國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動態(tài)
一、技術(shù)和產(chǎn)品
1、武工大SiC涂層設(shè)備取得突破
據(jù)此前長江日報發(fā)文報道，武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授趙培及其團(tuán)隊的化學(xué)氣相沉積法制備技術(shù)開發(fā)研究，這項技術(shù)已被石墨涂層企業(yè)廣泛應(yīng)用。2020年6月，該團(tuán)隊研制出具備自主知識產(chǎn)權(quán)的智能化學(xué)氣相沉積設(shè)備，該設(shè)備創(chuàng)新性地解決了目前化學(xué)氣相沉積方法中固體原料蒸發(fā)罐供給系統(tǒng)在工業(yè)應(yīng)用中無法長時間提供精確、持續(xù)、穩(wěn)定的原料蒸汽的難題，能大幅提高SiC涂層的沉積速率、精準(zhǔn)控制原料的成分比例、能實(shí)現(xiàn)沉積過程的全自動化操作。目前，該技術(shù)與裝置已在一些企業(yè)和研究院所得到廣泛應(yīng)用，用于制備SiC涂層。據(jù)介紹，某企業(yè)的石墨模具只能使用8次，使用趙培團(tuán)隊的技術(shù)后，石墨模具使用壽命增加到42次，大大延長了使用壽命，使用壽命提升了5倍以上，有效降低生產(chǎn)成本。
2、河北同光8英寸導(dǎo)電型SiC晶體樣品出爐
據(jù)河北黨員教育微信公眾號消息顯示，河北同光半導(dǎo)體歷經(jīng)2年多的研發(fā)，8英寸導(dǎo)電型SiC晶體樣品已經(jīng)出爐，工作人員正在攻關(guān)加工成SiC單晶襯底。預(yù)計這款新產(chǎn)品年底可實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，將被客戶制為功率芯片。據(jù)悉，河北同光半導(dǎo)體成立于2012年，公司致力于SiC單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，是國內(nèi)率先量產(chǎn)SiC單晶襯底的制造商之一，也是國際上少數(shù)同時掌握高純半絕緣襯底和導(dǎo)電型襯底制備技術(shù)的企業(yè)。近年，SiC襯底領(lǐng)域進(jìn)入爆發(fā)階段，產(chǎn)能供不應(yīng)求，公司積極建廠擴(kuò)產(chǎn)。據(jù)該公司董事長鄭清超介紹，下一步，同光正謀劃建設(shè)2000臺SiC晶體生長爐生長基地和年產(chǎn)60萬片SiC單晶襯底加工基地，擬總投資40億元。到2025年末實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)營后，預(yù)計新增產(chǎn)值40-50億元，成為全球重要的碳化硅單晶襯底供應(yīng)商。2022年3月，據(jù)中國證監(jiān)會披露，華泰聯(lián)合證券發(fā)布了關(guān)于河北同光半導(dǎo)體首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告，公司加速上市進(jìn)程。
3、連城數(shù)控SiC粉體爐取得突破
4月13日，連城數(shù)控官微稱，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會近日組織專家組對該公司開發(fā)的“碳化硅立式感應(yīng)合成爐”科技成果進(jìn)行評價。專家一致認(rèn)為該SiC粉料合成設(shè)備提升了SiC合成粉料的品質(zhì)，提高了單次合成的重量，降低了單位能耗，減少了制造成本，促進(jìn)了我國SiC高端裝備的升級換代。據(jù)介紹，連城數(shù)控半導(dǎo)體晶體事業(yè)部團(tuán)隊開發(fā)了業(yè)內(nèi)最大的SiC粉料合成爐，粉體純度達(dá)到國內(nèi)一流水平。該團(tuán)隊研發(fā)的大尺寸合成爐及其熱場，能精確控制軸向溫度梯度和徑向溫度的均勻性，解決了傳統(tǒng)的SiC粉體合成爐裝載量少，得率低等問題，使得反應(yīng)更加充分，解決了工藝穩(wěn)定性問題。同時，該公司設(shè)計的獨(dú)特的坩堝及涂層，能夠減少坩堝雜質(zhì)的污染，提升坩堝的壽命，提高SiC粉體的純度，通過工藝優(yōu)化，可以同時兼容合成導(dǎo)電性和半絕緣SiC粉體。除SiC粉體合成爐外，連城數(shù)控的液相法SiC長晶爐也于今年3月順利下線，經(jīng)檢驗(yàn)各項性能達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。同時，連城數(shù)控的SiC感應(yīng)爐也于今年一季度獲得某重點(diǎn)客戶190臺訂單。
4、華為SiC電驅(qū)正式發(fā)布 覆蓋多種車型
4月17日，華為官微發(fā)文舉行智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”，以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中，DriveONE搭載SiC技術(shù)，主要能夠全面覆蓋B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案：
（1）面向B/B+級BEV動力總成，華為稱其有業(yè)界最高效率量產(chǎn)高壓同步總成解決方案——高效SiC高壓同步總成。據(jù)介紹，該款SiC高壓同步總成是基于高效SiC模組以及華為電機(jī)仿真尋優(yōu)平臺，華為打造92%CLTC效率的業(yè)界最高效的CLTC工況動力總成，相對于業(yè)界同類方案，效率領(lǐng)先1.5個百分點(diǎn)；這款平臺同時支持750V和900+V雙電壓適配，在250A的快充樁上就可以實(shí)現(xiàn)極速4C充電，7.5分鐘把電池SOC從30%提升到80%，續(xù)航增加250km。同時，得益于轉(zhuǎn)速提升、智能油冷等一系列技術(shù)突破，動力總成功率密度達(dá)到2.4kW/kg，領(lǐng)先行業(yè)30%。搭載華為智能輔驅(qū)技術(shù)的異步總成，搭配92%高效同步后驅(qū)總成，整體四驅(qū)續(xù)航里程可提升27km；
（2）面向B/B+級REV動力總成，針對增程四驅(qū)場景，華為本次帶來業(yè)界首款異步五合一，具備系統(tǒng)效率尋優(yōu)和優(yōu)于行業(yè)26%的低拖拽扭矩設(shè)計，搭配高效后驅(qū)組成前同后同架構(gòu)，四驅(qū)WLTC效率可達(dá)88.2%，領(lǐng)先行業(yè)5+%，滿油滿電續(xù)航里程提升44km；
（3）面向A級BEV動力總成，超融合十合一動力域模塊通過首創(chuàng)芯片融合、功率融合、功能融合和域控融合，實(shí)現(xiàn)BOM數(shù)量降低40%，芯片數(shù)量降低60%。動力域模塊可以讓車企實(shí)現(xiàn)動力域的集成簡單，驗(yàn)證簡單，開發(fā)簡單，開發(fā)效率提升30%。華為目前還沒有獨(dú)立造車，而是與賽力斯合作推出了AITO汽車，此外，華為與長安、寧德時代合作共創(chuàng)阿維塔汽車，與北汽極狐合作推出華為HI版車型。
據(jù)不完全統(tǒng)計，目前華為哈勃共投資了5家SiC相關(guān)企業(yè)，遍布SiC全產(chǎn)業(yè)鏈，分別為山東天岳、北京天科合達(dá)、瀚天天成、東莞天域半導(dǎo)體和特思迪。
5、中科院物理所陳小龍團(tuán)隊在液相法生長3C-SiC襯底方面取得新成果
4月18日，中科院物理所在期刊上發(fā)表了關(guān)于采用液相法生長3C-SiC襯底的技術(shù)文獻(xiàn)。文獻(xiàn)提到，該團(tuán)隊是通過在4H-SiC襯底上生長3C-SiC單晶，技術(shù)成果超出了以往理論預(yù)期，通過這項技術(shù)，能夠持續(xù)穩(wěn)定地生長高質(zhì)量和大尺寸的3C-SiC晶體——直徑為2~4英寸，厚度為4.0~10毫米。該團(tuán)隊認(rèn)為，該技術(shù)拓寬了異質(zhì)晶體生長的機(jī)制，并為3C-SiC晶體的大規(guī)模生產(chǎn)提供了可行的途徑，未來3C-SiC功率器件性能有望比目前主流的4H-SiC更好。該團(tuán)隊開發(fā)了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設(shè)備，其生長過程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低溫區(qū)；最后在低溫籽晶上進(jìn)行3C-SiC結(jié)晶。質(zhì)量方面，經(jīng)過測量，所生長的3C-SiC晶體（111）面半峰全寬（FWHM）為28.8至32.4弧秒，平均為30.0弧秒，整體晶圓非常均勻。從3C-SiC的切片上看，典型的三角形凹坑大小約為5微米，可能來自螺紋位錯（TSDs）和螺紋邊緣位錯（TEDs）的密度分別約為4.3×104/cm2和13.9×104/cm2，并且沒有觀察到在3C-SiC中常見的雙定位邊界（DPBs）。
6、中電科6英寸3300V SiC外延片研發(fā)成功 產(chǎn)能提升
4月24日，據(jù)中國電科官微消息，中電科6英寸SiC外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，完成6英寸3300V SiC外延材料研發(fā)，6英寸中高壓SiC外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。目前正積極與國產(chǎn)設(shè)備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動SiC核心裝備國產(chǎn)化。去年11月，普興電子新的外延材料產(chǎn)業(yè)基地第一片硅外延和SiC外延已相繼“出爐”，后續(xù)將進(jìn)行新品全尺寸檢測評估并向客戶提供驗(yàn)證樣片。該新產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)項目于2021年9月啟動，項目總投資金額為16.7億元，一期項目投產(chǎn)后，將新購置各類外延生產(chǎn)及清洗檢驗(yàn)設(shè)備共392臺（套），預(yù)計可達(dá)到年產(chǎn)300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸SiC外延產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。
7、恒普科技推出全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭
SiC晶體的主流生長工藝是PVT法，通常在2000℃的高溫下，將石墨坩堝中的SiC源粉末進(jìn)行升華結(jié)晶。然而，在這個過程中，熱場材料容易出現(xiàn)3個問題：
（1）SiC蒸氣中的Si會強(qiáng)烈地攻擊石墨，并釋放出碳顆粒和金屬/氮雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會融入到生長的SiC晶體中，從而引發(fā)晶體缺陷問題；
（2）熱場中的石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等坩堝材料容易出現(xiàn)使用不當(dāng)，從而帶來碳包裹物增多等缺陷；
（3）另外在有些應(yīng)用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。但是透氣率大的多孔石墨，又面臨著加工、掉粉、蝕刻等挑戰(zhàn)。針對行業(yè)痛點(diǎn)，恒普科技推出了全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭，實(shí)現(xiàn)了全球首發(fā)。由于碳化鉭的強(qiáng)度和硬度都很高，因此要將碳化鉭加工成多孔狀，挑戰(zhàn)難度非常大。而要制造出孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰(zhàn)。
恒普科技通過自主技術(shù)研發(fā)，突破性地推出大孔隙率的多孔碳化鉭，其孔隙率最大可以做到75%，實(shí)現(xiàn)了國際領(lǐng)先。在碳化硅長晶應(yīng)用方面，恒普科技的多孔碳化鉭可用于氣相組元過濾、調(diào)整局部溫度梯度、引導(dǎo)物質(zhì)流方向以及控制泄露等方面，更好地協(xié)助SiC企業(yè)去優(yōu)化晶體良率。同時，這款多孔碳化鉭還可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層相結(jié)合，形成局部不同流導(dǎo)的構(gòu)件，有利于進(jìn)一步提升SiC晶體良率。
8、眾多車企推出最新SiC車型、充電樁等相關(guān)產(chǎn)品
2023年以來，無論是理想、小鵬、蔚來、哪吒等新勢力，還是一汽、上汽、吉利、奇瑞和比亞迪等頭部車企，整個汽車行業(yè)都在積極導(dǎo)入SiC技術(shù)，SiC車型、SiC充電樁及SiC相關(guān)最新產(chǎn)品密集亮相。
（1）4月16日，小鵬汽車2023技術(shù)架構(gòu)發(fā)布會于上海舉辦，并正式發(fā)布了SEPA 2.0“扶搖”全域智能進(jìn)化架構(gòu)?；谠撔录軜?gòu)，新車型研發(fā)周期將縮短20%，架構(gòu)零部件通用化率達(dá)到80%。“扶搖”架構(gòu)將通過全棧自研的全新800V XPower電驅(qū)，提升整車?yán)m(xù)航。該800V高壓SiC油冷扁線深度集成電驅(qū)，可使電機(jī)最高效率達(dá)97.5%，電驅(qū)系統(tǒng)綜合工況效率達(dá)到92%。綜合效率每提升1%，續(xù)航里程可提升2%。據(jù)了解，小鵬G6是首款搭載“扶搖”架構(gòu)的SiC車型，目前小鵬G6已在工信部申報，預(yù)計滿電狀態(tài)續(xù)航可達(dá)600km+。
（2）理想汽車推出了800V超充純電解決方案。該800V超充方案包括了基于SiC技術(shù)打造的800V高壓電驅(qū)系統(tǒng)，具備4C超充能力的電池以及全棧自研的熱管理系統(tǒng)，在提升充電速度的同時改善能源使用效率，可實(shí)現(xiàn)充電10分鐘，續(xù)航400km。理想新一代SiC功率模塊結(jié)合了電機(jī)控制器的多部件集成設(shè)計，使得電機(jī)控制器體積壓縮到4L以內(nèi)，功率密度高達(dá)62kW/L，減小了電驅(qū)系統(tǒng)的體積和重量，進(jìn)一步優(yōu)化整車的空間和能耗。
（3）東風(fēng)公司帶來的800V SiC 10in1超高速電驅(qū)動為行業(yè)首款十合一扁線電驅(qū)動總成（iD3)，極致融合，高效高速。與自主開發(fā)的SiC控制器匹配，系統(tǒng)輸出功率最高280kW，最高效率94.5%，均為行業(yè)最高水平。
（4）廣汽埃安展出Hyper SSR，搭載自研的超高性能“四合一”電驅(qū)，采用SiC逆變器，是埃安的第二代基于SiC技術(shù)的集成電力驅(qū)動系統(tǒng)，兼容高低壓平臺，功率密度國內(nèi)領(lǐng)先；此外，該車還搭載了900V的SiC芯片，功耗能夠降低80%，工作頻率提高2.5倍。
（5）遠(yuǎn)航汽車推出Y6和H8，動力方面，兩車都采用聯(lián)合電子800V SiC電驅(qū)總成，可以爆發(fā)出超700匹馬力的強(qiáng)勁動力，遠(yuǎn)航Y(jié)6零百加速時間快至3.2s，比肩超跑性能。
（6）中車時代電氣對外發(fā)布了中車電驅(qū)E4.0平臺首款產(chǎn)品C-Power280。該款產(chǎn)品的CLTC工況效率為92%，是基于中車自主SiC芯片開發(fā)，采用高壓油冷設(shè)計，可大幅提升補(bǔ)能速度。目前，該款產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)核心部件完全自主可控，并可兼容中大型車輛的前后驅(qū)構(gòu)型。
（7）福田汽車與采埃孚簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方的合資公司將正式引入采埃孚最新的商用車電動化解決方案，包括AX電驅(qū)動橋系列和CX中央電驅(qū)動系統(tǒng)在內(nèi)的產(chǎn)品進(jìn)行本地化生產(chǎn)和組裝。其中，采埃孚的CX中央電驅(qū)動系統(tǒng)搭載了發(fā)夾電機(jī)、SiC逆變器等技術(shù)，具有高功率、大扭矩和緊湊型、輕量化設(shè)計的特點(diǎn)，可將電驅(qū)動效率提高至96%以上。
（8）合創(chuàng)V09，動力方面基于H-GEA合創(chuàng)全球純電架構(gòu)打造，標(biāo)配800V高壓系統(tǒng)和高能量密度電池，支持4C超級快充，續(xù)航超過750km。此外，該車所搭載的高壓SiC電驅(qū)電源和高壓附件，能夠使整車效率提升約4%，整車能耗降低7.8%，最快充電10分鐘，續(xù)航增加≥400km。
（9）江鈴汽車攜E路達(dá)、大道EV、Robovan自動駕駛貨運(yùn)車重磅亮相。其中，江鈴E路達(dá)除采用寧德時代、博世的新技術(shù)外，還擁有全球首發(fā)SiC多合一控制器技術(shù)，能夠增大功率，實(shí)現(xiàn)減負(fù)、多拉、多跑的高效運(yùn)營。
（10）針對日益受關(guān)注的800V高壓應(yīng)用，舍弗勒對外展示了三合一油冷平行軸式電驅(qū)動橋、雙電機(jī)同軸式電驅(qū)動橋等產(chǎn)品。其中，舍弗勒800V雙電機(jī)同軸式電驅(qū)動橋采用了SiC半導(dǎo)體技術(shù)，具有超高性能，峰值功率超過600 kW，輪端峰值扭矩超過7200 Nm，軸向長度僅600mm。同時，舍弗勒還展示了一系列面向商用車的創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，包括采用舍弗勒獨(dú)特波繞組技術(shù)的800V油冷電機(jī)、采用SiC半導(dǎo)體技術(shù)的800V電機(jī)控制器等。
（11）一汽紅旗全新電動中大型SUV紅旗E202正式亮相2023上海車展。紅旗E202基于搭載了SiC模塊以及800V快充平臺的“旗幟”超級架構(gòu)，只需5分鐘充電即可續(xù)航300km。未來三年，紅旗新能源計劃推出15款新能源智能產(chǎn)品，并且從2022年下半年開始，除特殊用途車型外，紅旗已將技術(shù)創(chuàng)新投入全部用于新能源汽車，新增產(chǎn)能全部用于新能源汽車，停止傳統(tǒng)燃油車技術(shù)和產(chǎn)能的新增投入。今年1季度紅旗拋出了4個大動作，實(shí)現(xiàn)了車規(guī)SiC技術(shù)的領(lǐng)跑：①計劃今年推出轎車E001與SUV E202兩款SiC車型；②發(fā)布SiC混動平臺HMP，綜合效率達(dá)90%以上；③完成了主驅(qū)SiC模塊試制，采用2in1塑封；④采用全國產(chǎn)1200V SiC MOSFET，比導(dǎo)通電阻為3.15mΩ·cm²。同時，一汽首款電驅(qū)用750V SiC功率芯片已于4月10日完成樣品流片，正式進(jìn)入產(chǎn)品級測試階段。根據(jù)報道，紅旗功率電子開發(fā)部聯(lián)合中電科55所，從結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開展技術(shù)攻關(guān)，使得該芯片比導(dǎo)通電阻達(dá)到2.15mΩ·cm²，最高工作結(jié)溫175℃，達(dá)到國際先進(jìn)水平。
此外，采埃孚展示800V SiC電驅(qū)系統(tǒng)、阿爾特汽車推出200kW SiC電驅(qū)動四合一總成、美的威靈汽車推出800V SiC電動壓縮機(jī)、博格華納展出800V集成式電驅(qū)動模塊……
二、產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
1、企業(yè)/項目動態(tài)
（1）東南大學(xué)計劃采購SiC設(shè)備 預(yù)算金額達(dá)3000萬元
3月29日，東南大學(xué)對外發(fā)布了2023年3至12月的采購意向，其中涉及2款SiC相關(guān)設(shè)備。根據(jù)公告，東南大學(xué)計劃采購SiC外延爐與等離子深槽刻蝕機(jī)設(shè)備，預(yù)算金額各為1500萬元。SiC外延爐設(shè)備要求：①晶片尺寸兼容4&6英寸；②產(chǎn)能≥300片/月（以10μm厚計）；③工藝溫度1600℃～1650℃。等離子深槽刻蝕機(jī)設(shè)備要求：①最小刻蝕寬度0.8um，刻蝕深度1.5um；②刻蝕速率≥120nm/min；③表面均一性≤±3％；④刻蝕角度80~89°可控；⑤表面粗糙度＜0.5nm，溝槽底部弧度圓滑，無刻蝕底角。預(yù)計采購時間為5月。
（2）山東粵海金年產(chǎn)11萬片SiC襯底片項目新動態(tài)
一季度，山東粵海金年產(chǎn)11萬片SiC襯底片項目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收對外公示。根據(jù)該報告，該SiC襯底項目位于山東河口經(jīng)開區(qū)，總投資約6.5億元，將分二期建設(shè)。其中，項目一期實(shí)際總投資4億元，主要建設(shè)1座SiC長晶（PVT法）及襯底片加工車間，購置6英寸升華法長晶爐、端面研磨機(jī)等設(shè)備，形成年產(chǎn)5.06萬片6英寸N型SiC襯底片的生產(chǎn)規(guī)模。項目二期擬建設(shè)1座SiC高溫化學(xué)氣相沉積法長晶車間，擬購置4英寸升華法長晶爐、HTCVD法長晶爐等設(shè)備，形成年產(chǎn)5.06萬片4英寸N型SiC襯底片及1.02萬片4英寸高純度半絕緣型SiC襯底片的生產(chǎn)規(guī)模。公開資料顯示，粵海金半導(dǎo)體成立于2018年5月，前身為國宏中能，主要產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電SiC襯底片、4/6英寸高純半絕緣型SiC襯底片。而且，該公司是高金富恒集團(tuán)旗下專門從事SiC半導(dǎo)體材料研發(fā)與生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化公司。據(jù)悉，高金富恒集團(tuán)旗下還有北京粵海金半導(dǎo)體材料研發(fā)中心——該公司技術(shù)團(tuán)隊以“第三代半導(dǎo)體材料制備關(guān)鍵共性技術(shù)北京市工程實(shí)驗(yàn)室”（省部級實(shí)驗(yàn)室）科研成果為基礎(chǔ)，進(jìn)行SiC半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)與運(yùn)營。3月份消息曾報道，山東省東營市河口區(qū)人民政府與高金富恒集團(tuán)在廣州舉行了“碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目”簽約儀式，項目總投資25億元，將年產(chǎn)6英寸SiC導(dǎo)電片36萬片，項目將在本月開工建設(shè)。
（3）湖南三安收到政府產(chǎn)業(yè)扶持資金約2.1億元 SiC采購協(xié)議總金額超70億元
3月31日，三安光電發(fā)布關(guān)于收到政府補(bǔ)助的公告：湖南三安近日收到政府產(chǎn)業(yè)扶持資金約2.1億元。公告顯示，根據(jù)三安與原長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會就第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目簽訂的相關(guān)合同，湖南湘江新區(qū)管理委員會商務(wù)和市場監(jiān)管局同意按合同約定撥付湖南三安產(chǎn)業(yè)扶持資金20,963.56萬元，其中科技研發(fā)專項補(bǔ)助20,000.00萬元、電費(fèi)補(bǔ)貼963.56萬元。湖南三安已于2023年3月30日收到該筆款項。
三安光電最新財報顯示，2022年營收132億元，同比增長5.17%。其中，湖南三安銷售收入6.39億元，同比增長909.48%，其SiC二極管累計出貨量超1億顆，已簽署的SiC MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元。目前，湖南三安已推出第四代高性能SiC產(chǎn)品，且有7款通過車規(guī)認(rèn)證并開始逐步出貨。SiC MOSFET推出1200V系列產(chǎn)品，包含80mΩ/20mΩ/16mΩ。其中，80mΩ/20mΩ產(chǎn)品已在光伏客戶端導(dǎo)入批量訂單，在車載充電機(jī)客戶端處于驗(yàn)證導(dǎo)入階段；車規(guī)級1200V 16mΩMOSFET芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證，預(yù)計于2024年正式上車量產(chǎn)。項目建設(shè)方面，湖南三安的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項目總投入為160億元，2022年投入資金達(dá)到36.36億元，截止2022年累計投入金額達(dá)77.06億元。據(jù)了解，該項目一期已于2021年6月正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，項目二期已于2022年7月正式開工，預(yù)計將于2023年貫通，年產(chǎn)能將達(dá)到36萬片。按照計劃，該項目全面建成投產(chǎn)后將形成兩條并行的SiC研發(fā)、生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。目前SiC產(chǎn)能為12000片/月，硅基GaN產(chǎn)能2000片/月。
此外，2022年3月，湖南三安與理想合資成立蘇州斯科半導(dǎo)體，規(guī)劃年產(chǎn)240萬只SiC半橋功率模塊，目前該項目基礎(chǔ)建設(shè)已完成，設(shè)備正陸續(xù)入廠，已進(jìn)入安裝調(diào)試階段，待產(chǎn)線通線后進(jìn)入試生產(chǎn)。在硅基GaN產(chǎn)品方面，湖南三安的客戶送樣及系統(tǒng)驗(yàn)證進(jìn)程加速，目前擁有650V GaN代工平臺，正加快研究開發(fā)投入，持續(xù)提升品質(zhì)，向低壓200V和高壓900V平臺迭代。
（4）北京爍科中科信多臺SiC離子注入機(jī)交付
4月4日，北京爍科中科信宣布，今年二季度旗下的SiC離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)順利交付。而在今年一季度，還有多臺SiC設(shè)備實(shí)現(xiàn)交付。據(jù)中科信Q1季報顯示，該公司北京總公司和長沙分公司實(shí)現(xiàn)12臺離子注入機(jī)先后順利交付，同比增長300%。其中，僅3月份就交付了3臺SiC離子注入設(shè)備；而且一季度設(shè)備新簽合同再創(chuàng)新高，合同總額突破3.5億元，同比增長21%。
（5）德智新材生產(chǎn)線將擴(kuò)充到16條 二期項目即將開建
4月9號消息報道，湖南株洲目前正依托德智新材、時代半導(dǎo)體等半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭企業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展基于第三代硅基IGBT為核心的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈，爭取打造新的千億產(chǎn)業(yè)增長級。其中，德智新材在今年將生產(chǎn)線由6條擴(kuò)充到16條，二期項目也即將開工建設(shè)，今年預(yù)計總產(chǎn)值可達(dá)到5個億。據(jù)悉，德智新材是一家專業(yè)從事SiC納米鏡面涂層及陶瓷基復(fù)合材料研發(fā)，生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。項目方面，2020年10月，德智新材擴(kuò)產(chǎn)項目落成儀式在株洲高新區(qū)舉行，擴(kuò)產(chǎn)的項目是半導(dǎo)體用SiC涂層石墨基座；2022年12月30日，德智新材半導(dǎo)體用SiC蝕刻環(huán)項目正式竣工，該項目總投資約2.5億元，占地約60畝，主要進(jìn)行半導(dǎo)體用SiC蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造。此外，德智新材自主設(shè)計的國內(nèi)最大化學(xué)氣相沉積設(shè)備于2020年正式投入使用，SiC涂層石墨基座順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
（6）英諾賽科一季度營收達(dá)到1.5億元 增長400%
近期英諾賽科接受采訪時表示，2022年全年公司的業(yè)務(wù)同比2021年增長了300%，2023年第一季度出貨量也突破了5000萬顆，銷售額達(dá)1.5億，是去年同期的4倍。2022年12月，英諾賽科曾透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。目前，珠海工廠GaN晶圓月產(chǎn)能為4000片，到2025年，珠海和蘇州兩大基地的月產(chǎn)能預(yù)計可達(dá)70000片左右。同時，依靠8英寸硅基GaN IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢，英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺也已全面升級，40V雙向?qū)óa(chǎn)品、100V半橋驅(qū)動合封產(chǎn)品等多系列產(chǎn)品相繼發(fā)布，為其在汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)與新能源等領(lǐng)域的拓展中做足準(zhǔn)備。據(jù)英諾賽科官微消息，英諾賽科是全球唯一一家8英寸硅基GaN IDM廠商，當(dāng)前最新產(chǎn)能可達(dá)到每月10000片。
（7）漢印機(jī)電新增SiC外延設(shè)備和外延項目
4月11日，據(jù)鹽城廣電全媒體新聞中心消息，江蘇漢印機(jī)電科技股份有限公司在今年新增了SiC外延設(shè)備和外延項目。據(jù)介紹，漢印機(jī)電與中科院半導(dǎo)體所、清華大學(xué)化工學(xué)院等多家高校深入產(chǎn)學(xué)研合作，開展了產(chǎn)業(yè)化的SiC設(shè)備開發(fā)等一系列規(guī)劃。2022年，漢印機(jī)電聯(lián)合中科院半導(dǎo)體所承擔(dān)的第三代半導(dǎo)體碳化硅外延項目，該項目建成達(dá)產(chǎn)后，可年增產(chǎn)值3億元。漢印機(jī)電成立于2009年，是一家專注于PCB功能墨水噴印設(shè)備及工藝應(yīng)用的自主研發(fā)的企業(yè)，2022年公司整體銷售額為1.2億元。
（8）均勝電子獲130億800V訂單
4月13日，均勝電子宣布其子公司近期新獲某知名車企客戶全球性項目定點(diǎn)，將為其新能源汽車的800V高壓平臺提供功率電子類產(chǎn)品。根據(jù)該客戶規(guī)劃，預(yù)計該項目全生命周期訂單總金額約130億元。關(guān)于SiC產(chǎn)品，均勝電子的子公司均勝普瑞（Preh）在2019年推出了800V SiC技術(shù)，并率先應(yīng)用于保時捷Taycan車型。2022年7月，在一汽紅旗技術(shù)科技展上，結(jié)合一汽紅旗的新高壓平臺，均勝電子針對性地展示了兩款采用SiC等新型功率元件的800V平臺新產(chǎn)品。
（9）重慶市《2023年市級重點(diǎn)項目實(shí)施》新增8英寸SiC項目
4月14日，重慶市人民政府公開了關(guān)于做好《2023年市級重點(diǎn)項目實(shí)施》有關(guān)工作的通知，其中包含一個SiC項目。該項目名稱為“重慶高新區(qū)化合物半導(dǎo)體項目”，計劃建設(shè)月產(chǎn)4萬片8英寸SiC晶圓制造線和月產(chǎn)能4萬—4.5萬片8英寸SiC襯底生產(chǎn)線，主要牽頭單位為西部科學(xué)城重慶高新區(qū)管委會。目前，該項目處于可行性研究論證階段。
（10）博藍(lán)特與江蘇地方政府就第三代半導(dǎo)體項目簽署戰(zhàn)略合作
4月18日，江蘇延陵鎮(zhèn)鎮(zhèn)黨委副書記、鎮(zhèn)長張金偉會見了浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司董事長徐良，以及松樹慧林（上海）基金投資經(jīng)理王煥入一行，并舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式。今年3月，延陵鎮(zhèn)鎮(zhèn)長張金偉曾會見博藍(lán)特半導(dǎo)體徐良董事長及松樹基金一行，三方就SiC、GaN第三代半導(dǎo)體項目落地、聯(lián)合組建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金等事宜進(jìn)行了洽談。
（11）SiC晶圓減薄用磨輪研發(fā)制造企業(yè)晶之銳舉行開工儀式
4月20日，據(jù)廈門市集成電路行業(yè)協(xié)會官微消息，廈門晶之銳材料科技有限公司于18日舉行開業(yè)儀式。晶之銳是一家專注于研發(fā)制造第三、四代半導(dǎo)體材料研磨用減薄砂輪的企業(yè)，旗下SiC晶圓減薄用磨輪的研發(fā)已完成，爭取在今年內(nèi)投入市場。晶之銳是由廈門石之銳材料科技有限公司與華僑大學(xué)制造工程研究院穆德魁教授聯(lián)合創(chuàng)立而成，該公司除了提供半導(dǎo)體材料研磨用減薄砂輪整體解決方案外，還為客戶提供無償背減薄測試服務(wù)。實(shí)際上，SiC半導(dǎo)體研磨加工技術(shù)是我國“卡脖子”問題之一，根據(jù)晶之銳，金剛石超薄砂輪的國產(chǎn)滲透率甚至只有5%，95%依賴進(jìn)口產(chǎn)品。晶之銳從數(shù)年前已經(jīng)開始進(jìn)行SiC減薄磨輪的相關(guān)要素的工藝開發(fā)，目前SiC晶圓減薄用磨輪的研發(fā)已完成，性能媲美進(jìn)口同類產(chǎn)品，爭取在2023年內(nèi)投入市場。
（12）基本半導(dǎo)體車規(guī)級SiC芯片產(chǎn)線通線
4月24日，基本半導(dǎo)體車規(guī)級SiC芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體的車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項目連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項目。該產(chǎn)線所處的廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等130臺專業(yè)設(shè)備，主要產(chǎn)品為6英寸SiC MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。基本半導(dǎo)體目前已掌握SiC芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，并建立了完備的國內(nèi)國外雙循環(huán)供應(yīng)鏈體系。此外，基本半導(dǎo)體無錫汽車級SiC功率模塊產(chǎn)線也在加速擴(kuò)產(chǎn)，以面對未來三年汽車市場全面爆發(fā)時的模塊供應(yīng)需求。2021年12月，基本半導(dǎo)體的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行，首批模塊產(chǎn)品成功下線?；景雽?dǎo)體表示，這是目前“國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線”，2022年產(chǎn)能為25萬只模塊，2025年之前將提升至150萬只。
（13）瀏發(fā)集團(tuán)攜手泰科天潤建設(shè)湖南SiC超充項目
4月24日，瀏發(fā)集團(tuán)官微發(fā)文稱將投資600萬元，攜手泰科天潤在瀏陽建設(shè)一座光儲充智能超級充電站，并采用SiC技術(shù)。目前，該項目正在建設(shè)中，占地面積約2400平方米，預(yù)計6月可投入使用。報道稱，這將成為湖南首座集“光伏發(fā)電、電池儲能、液冷超充”于一體的新能源汽車充電站，設(shè)有2組SiC超級充電樁、10組120KW第三代直流充電樁，總計有40把充電槍，可同時滿足40輛新能源汽車充電。據(jù)介紹，超級充電樁單槍最高輸出功率可達(dá)到600千瓦，小汽車充電5分鐘可達(dá)30度電，續(xù)航200公里；貨車充電10分鐘可達(dá)60度電，續(xù)航200公里。
（14）天岳先進(jìn)與英飛凌、博世簽訂長期供應(yīng)協(xié)議 上海臨港工廠正式交付
5月3日，天岳先進(jìn)宣布與英飛凌簽訂了一項新的襯底和晶棒供應(yīng)協(xié)議。天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭力的6英寸SiC襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于6英寸SiC材料，但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。英飛凌表示，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額，這不僅有助于保證英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，讓其SiC材料供應(yīng)商體系多元化，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競爭力的SiC材料供應(yīng)。尤其是滿足中國市場在汽車、太陽能、充電樁及儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)iC半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長的需求，并將推動新興半導(dǎo)體材料SiC的快速發(fā)展。同一日，天岳先進(jìn)在上海臨港順利舉行了上海工廠產(chǎn)品交付儀式，目前的實(shí)際進(jìn)度超出客戶預(yù)期。上海工廠采用先進(jìn)的設(shè)計理念，率先打造SiC襯底領(lǐng)域智慧工廠，通過AI和數(shù)字化技術(shù)持續(xù)優(yōu)化工藝，為產(chǎn)能提升打下重要基礎(chǔ)。
此外，天岳先進(jìn)2022年年報顯示，2022年公司已與博世集團(tuán)簽署長期協(xié)議。博世在德國羅伊特林根工廠開發(fā)和生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，于2021年開始SiC功率半導(dǎo)體的大規(guī)模生產(chǎn)。
2、投資擴(kuò)產(chǎn)
（1）芯導(dǎo)科技第三代半導(dǎo)體項目簽約無錫經(jīng)開區(qū)
3月29日，無錫經(jīng)開區(qū)舉行2023集成電路產(chǎn)業(yè)懇談會（上海專場）。會議上，芯導(dǎo)科技第三代半導(dǎo)體等8個項目簽約無錫經(jīng)開區(qū)，簽約金額8.5億元。芯導(dǎo)科技主營業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體的研發(fā)與銷售，其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括功率器件（如TVS、MOSFET、SBD、GaN HEMT等）和功率IC（如單節(jié)鋰電池充電芯片、過壓保護(hù)芯片、音頻功率放大器、DC-DC類電源轉(zhuǎn)換芯片、GaN驅(qū)動IC等）兩大類，可應(yīng)用于消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)、汽車、儲能等領(lǐng)域。2022年底，芯導(dǎo)科技曾發(fā)布公告稱，公司擬在無錫設(shè)立全資子公司無錫芯導(dǎo)，并新增該子公司為公司募投項目“高性能分立功率器件開發(fā)和升級”、“高性能數(shù)?；旌想娫垂芾硇酒_發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、“硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發(fā)項目”實(shí)施主體之一，以上募投項目實(shí)施地點(diǎn)相應(yīng)由上海調(diào)整為上海、無錫。芯導(dǎo)科技目前正在推進(jìn)第三代半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品驗(yàn)證工作，包括GaN和SiC產(chǎn)品，并嘗試應(yīng)用于汽車電子、光伏逆變器、充電樁等更加豐富的場景。此前，芯導(dǎo)科技在投資者互動平臺表示，配合公司第三代半導(dǎo)體650V GaN HEMT器件的高整合度驅(qū)動器芯片正處于客戶端測試階段，并在一些客戶端的驗(yàn)證過程中。產(chǎn)品性能表現(xiàn)良好，已具備量產(chǎn)條件，目前在等待客戶后續(xù)項目計劃。
（2）總投資15億元 西咸新區(qū)擬簽約藍(lán)輝科技碳化硅晶體材料項目
4月6日，據(jù)36氪報道，西咸新區(qū)近期擬簽約重點(diǎn)儲備項目高達(dá)75個，其中包括總投資15億元的藍(lán)輝碳化硅晶體材料項目。藍(lán)輝碳化硅晶體材料項目建設(shè)單位為西安藍(lán)輝科技，該公司是一家工業(yè)設(shè)備生產(chǎn)商，產(chǎn)品包括SiC長晶爐等，成立于2000年并于2017年5月在新三板上市。
（3）總投資9億元 山西立晶碳化硅項目開工
4月7日，據(jù)山西朔州市融媒體中心消息，平魯區(qū)成功舉行2023年項目集中開復(fù)工啟動儀式，其中包括總投資為9億元的山西立晶碳化硅項目。立晶碳化硅項目由平魯區(qū)立航投資發(fā)展有限公司與國晶光電（山東）及新海宜科技集團(tuán)股份有限公司共同投資建設(shè)，目標(biāo)打造第三代半導(dǎo)體及復(fù)合新材料生產(chǎn)基地。立晶半導(dǎo)體項目負(fù)責(zé)人劉少晗表示，該項目總投資9億元，計劃投資600臺6英寸SiC長晶爐。項目投資方之一的國晶電子成立于2018年，從事高純SiC微粉生產(chǎn)、SiC單晶爐的研發(fā)制造。2018年5月，國晶電子投資3億元建設(shè)一條5N高純SiC微粉生產(chǎn)線和6英寸SiC單晶生長研發(fā)中心，項目達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)5N高純SiC微粉100噸、6英寸雙坩堝SiC單晶爐200臺。據(jù)悉，國晶電子的獨(dú)特技術(shù)是——1臺單晶爐可同時生長2個SiC晶體。
（4）總投資21.5億元 瀚思瑞將在南通建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體陶瓷覆銅板項目
4月10日，江蘇舉辦了2023中國海門經(jīng)貿(mào)投資洽談會，會上共計簽約41個項目，其中包括一個第三代半功率半導(dǎo)體項目。江蘇瀚思瑞半導(dǎo)體科技有限公司與江蘇省南通市海門開發(fā)區(qū)簽訂投資協(xié)議，計劃投資21.5億元建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體陶瓷覆銅板項目，瞄準(zhǔn)第三代功率半導(dǎo)體在新能源汽車、光伏、儲能等工業(yè)領(lǐng)域的前沿應(yīng)用，將分三期進(jìn)行建設(shè)。企查查顯示，瀚思瑞半導(dǎo)體成立于2023年3月，公司主營業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、銷售。
（5）揚(yáng)杰科技擬投10億建SiC項目
4月20日，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告稱于4月18日與揚(yáng)州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進(jìn)園框架合同》，并計劃在揚(yáng)州市投資新建6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線項目，將新建廠房27000平方米。根據(jù)公告，該SiC項目總投資約10億元，將分兩期實(shí)施建設(shè)，項目全部建成投產(chǎn)后，形成SiC 6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。公開資料顯示，揚(yáng)杰科技成立于2006年8月，并于2014年1月上市，較早地布局了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前已成功開發(fā)并向市場推出SiC模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產(chǎn)品。同時，公司的SiC MOSFET已取得關(guān)鍵性進(jìn)展，后續(xù)擬進(jìn)一步布局6-8英寸SiC芯片生產(chǎn)線建設(shè)。
3、資本動態(tài)
（1）大基金10億元增資入股成都士蘭
3月30日晚間，士蘭微發(fā)布公告宣布擬與關(guān)聯(lián)方國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（以下簡稱“大基金二期”）共同出資21億元認(rèn)繳控股子公司成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡稱“成都士蘭”），目的是推進(jìn)成都士蘭實(shí)施的“汽車半導(dǎo)體封裝項目（一期）”。公告顯示，在本次增資中，士蘭微出資11億元，大基金二期出資10億元，本次新增注冊資本159,090.91萬元。SiC方面，去年，士蘭微參股公司士蘭明鎵已開始建設(shè)“SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目。到去年Q4，SiC芯片生產(chǎn)線就已實(shí)現(xiàn)初步通線，并形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。目前，士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，且已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，并已向客戶送樣。2023年，士蘭明鎵將加快推進(jìn)SiC芯片生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)度，預(yù)計2023年底將形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。不僅如此，士蘭微正計劃在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能。在65億定增項目中，7.5億的募投資金擬投向SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目，該項目總投資15億，主要生SiC MOSFET、SiC SBD芯片產(chǎn)品。項目達(dá)產(chǎn)后，將新增SiC MOSFET芯片12萬片/年、SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產(chǎn)能力。
（2）中恒微半導(dǎo)體宣布完成新一輪融資
中恒微半導(dǎo)體官微透露，公司宣布完成了新一輪的融資，本輪融資由毅達(dá)資本、合肥創(chuàng)新投、合肥高投參與。2022年6月，中恒微半導(dǎo)體發(fā)生工商變更，新增股東固德威，持股約2.86%。中恒微半導(dǎo)體成立于2018年，主要從事國產(chǎn)功率半導(dǎo)體（IGBT，SiC）模塊研發(fā)、設(shè)計、制造與系統(tǒng)應(yīng)用，2020年通過國家高新技術(shù)企業(yè)和IATF 16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證（TUV），已建成并投產(chǎn)2條IGBT模塊封裝產(chǎn)線，年產(chǎn)能100萬只。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變、工業(yè)變頻、高頻電源等行業(yè)。
（3）鎵仁半導(dǎo)體完成天使輪融資
根據(jù)藍(lán)馳創(chuàng)投官方消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導(dǎo)體）近日正式完成數(shù)千萬天使輪融資。該輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，禹泉資本跟投；融資將用于強(qiáng)化團(tuán)隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。據(jù)消息報道，鎵仁半導(dǎo)體開創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長新技術(shù)，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。
（4）立琻半導(dǎo)體完成近億元融資
4月3日，立琻半導(dǎo)體官方宣布，公司于近日完成近億元的A輪融資交割，由中鑫資本領(lǐng)投。根據(jù)官網(wǎng)資料，立琻半導(dǎo)體由產(chǎn)業(yè)投資方和半導(dǎo)體行業(yè)資深專家聯(lián)合創(chuàng)立，公司致力于為客戶提供光電子芯片等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體光電產(chǎn)品，主要產(chǎn)品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等光電器件。立琻半導(dǎo)體還指出，公司在GaN、GaAs等光電化合物半導(dǎo)體的外延、芯片、封裝、模組、應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈擁有完備的知識產(chǎn)權(quán)，專利覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺灣等國家和地區(qū)。據(jù)悉，立琻半導(dǎo)體與LG Innotek（LG電子控股的一家獨(dú)立上市公司，涉足汽車、消費(fèi)、顯示等產(chǎn)業(yè)）結(jié)緣頗深。2021年3月，立琻半導(dǎo)體成功競標(biāo)收購了LG Innotek的光電化合物半導(dǎo)體事業(yè)部資產(chǎn)，該資產(chǎn)包括近萬件專利、相關(guān)技術(shù)與成套工藝設(shè)備；2022年6月，立琻半導(dǎo)體又宣布獲得LG Innotek入股，LG Innotek正式成為公司股東之一。產(chǎn)能方面，2022年11月21日，立琻半導(dǎo)體一期廠房在蘇州太倉高新區(qū)正式落成。項目一期投資10億元人民幣打造化合物半導(dǎo)體光電器件研發(fā)制造基地，主要產(chǎn)品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導(dǎo)體光電器件。
（5）矽電半導(dǎo)體即將首發(fā)上會
4月6日深交所披露：深圳證券交易所上市審核委員會定于2023年4月13日召開2023年第21次上市審核委員會審議會議，審核矽電半導(dǎo)體設(shè)備（深圳）股份有限公司(首發(fā))。矽電半導(dǎo)體成立于2003年，是一家半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，華為哈勃曾于2021年12月投資入股，獲得其4%的股權(quán)。作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，矽電半導(dǎo)體專注于半導(dǎo)體探針測試技術(shù)領(lǐng)域，主要產(chǎn)品是探針臺設(shè)備。探針測試技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造晶圓檢測環(huán)節(jié)，也應(yīng)用于設(shè)計驗(yàn)證和成品測試環(huán)節(jié)，是檢測芯片性能與缺陷，保證芯片測試準(zhǔn)確性，提高芯片測試效率的關(guān)鍵技術(shù)。目前，矽電股份的探針臺設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造過程中的晶圓測試環(huán)節(jié)，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋集成電路、光電芯片、分立器件、第三代化合物半導(dǎo)體等，客戶覆蓋士蘭微、比亞迪半導(dǎo)體、燕東微、華天科技、三安光電、光迅科技、歌爾微等晶圓制造、封裝測試、光電器件、分立器件及傳感器生產(chǎn)廠商。
（6）瑞識科技獲得近億元B1輪融資
VCSEL廠商瑞識科技獲得近億元B1輪融資。此輪投資方包括奇瑞集團(tuán)旗下瑞丞基金，基石資本和南山戰(zhàn)新投，老股東常春藤資本繼續(xù)跟投。本輪融資將用于加速產(chǎn)品量產(chǎn)落地，全面布局車用市場、智能傳感和醫(yī)療健康市場。瑞識科技是一家半導(dǎo)體光芯片公司，公司擁有VCSEL芯片設(shè)計和光學(xué)集成能力，大規(guī)模交付能力，還建成了車規(guī)級測試和可靠性認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室。
（7）陜西宇騰電子完成千萬級Pre-A輪融資
4月7日，“陜創(chuàng)投”官微發(fā)文稱，陜西宇騰電子科技有限公司已經(jīng)完成了千萬級Pre-A輪融資，資金將主要用于GaN等方面的研發(fā)投入、產(chǎn)線擴(kuò)充和市場拓展加速等。據(jù)悉，本輪融資是由陜創(chuàng)投旗下銅川高新科技成果轉(zhuǎn)化創(chuàng)業(yè)投資基金獨(dú)家投資。宇騰科技近兩年也在投資建設(shè)GaN項目，并取得了相關(guān)進(jìn)展：①2022年6月，宇騰科技的光電新材料GaN項目正式試車，項目總投資1.58億元，計劃分二期投產(chǎn)運(yùn)營。其中，項目一期建設(shè)4條生產(chǎn)線，預(yù)計年產(chǎn)5萬片光電外延產(chǎn)品；②2020年9月，宇騰科技總投資6.8億元建設(shè)的GaN第三代半導(dǎo)體外延片項目簽約落地陜西省銅川市，擬用地面積約30000平方米建設(shè)GaN第三代半導(dǎo)體外延片開發(fā)與配套產(chǎn)業(yè)化項目；項目分四期投入，建設(shè)年限4年，建置投產(chǎn)共20條外延生產(chǎn)線。
（8）進(jìn)化半導(dǎo)體官宣完成近億元融資
4月14日，進(jìn)化半導(dǎo)體官方正式宣布完成近億元人民幣融資，資金將主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團(tuán)隊擴(kuò)充。本輪融資由中合汽車基金和同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投，國發(fā)創(chuàng)投、深圳高新投、浙商創(chuàng)投、泰融資本等知名投資機(jī)構(gòu)跟投，老股東祥峰投資繼續(xù)加注。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體成立于2021年5月，公司專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料，是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)。進(jìn)化半導(dǎo)體認(rèn)為，本輪融資的完成，將加快推動氧化鎵材料的國產(chǎn)化進(jìn)程，是產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)在新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局中的重大進(jìn)展。除本次融資外，進(jìn)化半導(dǎo)體還在2021年8月份完成1000萬元的天使輪融資，由祥峰投資領(lǐng)投。
（9）深圳時代速信完成新一輪融資
4月19日，深圳市時代速信科技有限公司（以下簡稱“時代速信”）發(fā)生工商變更，完成新一輪融資。公司新增股東成都華西金智銀創(chuàng)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、北京瑞合股權(quán)投資基金（有限合伙）、青島善金馳瑞私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、海南晟緣企業(yè)管理咨詢中心合伙企業(yè)（有限合伙），同時，注冊資本由3924.86萬元增加到4478.26萬元。據(jù)了解，時代速信成立于2017年，面向未來5G、6G移動通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，專注于第二代（GaAs）和第三代（GaN）半導(dǎo)體芯片研發(fā)，致力于集成電路、射頻芯片、多功能芯片、應(yīng)用方案的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。
（10）天狼芯半導(dǎo)體與睿悅投資正式簽署B(yǎng)輪投資協(xié)議
4月21日，據(jù)睿悅投資官微消息，與深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司正式簽署了B輪投資協(xié)議，共同發(fā)力第三代半導(dǎo)體功率器件。今年2月，天狼芯半導(dǎo)體董事長曾健忠在深圳招商組的陪同下前往仙居縣洽談“功率三代半封裝測試基地項目”相關(guān)事宜，雙方積極推進(jìn)該項目落地仙居。該項目若在仙居成功落地，預(yù)計分三期建設(shè)完成，總投資預(yù)計為6億元，其中一期投資為1.5億元，將建設(shè)SiC、GaN封裝測試產(chǎn)線。天狼芯半導(dǎo)體成立于2020年1月，是一家專注于提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片的Fabless企業(yè)，主要研發(fā)GaN系列、SiC系列產(chǎn)品，目前正在走IPO上市前審計流程。
（11）移動數(shù)碼品牌倍思宣布完成數(shù)億元A輪融資
移動數(shù)碼品牌baseus（倍思）宣布完成數(shù)億元A輪融資。本輪融資由深創(chuàng)投、中金資本聯(lián)合領(lǐng)投，越秀產(chǎn)業(yè)基金、高榕資本跟投。資金將用于產(chǎn)品研發(fā)、供應(yīng)鏈建設(shè)、工廠建設(shè)和品牌海外推廣等。據(jù)悉，這是倍思科技從2011年創(chuàng)立以來，首次進(jìn)行外部市場融資。倍思成立于2011年，致力于移動數(shù)碼產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、銷售和生產(chǎn)，旗下產(chǎn)品包括手機(jī)充電設(shè)備、藍(lán)牙耳機(jī)等。倍思是國內(nèi)較早把GaN技術(shù)應(yīng)用到充電領(lǐng)域的品牌，目前技術(shù)方案已經(jīng)來到了第五代。GaN具備開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，通常應(yīng)用于LED、射頻通訊與高頻功率器件領(lǐng)域，手機(jī)快充是GaN在高頻功率器件領(lǐng)域的代表應(yīng)用之一。
（12）SiC長晶設(shè)備供應(yīng)商晶升裝備正式登陸科創(chuàng)板
4月24日，SiC長晶設(shè)備供應(yīng)商南京晶升裝備股份有限公司正式登陸科創(chuàng)板。晶升股份成立于2012年2月，從事8-12英寸半導(dǎo)體級單晶硅爐、6-8英寸SiC、GaAs等半導(dǎo)體材料長晶設(shè)備及工藝開發(fā)。SiC單晶爐的主要客戶包括三安光電、東尼電子、浙江晶越國內(nèi)龍頭襯底廠商，并持續(xù)推進(jìn)客戶F、天岳先進(jìn)等下游十余家新客戶的批量供貨。通過IPO，晶升股份擬募資4.76億元，用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目、半導(dǎo)體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項目。此前晶升股份在網(wǎng)上路演活動中透露，所募投的“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”擬建設(shè)于江蘇省南京市南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，擬建設(shè)集經(jīng)營辦公和新產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)于一體的綜合性總部大樓與廠房，以研發(fā)活動為基礎(chǔ)，配備相應(yīng)的測試及組裝環(huán)境。項目計劃涵蓋的主要研發(fā)內(nèi)容如下：①半導(dǎo)體硅NPS晶體單晶爐研發(fā)；②6英寸至8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)；③溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統(tǒng)。公開資料顯示，晶升股份SiC單晶爐產(chǎn)品包括PVT感應(yīng)、電阻加熱SiC單晶爐；LPE法SiC單晶生長爐。
（13）清純半導(dǎo)體完成數(shù)億元A+輪融資
清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司宣布完成數(shù)億元A+輪融資。本輪融資由蔚來資本、士蘭微及其戰(zhàn)略基金、華登國際聯(lián)合領(lǐng)投，老股東高瓴創(chuàng)投（GL Ventures）持續(xù)加注，同時獲得宏微科技及多家電源和光伏企業(yè)等機(jī)構(gòu)鼎力支持。本次融資將用來完善供應(yīng)鏈布局、擴(kuò)大團(tuán)隊、建設(shè)量產(chǎn)實(shí)驗(yàn)室并支撐產(chǎn)品上量。自2021年底A輪融資以來，清純半導(dǎo)體在SiC器件技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)等方面取得一系列重大進(jìn)展。1200V SiC MOSFET平臺技術(shù)成熟，多規(guī)格產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證和960V-H3TRB可靠性驗(yàn)證；推出了首款國內(nèi)量產(chǎn)的15V驅(qū)動SiC MOSFET系列產(chǎn)品填補(bǔ)國內(nèi)空白，各項性能指標(biāo)均達(dá)到或超過國際同類產(chǎn)品水平，實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET芯片出貨近百萬顆，服務(wù)多家光伏與儲能行業(yè)頭部客戶；推出了國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V 14mΩ SiC MOSFET,通過Tier1廠商驗(yàn)證，性能對標(biāo)國際主流主驅(qū)芯片，目前正在多家車企驗(yàn)證。
國外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動態(tài)
一、政策動向
日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省半導(dǎo)體設(shè)備出口管制新規(guī)公開征求意見
3月31日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。═he Ministry of Economy，Trade and Industry，METI）宣布修改《外匯及對外貿(mào)易法》，擴(kuò)大出口前需由經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣事先批準(zhǔn)的尖端芯片制造設(shè)備范圍，即日本出口商將6類（23種）芯片制造設(shè)備出口至包括美國、新加坡、中國臺灣在內(nèi)的42個國家和地區(qū)時可使用一般許可，將上述芯片制造設(shè)備出口至包括中國在內(nèi)的全球其他國家和地區(qū)時則受到逐案審批。該新規(guī)則于3月31日起公布并征求公眾意見，將于5月正式發(fā)布并于7月開始實(shí)施。此次針對6類23種尖端芯片制造設(shè)備增加出口管制限制措施，包括清洗設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、退火（熱處理）設(shè)備、光刻（曝光）設(shè)備、刻蝕（化學(xué)去除）設(shè)備、檢查設(shè)備。對此，4月3日，中國外交部發(fā)言人毛寧表示，日方曾多次在溝通中向中方表示，兩國經(jīng)貿(mào)關(guān)系緊密，日方致力于推進(jìn)對華合作，不會采取“去中國化”的做法。希望日方以實(shí)際行動落實(shí)上述表態(tài)，秉持客觀公正立場和市場原則，從自身長遠(yuǎn)利益出發(fā)，維護(hù)全球產(chǎn)供鏈的穩(wěn)定暢通，維護(hù)自由開放的國際貿(mào)易秩序，維護(hù)中日兩國和雙方企業(yè)的共同利益。毛寧指出，中國是世界上最大的半導(dǎo)體市場，中國集成電路進(jìn)口額每年近6000億美元。中國是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的出口市場，日本每年對華出口額超過100億美元，中國市場占日本半導(dǎo)體設(shè)備出口份額的1/4，中日雙方迄今開展了互利共贏的合作。日方可能采取的對華出口管制，不僅將影響本地區(qū)乃至全球半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈，也會讓日本企業(yè)蒙受損失。毛寧強(qiáng)調(diào)，希望日方慎重決策，不要給中日互信和兩國關(guān)系平添復(fù)雜因素。中方將評估日本管制政策的影響，如果日方人為對中日正常半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作設(shè)限，嚴(yán)重?fù)p害中方利益，中方不可能坐視，將堅決應(yīng)對。4月28日，中國貿(mào)促會、中國國際商會發(fā)表嚴(yán)正聲明，對日方擬議措施表示堅決反對。
二、技術(shù)和產(chǎn)品
1、搭載SiC電驅(qū)的全新LEXUS RZ上市 日本電裝、Resonac提供技術(shù)支持
3月30日，搭載SiC電驅(qū)的全新LEXUS RZ正式在日本上市，其目標(biāo)銷量為每月2700輛。這款車型背后的2家SiC技術(shù)供應(yīng)商分別是日本電裝、Resonac（昭和電工改名）。此前，Resonac官網(wǎng)宣布開發(fā)出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已經(jīng)開始量產(chǎn)，質(zhì)量優(yōu)于第二代SiC外延片（HGE-2G）。HGE-3G在高電流密度下具有高可靠性，將為SiC功率模塊的普及做出貢獻(xiàn)。3月31日，日本電裝株式會社宣布已開發(fā)出首個搭載了SiC技術(shù)的逆變器，并且該SiC逆變器已被BluE Nexus公司開發(fā)的eAxle電動驅(qū)動模塊所采用。而BluE Nexus的eAxle作為后電驅(qū)單元已經(jīng)應(yīng)用在雷克薩斯首款純電動汽車全新RZ上?；赟iC技術(shù)，該車開關(guān)能耗將降低72%，進(jìn)一步提升功率效率。據(jù)悉，該逆變器采用了電裝獨(dú)特的溝槽柵SiC MOSFET，減少了由產(chǎn)生的熱量造成的功率損失，實(shí)現(xiàn)了高電壓和低導(dǎo)通電阻的運(yùn)行。電裝將其SiC技術(shù)稱為“REVOSIC®”，未來將持續(xù)全面開發(fā)第三代半導(dǎo)體器件和模塊的產(chǎn)品技術(shù)。值得一提的是，電裝采用的SiC外延片由Resonac公司提供，并聯(lián)合豐田中央研發(fā)實(shí)驗(yàn)室將晶體缺陷的數(shù)量減少一半，確保了該車規(guī)級SiC器件的穩(wěn)定性。電裝與Resonac均表示，未來將繼續(xù)積極響應(yīng)日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）綠色創(chuàng)新基金項目(GIF)的號召，該項目已獲得了186億日元（約9.7億人民幣）資助，旨在于2030年推出超高質(zhì)量8英寸SiC晶圓。
2、意法半導(dǎo)體在8英寸SiC外延方面取得最新成果
意法半導(dǎo)體發(fā)布文獻(xiàn)稱在8英寸SiC外延方面取得了最新成果。據(jù)介紹，該外延使用了意法半導(dǎo)體自己的8英寸SiC襯底，襯底是通過多線切割，通過CMP后的厚度為500μm。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，意法半導(dǎo)體6英寸和8英寸SiC外延片的總可用面積分別為98.6%和95.8%，非常接近。同時，該8英寸外延片的表面缺陷密度、厚度以及摻雜均勻性均通過了驗(yàn)證，與6英寸外延片相當(dāng)。不過，三角形缺陷的數(shù)量要高得多，特別是在晶圓的邊緣，這方面還需進(jìn)一步優(yōu)化。這2種尺寸的外延層厚度變化都小于最大外延層厚度的5%（即小于0.3微米），摻雜均勻性分別為2.0%和1.9%。
3、ROHM SiC導(dǎo)入Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品
消息報道，ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”、“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模塊系列還采用了ROHM的柵極驅(qū)動器IC“BM60212FV-C”裸芯片，這使得高耐壓電機(jī)和電源的工作效率更高。此外，根據(jù)Apex Microtechnology委托外部機(jī)構(gòu)進(jìn)行的一項調(diào)查，與分立元器件組成的結(jié)構(gòu)相比，使用裸芯片構(gòu)建這些關(guān)鍵部件可減少67%的安裝面積。公開消息顯示，Apex Microtechnology面向工業(yè)設(shè)備、測量、醫(yī)療設(shè)備和航空航天領(lǐng)域設(shè)計和制造精密的功率模擬模塊。
4、Euroloop SiC充電樁獲得德國認(rèn)證
4月24日外媒報道，Euroloop的Willbert Amber I型號充電樁已獲得德國認(rèn)證。該制造商稱，通過使用SiC開關(guān)技術(shù)，Amber I的充電效率可達(dá)97%。根據(jù)報道，Amber I的占地面積為52 x 76厘米，有兩個連接點(diǎn)和液冷電纜。最大充電功率為180kW——該裝置由6個功率模塊組成，每個30kW。Euroloop是一家德國市場的直流充電解決方案供應(yīng)商，成立于2021年。目前，他們正處于向法國供應(yīng)首批合同的談判階段，目標(biāo)是在未來幾年每年制造和交付1000多個充電站。
三、產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
1、企業(yè)/項目動態(tài)
（1）日立能源獲得吉利汽車多年訂單
一季度，日立能源官網(wǎng)宣布獲得吉利汽車的多年訂單，并將為吉利的極氪品牌提供其RoadPak™功率模塊。根據(jù)報道，RoadPak模塊有750V和1200V兩種電壓范圍，已經(jīng)于2022年推出。該模塊將SiC技術(shù)與日立能源的功率半導(dǎo)體技術(shù)相結(jié)合，具有結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕等特點(diǎn)，可提供更快的充電速度、更長的駕駛里程。除與日立能源合作外，吉利還與芯聚能、羅姆等企業(yè)完成了SiC方面的簽約。
（2）韓國KANC與WaveLord公司簽署協(xié)議 促進(jìn)GaN技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化
韓媒3月28日報道，韓國高級納米技術(shù)研究所（KANC）已與專注于GaN技術(shù)的WaveLord公司簽署了一項商業(yè)協(xié)議，通過相互合作和支持戰(zhàn)略技術(shù)合作，促進(jìn)GaN半導(dǎo)體的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。根據(jù)協(xié)議，KANC將積極促進(jìn)相關(guān)GaN專利的轉(zhuǎn)讓，以確保其市場競爭力；去年，他們支持了26項對中小企業(yè)的技術(shù)轉(zhuǎn)讓。此外，雙方將緊密合作，促進(jìn)下一代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化，并升級支持系統(tǒng)，包括密切技術(shù)交流合作，支持使用研發(fā)設(shè)備和設(shè)施以及擴(kuò)大GaN技術(shù)商業(yè)化。Waveroad近日在韓國京畿道華城完成了設(shè)備和設(shè)施的建設(shè)，以設(shè)計和制造基于GaN的功率半導(dǎo)體和微型LED顯示芯片，并開發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)易于集成的工程化外延片。該公司成立于2019年11月，被認(rèn)為是韓國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域有前途的早期技術(shù)創(chuàng)業(yè)公司，目前已吸引了30億韓元（約1600萬人民幣）的種子投資基金，2022年的銷售額為10億韓元（約533萬人民幣）。KANC院長徐光錫表示，“通過這項商業(yè)協(xié)議，我們將探索搶占汽車和功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)的策略，這些技術(shù)作為下一個新的增長引擎而備受關(guān)注”。
（3）Interaction公司與長崎市合作成立開發(fā)中心 致力于低成本SiC切割
3月29日日媒報道，Interaction公司已經(jīng)與日本長崎市就開發(fā)下一代半導(dǎo)體技術(shù)達(dá)成協(xié)議，計劃新成立一個長崎開發(fā)中心，目標(biāo)是開發(fā)和商業(yè)化SiC切割設(shè)備。報道稱，該中心將于今年4月在長崎出島孵化器（D-FLAG）開業(yè)，繼續(xù)與長崎大學(xué)合作，爭取在明年年底開發(fā)產(chǎn)品。據(jù)Interaction公司總裁Nobuo Kiji介紹：“為了大幅降低SiC的成本，我們將開發(fā)利用溫度分布進(jìn)行高效加工的設(shè)備，具體而言是通過在材料的薄膜上產(chǎn)生較大的局部溫差來切割材料。”據(jù)了解，Interaction公司自2009年以來一直在與長崎大學(xué)聯(lián)合研究使用新技術(shù)進(jìn)行設(shè)備開發(fā)，是一家從事智能手機(jī)攝像頭傳感器檢測設(shè)備的公司，在制造和銷售半導(dǎo)體圖像傳感器光源設(shè)備方面擁有世界頂級份額。
（4）Revasum獲Halo后續(xù)訂單出售第二臺研磨機(jī)
3月30日，設(shè)備公司Revasum宣布向SiC襯底廠商Halo Industries出售第二臺7AF-HMG研磨機(jī)，該設(shè)備可用于支持碳SiC襯底制造和后續(xù)器件制造，例如SiC MOSFET等。據(jù)悉，Halo Industries是一家美國的SiC激光切割技術(shù)公司，計劃于2022年年底在圣克拉拉工廠將SiC晶圓切割產(chǎn)能提高到6000片/年，2023年底產(chǎn)能將達(dá)到1.2萬片/年。
（5）Aehr季度訂單創(chuàng)紀(jì)錄 SiC設(shè)備訂單超2億
4月3日，Aehr公布其2023財年第三季度報告，訂單預(yù)訂量創(chuàng)新高，達(dá)到3330萬美元（約2.3億人民幣）。其中，Aehr總裁兼首席執(zhí)行官Gayn Erickson特別提及SiC設(shè)備的相關(guān)訂單，表示在SiC方面的勢頭持續(xù)增長。今年1月及3月中旬，Aehr分別收到來自同一客戶的2510萬美元（約1.7億人民幣）及670萬美元（約4600萬人民幣）的晶圓級測試和老化系統(tǒng)訂單——采購WaferPak™全晶圓接觸器，將在2023年8月31日完成交付發(fā)貨。
（6）美國CVD設(shè)備已獲30臺PVT設(shè)備訂單
4月3日，美國CVD設(shè)備公司公布了2022年第四季度和全年財務(wù)業(yè)績——2022年的全年收入2580萬美元（約1.8億人民幣），Q4凈收入為150萬美元。報告還披露了相關(guān)設(shè)備訂單信息：2022年Q4訂單預(yù)訂量為920萬美元（約6300萬人民幣），全年預(yù)訂量達(dá)到3310萬美元。到2022年底，訂單積壓為1780萬美元。其中，訂單中包括30臺PVT150物理氣相傳輸系統(tǒng)，該設(shè)備用于生長6英寸SiC晶圓，將于2023年上半年交付。
（7）采埃孚與意法半導(dǎo)體就SiC器件簽署多年供應(yīng)協(xié)議
4月13日，采埃孚官網(wǎng)宣布與意法半導(dǎo)體就SiC器件簽署多年供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，采埃孚將從2025年起，向意法半導(dǎo)體采購SiC器件，后者將累計提供數(shù)千萬顆SiC器件，搭載于采埃孚的新型模塊化逆變器架構(gòu)中。該逆變器將在2025年投入批量生產(chǎn)，以供應(yīng)歐洲和亞洲電動汽車領(lǐng)域的客戶。據(jù)此推算，以意法半導(dǎo)體的單顆器件價格來算，這筆交易價值超過數(shù)十億元。采埃孚透露，到2030年在電動汽車方面的訂單已超過300億歐元（約2274億人民幣），因此急切需要多家可靠的SiC設(shè)備供應(yīng)商。除了意法外，采埃孚與Wolfspeed也建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
（8）安森美與極氪簽署SiC功率器件長期供應(yīng)協(xié)議
4月26日，極氪官微宣布與安森美簽署了長期供應(yīng)協(xié)議，將進(jìn)一步深化雙方在SiC功率器件領(lǐng)域的合作關(guān)系——極氪將采用安森美提供的EliteSiC功率器件。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，該SiC功率器件能夠提供更高的功率和熱能效，從而減小車內(nèi)主驅(qū)逆變器的尺寸與重量，并提高續(xù)航里程。4月12日，極氪第三款新產(chǎn)品SUV極氪X正式上市。該車擁有單電機(jī)后驅(qū)版和雙電機(jī)四驅(qū)版，因配備了高效率SiC電機(jī)，綜合效率提升了2%，續(xù)航提升了20km。據(jù)此前安森美官網(wǎng)消息已與寶馬汽車集團(tuán)（BMW）簽署了長期供貨協(xié)議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動動力傳動系統(tǒng)。
（9）意法半導(dǎo)體攜手歐陸通設(shè)立聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室
歐陸通與意法半導(dǎo)體（ST）宣布，雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設(shè)立針對數(shù)字電源應(yīng)用的聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室。此次，雙方合作的研發(fā)團(tuán)隊將在服務(wù)器電源及新能源兩大產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行合作。在服務(wù)器電源領(lǐng)域，歐陸通將結(jié)合意法半導(dǎo)體廣泛的芯片組合，包含主芯片控制器，功率器件（包含SiC，GaN等寬禁帶材料），模擬器件（如隔離式柵極驅(qū)動器），傳感器等等，聯(lián)合打造高效率、高功率密度的服務(wù)器數(shù)字電源解決方案。在新能源領(lǐng)域，歐陸通將結(jié)合意法半導(dǎo)體主控芯片以及SiC、GaN等創(chuàng)新的寬禁帶技術(shù)，打造液冷散熱型雙向逆變高功率模塊化電源產(chǎn)品，可支持電動汽車大型充電站、超大數(shù)據(jù)中心的儲能及逆變回饋功能，同時能夠適配多種電力電源系統(tǒng)控制應(yīng)用場景，挑戰(zhàn)極限工作環(huán)境。
（10）英飛凌與天科合達(dá)、天岳先進(jìn)簽訂了SiC襯底和晶錠長期協(xié)議
5月3日，英飛凌宣布與天科合達(dá)和天岳先進(jìn)2家SiC襯底廠商簽訂了SiC襯底和晶錠的多年合作協(xié)議。這次公告透露3個要點(diǎn)：①天科合達(dá)和天岳先進(jìn)主要為英飛凌供6英寸的SiC襯底，同時還將提供8英寸SiC材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡；②與其他廠商不同，英飛凌的協(xié)議還包括SiC晶錠，這是因?yàn)樗麄冊顿Y近10億元，收購了一家激光冷剝離企業(yè)，未來將通過自主的激光技術(shù)提升SiC襯底的利用率，提升器件的成本競爭力；③2家企業(yè)的供應(yīng)量均將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。為了滿足不斷增長的SiC需求，當(dāng)前英飛凌正在大幅提升其馬來西亞和奧地利生產(chǎn)基地的產(chǎn)能，英飛凌位于馬來西亞居林的新工廠計劃于2024年投產(chǎn)，屆時將補(bǔ)充奧地利菲拉赫工廠的產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)在2030年之前占據(jù)全球30%市場份額的目標(biāo)。預(yù)計到2027年，英飛凌的SiC產(chǎn)能將增長10倍。
2、投資擴(kuò)產(chǎn)
（1）三星投資8英寸SiC 金額最高超10億元
3月30日韓媒報道，三星電子正在投資一個8英寸工藝設(shè)施用于SiC-GaN的開發(fā)，并已經(jīng)完成了1000億~2000億韓元（約5.3億元~10.6億元人民幣）的投資。而且，從投資規(guī)?？?，除了簡單的開發(fā)外，還可能進(jìn)行原型的大規(guī)模生產(chǎn)。根據(jù)報道，今年早些時候，三星電子還成立了一個“功率半導(dǎo)體部門”，該部門由三星DS部門、LED業(yè)務(wù)團(tuán)隊和三星高級技術(shù)研究所組成，具體目標(biāo)是開發(fā)8英寸SiC-GaN工藝。相關(guān)人士透露稱，“三星電子已經(jīng)決定使用部分用于LED工藝的8英寸設(shè)備來開發(fā)SiC-GaN，以提高開發(fā)效率，三星研究所也一直在學(xué)術(shù)研討會上積極披露GaN相關(guān)技術(shù)。”據(jù)了解，GaN方面，三星電子已經(jīng)參與了韓企IVWorks的多輪融資，而且IVWorks已于2021年11月完成了1740萬美元（約1.1億人民幣）C輪融資，資金將用于擴(kuò)大8英寸GaN外延片產(chǎn)能等。
（2）采埃孚擬投資超1.94億美元在墨西哥擴(kuò)建新工廠
3月31日外媒消息，采埃孚將在墨西哥華雷斯城擴(kuò)建新工廠，以擴(kuò)大下一代SiC逆變器的制造能力。采埃孚對新工廠計劃投資超1.94億美元（約13.4億人民幣），其中第一階段將投資1.5億美元（約10.3億人民幣）。新工廠占地面積將超過2.2萬平方米，并將為多個電動汽車OEM客戶增加和補(bǔ)充區(qū)域制造能力。實(shí)際上，采埃孚此次擴(kuò)產(chǎn)SiC逆變器是為了量產(chǎn)其新一代電驅(qū)動產(chǎn)品做準(zhǔn)備——2022年11月，采埃孚對外展示了其第二代SiC電驅(qū)動產(chǎn)品，并且已獲業(yè)界最大電驅(qū)訂單，金額高達(dá)250億歐元（約1843億元人民幣），還將在2025年開始向?qū)汃R、奧迪、保時捷等潛在客戶銷售。采埃孚表示，公司將加快單個組件的量產(chǎn)，為完整的電驅(qū)動系統(tǒng)在2025年批量投放市場做準(zhǔn)備。
（3）東洋碳素將增加碳化鉭涂層石墨產(chǎn)能
4月14日東洋碳素宣布將進(jìn)行資本投資增加TaC（碳化鉭）涂層石墨產(chǎn)品的產(chǎn)能，以滿足SiC半導(dǎo)體市場的需求。據(jù)悉，東洋碳素計劃在日本大野原生產(chǎn)技術(shù)中心擴(kuò)建TaC涂層石墨產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)施，將生產(chǎn)能力提升至目前水平的一倍以上，投產(chǎn)時間預(yù)計為2025年。東洋碳素表示，TaC涂層石墨產(chǎn)品與SiC涂層石墨產(chǎn)品相比，具有更優(yōu)異的耐熱性，因此它們被用于更高溫度下SiC外延生長環(huán)節(jié)，目前需求正在穩(wěn)步擴(kuò)大，TaC涂層石墨產(chǎn)品的擴(kuò)產(chǎn)是必然之舉。
（4）NTK Ceratec將投資30億日元加碼SiC
4月19日日媒消息，日本電子和光學(xué)零件材料加工公司NTK Ceratec將開始發(fā)力功率半導(dǎo)體晶圓加工設(shè)備，目前新廠房正在建設(shè)中。據(jù)悉，NTK Ceratec正在持續(xù)接收SiC產(chǎn)品的加工訂單。為穩(wěn)定訂單供應(yīng)，Ceratec目前正在建設(shè)新廠房，未來還將投資約30億日元（約1.54億人民幣），用于改善生產(chǎn)線與提升現(xiàn)有業(yè)務(wù)。Ceratec成立于1987年，于2016年更名為NTK CERATEC，主要產(chǎn)品包括SiC多線切割機(jī)等。
（5）Disco擬投800億日元建新廠以擴(kuò)大半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)能
4月19日日媒消息，日本半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商Disco將在未來10年內(nèi)，將半導(dǎo)體切割和研磨設(shè)備的生產(chǎn)能力提高到目前水平的三倍左右。Disco計劃投資800億日元（約40.9億人民幣）在廣島縣吳市建設(shè)新工廠，計劃分三期逐步增加產(chǎn)能。該項目預(yù)計在年底前簽訂銷售合同，隨后開工建設(shè)。Disco表示，目前功率半導(dǎo)體的市場正在擴(kuò)大，特別是用于電動汽車和電力領(lǐng)域的設(shè)備需求也在增加，因此他們即刻調(diào)整策略、擴(kuò)大產(chǎn)能。據(jù)悉，Disco的“dicer”（晶圓切割技術(shù)）和“grinders”（研磨技術(shù)）占據(jù)全球70%至80%的市場份額，其中功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的訂單貢獻(xiàn)了25%的營收，預(yù)計未來需求還將增長，例如激光切割SiC晶圓的設(shè)備。
3、資本動態(tài)
（1）JinPyeng電子收購韓國芯片制造商RFsemi
據(jù)韓媒4月3日報道，韓國芯片制造商RFsemi已出售給中國電子制造商JinPyeng電子，該公司最大的股東將由前CEO Lee Jin-hyo變更為韓國JinPyeng（JPK）。據(jù)悉，JPK將獲得RFsemi價值200億韓元（約1.05億人民幣）的新股以及管理權(quán)，新股將于5月30日發(fā)行。JPK是JinPyeng 2018年在韓國首爾成立的分公司，其最大股東是香港JinPyeng科技有限公司；而JinPyeng 成立于2003年，總部位于天津，并在2019年、2020年相繼成立陜西JinPyeng與上海JinPyeng，共同致力成為集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售系列化鋰離子電池及消費(fèi)類電子產(chǎn)品量產(chǎn)配套的專業(yè)企業(yè)。RFsemi成立于1999年10月，公司產(chǎn)品包括半導(dǎo)體器件——ECM器件、TVS器件、LED驅(qū)動器件等，并在近兩年將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到SiC/GaN功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。去年9月他們與GaN Systems簽署了MOU協(xié)議，宣布共同開發(fā)GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中還包括GaN器件封裝技術(shù)方面的合作。除了GaN外，該公司還對外代工SiC器件，并在去年8月宣布與Yes Power Technics聯(lián)合完成1700V SiC功率半導(dǎo)體的開發(fā)并開始量產(chǎn)。
（2）Transphorm總?cè)谫Y約6402萬元
4月3日，Transphorm公司宣布已經(jīng)與公司尚未行使的認(rèn)股權(quán)證的某些持有人達(dá)成協(xié)議，通過行使這些認(rèn)股權(quán)證籌集730萬美元（約合人民幣5025萬元）的資金。此外，公司于4月4日對外宣布已經(jīng)簽訂了證券購買協(xié)議，以每股4美元的價格非公開發(fā)行50萬股公司的普通股，籌集200萬美元（約合人民幣1377萬元）的總收入。Transphorm是美國一家GaN功率器件生產(chǎn)商,致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。
（3）博世官宣將收購芯片制造商TSI并投資15億美元
4月26日，博世官網(wǎng)宣布將收購美國芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的資產(chǎn)，以擴(kuò)大其SiC芯片業(yè)務(wù)，并加強(qiáng)他們的電動汽車供應(yīng)鏈。根據(jù)報道，該收購案具體金額暫未對外披露，目前仍需得到美國監(jiān)管部門的批準(zhǔn)。此次收購?fù)瓿珊螅┦牢磥韼啄赀€將投資15億美元（約合人民幣104億元），升級TSI半導(dǎo)體在加州Roseville的生產(chǎn)設(shè)施，并計劃從2026年開始在8英寸晶圓上生產(chǎn)SiC器件。當(dāng)前，博世的SiC技術(shù)已經(jīng)被江鈴汽車及廣汽埃安等采用。截至目前，博世已經(jīng)3次對外宣布要擴(kuò)大SiC投資，累計投資金額近49億元：①2022年7月，投資約4億歐元（約27億元人民幣）用于擴(kuò)大SiC產(chǎn)能，該投資是歐洲芯片法案的一部分，德國政府和歐盟將根據(jù)該法案提供額外資金；②2022年2月，博世再投資2.5億歐元（約18億元人民幣），進(jìn)一步擴(kuò)大SiC等產(chǎn)能，新生產(chǎn)設(shè)施計劃于2025年投入使用，目標(biāo)產(chǎn)能是數(shù)億顆；③2021年10月，博世宣布，2022年將花費(fèi)超過29億人民幣擴(kuò)大半導(dǎo)體產(chǎn)能，其中約有5000萬歐元（約3.6億元人民幣）專門用于羅伊特林根的SiC晶圓廠。除在國外布局?jǐn)U大SiC生產(chǎn)外，博世在中國也投資約67.4億元建設(shè)SiC項目。今年3月，博世的汽車級SiC項目舉行了奠基儀式。
