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求；

·市場(chǎng)動(dòng)力、核心競(jìng)爭(zhēng)力塑造與面臨挑戰(zhàn)。

時(shí)間地點(diǎn)

2023年5月5-7日

湖南·長(zhǎng)沙·圣爵菲斯大酒店

日程安排(具體報(bào)告陸續(xù)更新中)

開幕大會(huì)日程安排

時(shí)間		主要安排
5月5日	09:00-13:00	報(bào)到&資料領(lǐng)取
	13:30-17:30	開幕大會(huì)+圓桌對(duì)話
	18:00-21:00	歡迎晚宴
5月6日	09:00-12:00	分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體
	12:00-13:30	午餐&交流
	13:30-17:30	分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體
	18:30-20:30	晚餐&結(jié)束
5月7日	09:00-12:00	商務(wù)考察活動(dòng)&返程 （中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤(rùn)或湖南三安半導(dǎo)體）
備注：僅供參考，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

平行論壇1：

備注：目前報(bào)告順序不分先后，最終日程將持續(xù)更新，敬請(qǐng)關(guān)注！

平行論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)

時(shí)間：第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30

主題：SiC MOS器件可靠性制造技術(shù)及裝備 嘉賓：王德君--大連理工大學(xué)教授

主題：國(guó)產(chǎn)化碳化硅注入機(jī)發(fā)展情況 嘉賓：羅才旺--北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經(jīng)理

主題：SiC MOSFET器件及其應(yīng)用研究的思路和探索 嘉賓：王俊--湖南大學(xué)超大功率半導(dǎo)體研究中心主任，教授

主題：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局 嘉賓：湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

主題：適配xEV動(dòng)力域控制器的SIC電機(jī)控制器 嘉賓：陳文杰--陽(yáng)光動(dòng)力電控研發(fā)中心總監(jiān)

主題：碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術(shù)探索 嘉賓：梅云輝--天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院 院長(zhǎng)

主題：SIC晶圓全制程質(zhì)量控制解決方案 嘉賓：鄒偉金--蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理

主題：碳化硅長(zhǎng)晶爐石墨熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的國(guó)產(chǎn)化探索 嘉賓：趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)

主題：碳化硅功率半導(dǎo)體模塊精準(zhǔn)動(dòng)靜態(tài)特性與可靠性測(cè)試解決方案 嘉賓：陸 熙--忱芯科技技術(shù)總監(jiān)

主題：碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 嘉賓：孔令沂--杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)

主題：碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案 嘉賓：劉國(guó)敬--北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理

主題：碳化硅晶圓減薄裝備技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì) 嘉賓：尹韶輝--湖南大學(xué)教授

主題：大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展（TBD） 嘉賓：方子文--AIXTRON SE中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理

主題：碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用挑戰(zhàn) 嘉賓：TBD

主題：碳化硅單晶用碳化鉭技術(shù)（TBD） 嘉賓：寧波恒普真空科技股份有限公司

主題：先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造 嘉賓：孫占帥--北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司工藝部部長(zhǎng)

主題：半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件材料開發(fā)及應(yīng)用 嘉賓：余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO

主題：碳化硅同質(zhì)外延層厚度無(wú)損紅外反射光譜法測(cè)試分析 嘉賓：雷浩東--布魯克（北京）科技有限公司應(yīng)用工程師

備注：以上報(bào)告順序不分先后，最終日程將持續(xù)更新，敬請(qǐng)關(guān)注！

 

備注：平行論壇日程安排正在逐一敲定中，后續(xù)每日將持續(xù)更新！

擬參會(huì)單位

山東天岳，天科合達(dá)，河北同光，山西爍科晶體，南砂晶圓，東莞天域，英飛凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯電子，清純半導(dǎo)體，蔚來汽車，中南大學(xué)，湖南大學(xué)，基本半導(dǎo)體，士蘭微，高意半導(dǎo)體，中科院半導(dǎo)體所，中科院物理所，武漢大學(xué)，武漢理工大學(xué)，國(guó)防科技大學(xué)，AIXTRON SE, 中電科四十六所，中電科二所，中電科十三所，中電科五十五所，晶越半導(dǎo)體，小鵬汽車，山東大學(xué)，理想汽車，長(zhǎng)安汽車、超芯星，中電化合物，世紀(jì)金光，浙江大學(xué)，西安交通大學(xué)，復(fù)旦大學(xué)、海乾半導(dǎo)體、富士電機(jī)、三菱電機(jī).....

更多報(bào)主題安排

平行論壇報(bào)告主題安排

1.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

2.第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國(guó)產(chǎn)化思考

3.碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

4.SiC器件和模塊的最新進(jìn)展

5.第三代半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)裝備現(xiàn)狀及展望

6.碳化硅涂層石墨盤技術(shù)

7.8英寸碳化硅單晶進(jìn)展

8.國(guó)產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展

9.SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢(shì)及工藝研究

10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

11.SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備研發(fā)

12.SiC MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

13.激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

14.先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù)

15.車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展

16.銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù)

17.SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用

18.激光退火技術(shù)

19.SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

20.碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)

21.SiC晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和裝備

22.拋光裝備國(guó)產(chǎn)化之路

23.8寸碳化硅外延制備技術(shù)

24.8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展

25.第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)裝備與工藝自動(dòng)化

26.化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案

27.GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

29.GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工

30.第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化

31.激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

32.碳化硅單晶生長(zhǎng)用石墨技術(shù)

33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測(cè)

34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù)

35.金剛石半導(dǎo)體技術(shù)

36.碳化硅半導(dǎo)體功率器件測(cè)試方案

37.碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求

38.光隔離探頭測(cè)試技術(shù)

39.電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

40.金剛石單晶生長(zhǎng)技術(shù)

41.SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展

42.半導(dǎo)體電子特氣國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

43.半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

44.碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景

45.車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展

46.第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀與存在問題

47.硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)

48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術(shù)

備注：以上部分報(bào)告主題僅供參考，報(bào)告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中，后續(xù)將集中公布。

注冊(cè)報(bào)名：

1、注冊(cè)費(fèi)2500元，4月29日前注冊(cè)報(bào)名2200元（含會(huì)議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請(qǐng)具體請(qǐng)咨詢。

2、交通費(fèi)、住宿費(fèi)等自理。

展覽展示

為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流，組委會(huì)開辟出少量展示席位，數(shù)量有限，預(yù)訂從速。詳情可咨詢會(huì)議聯(lián)系人。

繳費(fèi)方式

1、通過銀行匯款

開戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

2、線上注冊(cè)繳費(fèi)

備注：在線注冊(cè)平臺(tái)注冊(cè)請(qǐng)務(wù)必填寫正確，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。

3、現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）

4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會(huì)議唯一收款單位。

報(bào)告及論文發(fā)表聯(lián)系：

Frank 賈：18310277858，jiaxl@casmita.com

會(huì)議報(bào)名/參展/贊助咨詢：

賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士：13681329411，zhangww@casmita.com

張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com

協(xié)議酒店：

會(huì)議酒店： 長(zhǎng)沙圣爵菲斯大酒店

酒店地址：湖南省長(zhǎng)沙市開福區(qū)三一大道471號(hào)

協(xié)議房?jī)r(jià)：

·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早  468元/晚

·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早  258元/晚

（備注：三星酒店單獨(dú)用餐區(qū)用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯(lián)系人）

預(yù)訂聯(lián)系人：李子都 圣爵菲斯大酒店?duì)I銷經(jīng)理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com