近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在寧波國際會(huì)議中心舉行。寧波電子行業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)李凌，寧波市經(jīng)信局黨組成員、副局長(zhǎng)王川出席并致辭。

本次論壇通過深入研討半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)，旨在聚焦新能源汽車與消費(fèi)電子前沿技術(shù)及創(chuàng)新應(yīng)用，進(jìn)一步探索構(gòu)建寧波市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)。

據(jù)了解，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備高頻、高效、耐高壓、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是支撐半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道交通、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件。

寧波市經(jīng)信局副局長(zhǎng)王川表示，寧波市高度重視第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的培育發(fā)展，經(jīng)過多年的努力，已初步形成了涵蓋半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料、集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈條，構(gòu)建了以芯港小鎮(zhèn)、集成電路創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園等為支撐的“一區(qū)四鏈”產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。

論壇報(bào)告環(huán)節(jié)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)馮亞東分享了《國際半導(dǎo)體政策研究》報(bào)告，寧波市經(jīng)信局處長(zhǎng)兼市數(shù)字經(jīng)濟(jì)局副局長(zhǎng)蘇志杰介紹了《寧波半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與政策》，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)、光榮資產(chǎn)管理(北京)有限公司合伙人耿博帶來了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及投資狀況分析》報(bào)告，甬江實(shí)驗(yàn)室研究員鐘飛介紹了《協(xié)同創(chuàng)新平臺(tái)模式探討與實(shí)踐》，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院教授張清純分享了《國產(chǎn)SiC器件國產(chǎn)化現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》，上海蔚來汽車研發(fā)總監(jiān)李道會(huì)介紹了《第三代半導(dǎo)體助推電動(dòng)汽車進(jìn)程》，中電化合物半導(dǎo)體有限公司董事潘堯波分享了《SiC 材料的進(jìn)展和挑戰(zhàn)》，上海特易信息科技有限公司副總經(jīng)理王燕飛分享了《半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)國際貿(mào)易趨勢(shì)解讀》報(bào)告。

近年來我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)取得了快速發(fā)展，在半導(dǎo)體組裝、封裝和測(cè)試領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，我國但在半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、設(shè)備方面還存在短板。美國已經(jīng)將我國作為主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，各國密集的政策出臺(tái)勢(shì)必將對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)、我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生重要影響。馮亞東副秘書長(zhǎng)在報(bào)告中表示，要聚焦國家戰(zhàn)略，重大項(xiàng)目牽引，形成發(fā)展合力。以應(yīng)用促發(fā)展，培育龍頭，加快迭代研發(fā)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集群。建立協(xié)同創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)體系和生態(tài)。推進(jìn)新形勢(shì)下精準(zhǔn)深入的國際科技合作。

耿博副秘書長(zhǎng)指出，“十四五”是我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期，近期補(bǔ)短板，長(zhǎng)期建立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，窗口期3-5年，需要形成合力。發(fā)展模式上，一是要保障人才、平臺(tái)、機(jī)構(gòu)可持續(xù)發(fā)展的能力建設(shè)，二是通過示范應(yīng)用加速工程化技術(shù)迭代提升，推動(dòng)形成規(guī)?；a(chǎn)能力。需求牽引，協(xié)同創(chuàng)新形成本土閉環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)形成自主保障能力，推動(dòng)完善上中下游互融共生、分工合作的市場(chǎng)化機(jī)制。著眼長(zhǎng)遠(yuǎn)、把握大勢(shì)，聯(lián)盟將充分發(fā)揮橋梁作用，為政產(chǎn)學(xué)研合作搭建平臺(tái)，打通產(chǎn)業(yè)鏈上下游、促進(jìn)協(xié)同創(chuàng)新。

其中，張清純教授表示：“自推出國內(nèi)首款量產(chǎn)的‘15V驅(qū)動(dòng)SiCMOSFET系列產(chǎn)品’，成功填補(bǔ)國內(nèi)空白，并服務(wù)多家光伏與儲(chǔ)能行業(yè)頭部企業(yè)后，今年我們將正式上量。”目前下一代碳化硅芯片已在多家車企驗(yàn)證，未來將在電動(dòng)車主驅(qū)芯片持續(xù)發(fā)力，率先實(shí)現(xiàn)主驅(qū)碳化硅芯片的國產(chǎn)替代。

潘堯波透露，目前國內(nèi)碳化硅材料質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平，能支撐碳化硅器件對(duì)材料質(zhì)量的要求。SiC材料降本放量成為當(dāng)前核心，SiC技術(shù)不斷發(fā)展，一些關(guān)鍵技術(shù)問題需要基礎(chǔ)課題研究，需要產(chǎn)學(xué)研大力合作。2025年SiC材料將進(jìn)入8吋時(shí)代，將會(huì)形成新的競(jìng)爭(zhēng)格局。