2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長(zhǎng)沙召開(kāi)。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高?？蒲性核砩钊胙杏?，攜手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，湖南德智新材料有限公司副總經(jīng)理、首席技術(shù)官余盛杰分享了《半導(dǎo)體設(shè)備用SiC零部件開(kāi)發(fā)及應(yīng)用》的主題報(bào)告。

化合物半導(dǎo)體是指以SiC、GaN、GaAs為代表的的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。隨著應(yīng)用場(chǎng)景不斷增加，對(duì)于化合物半導(dǎo)體的需求越來(lái)越大，化合物半導(dǎo)體發(fā)展迅速，因此，其芯片產(chǎn)能及制造能力就顯得極為重要。

同時(shí)，SiC零部件是化合物半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中必不可少的高頻耗材，也是唯一接觸晶圓片的零部件，并對(duì)芯片性能、制造成本及產(chǎn)能具有重要的影響。本報(bào)告重點(diǎn)講述化合物半導(dǎo)體設(shè)備用SiC零部件性能要求及其對(duì)芯片制造的影響，分享德智新材開(kāi)發(fā)的SiC零部件在化合物半導(dǎo)體芯片制造中應(yīng)用情況，同時(shí)展望未來(lái)SiC零部件的發(fā)展方向。

嘉賓簡(jiǎn)介：余盛杰，10年+新材料領(lǐng)域科研、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及管理經(jīng)驗(yàn)，師從國(guó)內(nèi)SiC資深博導(dǎo)陳照峰教授，南京航空航天大學(xué)材料學(xué)博士，湖南德智新材料有限公司創(chuàng)始人之一，現(xiàn)任副總經(jīng)理，湖南省2020年產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目建設(shè)引進(jìn)100個(gè)科技創(chuàng)新人才，湖南省株洲市“雙創(chuàng)人才”。主要從事CVD SiC薄膜、SiC納米線、C/SiC及SiC/SiC復(fù)合材料等領(lǐng)域的研究，發(fā)表SCI等論文20余篇，其中SCI收錄16篇，EI論文1篇，在SiC涂層領(lǐng)域具有扎實(shí)的研究基礎(chǔ)及豐富的技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。