以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。氧化鎵（Ga₂O₃）具有4.8 eV的超寬帶隙，在功率電子器件、深紫外探測(cè)等應(yīng)用領(lǐng)域受到世界各國(guó)科研和產(chǎn)業(yè)界的強(qiáng)烈關(guān)注。

近日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長(zhǎng)沙召開(kāi)。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高?？蒲性核砩钊胙杏懀瑪y手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，在“氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”分論壇上，廈門(mén)大學(xué)教授張洪良分享了氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)的研究成果與進(jìn)展。

氧化鎵半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)鏈包括單晶襯底、外延薄膜、器件制作等多個(gè)環(huán)節(jié)。其中，單晶和外延薄膜是材料基礎(chǔ)，其品質(zhì)直接決定器件的性能。報(bào)告分享了當(dāng)前氧化鎵薄膜外延的發(fā)展現(xiàn)狀，并重點(diǎn)介紹了課題組氧化鎵薄膜外延、電子結(jié)構(gòu)、摻雜與缺陷機(jī)制等方面的研究進(jìn)展。

嘉賓簡(jiǎn)介

2012年獲得牛津大學(xué)無(wú)機(jī)化學(xué)博士學(xué)位，2008年新加坡國(guó)立大學(xué)碩士學(xué)位，2003年山東大學(xué)本科。2012-2017年先后在美國(guó)西北太平洋國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和劍橋大學(xué)從事博士后工作。

研究方向?yàn)閷捊麕а趸锇雽?dǎo)體薄膜外延、能帶調(diào)控及光電探測(cè)器件，迄今在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nat. Commun., Adv. Mater.，等發(fā)表論文150余篇，申請(qǐng)專(zhuān)利11項(xiàng)。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國(guó)家自然科學(xué)基金委面上基金、企業(yè)合作研發(fā)等項(xiàng)目8項(xiàng)。曾獲國(guó)家高層次“青年”人才、劍橋大學(xué)Herchel Smith Research Fellowship、臺(tái)灣積體電路制造公司（TMSC）最佳國(guó)際研究生科研獎(jiǎng)。