5月23日下午據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省公布外匯法法令修正案，正式將先進(jìn)芯片制造設(shè)備等23個(gè)品類納入出口管制，該管制將在7月23日生效。
來源：日本經(jīng)濟(jì)新聞（譯）
日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布的清單涉及清洗、成膜、熱處理、曝光、蝕刻、檢查等23個(gè)種類，包括極紫外（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備和三維堆疊存儲器的蝕刻設(shè)備等。
報(bào)道稱，雖然中國和其他特定國家和地區(qū)未被明確列為受監(jiān)管對象，但新增的23個(gè)項(xiàng)目將需要單獨(dú)許可證（即出口至任何國家地區(qū)均需要單獨(dú)獲得許可），這給對中國和其他國家的出口帶來了實(shí)際困難。“美國嚴(yán)格限制尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備對華出口，日本緊隨其后。”
聯(lián)合國國際貿(mào)易中心的統(tǒng)計(jì)顯示，日本2021年向中國本土出口的制造設(shè)備達(dá)到約120億美元，金額占出口到全世界的設(shè)備的近4成，在所有地區(qū)中最高。出口額是美國對華設(shè)備出口的近2倍。
日本在半導(dǎo)體市場的份額已從1980年代末的50%下降至目前的10%左右，但仍擁有一些領(lǐng)先的芯片制造設(shè)備制造商。美國在去年10月對向中國出口芯片制造設(shè)備實(shí)施了限制，以減緩其芯片業(yè)乃至軍事的發(fā)展，并一直在尋求主要芯片制造同行荷蘭和日本的合作。
日本政府今日表示，計(jì)劃限制23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口，以配合美國遏制中國制造先進(jìn)芯片能力的舉措。日本貿(mào)易和工業(yè)部長在一份新聞稿中表示，將對用于芯片制造的六類設(shè)備實(shí)施出口管制，包括清潔、沉積、光刻和蝕刻等。但沒有指名中國為這些措施的目標(biāo)，稱設(shè)備制造商將需要為所有地區(qū)尋求出口許可。
日本半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商（附23類設(shè)備匯總）。
東京電子
東京電子（Tokyo Electron）是全球第三大半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商，僅次于美國的應(yīng)用材料和荷蘭的ASML。它還生產(chǎn)面板顯示器制造設(shè)備。去年10月-12月，東京電子在中國的芯片設(shè)備銷售額同比下降22.3%至1027億日元，占該季度芯片設(shè)備總銷售額的22.4%。該公司在去年11月將其截至2023年3月的全年銷售預(yù)期下調(diào)了2500億日元（18.8億美元），即10.6%，部分原因是美國收緊了對中國的出口限制，后來其收入預(yù)期上調(diào)了700億日元。今年2月份，該公司高管在財(cái)報(bào)會上表示，“由于擔(dān)心隨著國際貿(mào)易壁壘的提高無法獲得設(shè)備，許多中國公司正在加快投資計(jì)劃并要求將交貨時(shí)間提前。”
愛德萬測試
愛德萬測試（Advantest）是一家芯片測試設(shè)備制造商，成立于1954年，為全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供自動化測試設(shè)備和一體化的測試技術(shù)解決方案，與總部位于美國的泰瑞達(dá)（Teradyne）展開競爭。中國是愛德萬測試在10月至12月的最大市場，占該季度全球銷售額的32.9%。愛德萬測試的一位高管1月份表示，“我們認(rèn)為美國對中國的出口限制直接阻止我們銷售我們的測試儀的風(fēng)險(xiǎn)很小。然而，我們可能會受到間接影響，因?yàn)檫@些限制會停止供應(yīng)其他公司的生產(chǎn)設(shè)備，促使我們的客戶重新審視他們的商業(yè)計(jì)劃。”
SCREEN
成立于1943年SCREEN是全球第六大的半導(dǎo)體設(shè)備廠商，公司主要提供包括清洗機(jī)、蝕刻、顯影/涂布等。其中，清洗設(shè)備在過去多年來一直穩(wěn)居半導(dǎo)體行業(yè)龍頭的位置。該公司預(yù)計(jì)，截至 3月份的一年中，對中國的出貨量將占芯片制造設(shè)備銷售額3750億日元的20%。該公司曾表示，對中國的銷售可能會受到美國出口限制的影響，但任何下降都可能被其他地方更高的需求所彌補(bǔ)。
尼康公司
尼康生產(chǎn)深紫外光刻機(jī)，這是僅次于極紫外光刻機(jī)的第二先進(jìn)的芯片微型電路系統(tǒng)。在上世紀(jì)末尼康是當(dāng)之無愧的光刻機(jī)巨頭，從80年代后期至本世紀(jì)初，尼康光刻機(jī)市場占有率超50%。尼康在截至2022年3月的財(cái)年中約占中國總銷售額的28%，約40%的銷售額來自其光刻機(jī)業(yè)務(wù)。尼康首席財(cái)務(wù)官M(fèi)uneaki Tokunari在2月9日的財(cái)報(bào)簡報(bào)會上表示，隨著公司向中國出口“一定數(shù)量”的產(chǎn)品，尼康將密切關(guān)注事態(tài)發(fā)展。
Lasertec
Lasertec 是世界上唯一一家使用極紫外掩模光刻技術(shù)的半導(dǎo)體檢測設(shè)備制造商。Lasertec專注于設(shè)計(jì)和開發(fā)，將生產(chǎn)的大部分委托給外部，其“輕工廠”（fab-light）的優(yōu)勢擴(kuò)大了收益。這家芯片測量制造商在中國的銷售額占其全球銷售額的不到10%。Lasertec表示，由于該公司在中國的銷量較小，出口限制將對該公司產(chǎn)生“有限、微不足道的影響”。
熱處理相關(guān)（1類）
在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進(jìn)行回流（Reflow）的“退火設(shè)備（Anneal）”。
檢測設(shè)備（1類）
EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設(shè)備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設(shè)備。
曝光相關(guān)（4類）
1.用于EUV曝光的護(hù)膜（Pellicle）。
2.用于EUV曝光的護(hù)膜（Pellicle）的生產(chǎn)設(shè)備。
3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設(shè)備（Coater Developer）。
4.用于處理晶圓的步進(jìn)重復(fù)式、步進(jìn)掃描式光刻機(jī)設(shè)備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數(shù)值孔徑得到的數(shù)值為45及以下）。（按照筆者的計(jì)算，尼康的ArF液浸式曝光設(shè)備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設(shè)備不在此范圍。）
干法清洗設(shè)備、濕法清洗設(shè)備（3類）
1.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘?jiān)?、氧化銅膜，形成銅膜的設(shè)備。
2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應(yīng)腔(Multi-chamber)設(shè)備。
3.單片式濕法清洗設(shè)備（在晶圓表面性質(zhì)改變后，進(jìn)行干燥）。
蝕刻（3類）
1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設(shè)備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設(shè)備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設(shè)備。
2.濕法蝕刻設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。
3.為異向性蝕刻設(shè)備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥的設(shè)備。
成膜設(shè)備（11類）
1.如下所示的各類成膜設(shè)備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。
利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。
利用自下而上（Bottom-up）成膜技術(shù)，填充鈷（Co）或者鎢（W）時(shí)，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設(shè)備。
在同一個(gè)腔體（Chamber）內(nèi)進(jìn)行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設(shè)備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設(shè)備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時(shí)、利用有機(jī)化合物形成鎢（W）膜的設(shè)備。
可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態(tài)（或者惰性環(huán)境）的、含多個(gè)腔體的、可處理多個(gè)工序的成膜設(shè)備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設(shè)備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。
利用以下所有工藝形成銅線路的設(shè)備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用PVD技術(shù)，形成銅（Cu）層膜的工藝。
利用金屬有機(jī)化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設(shè)備。
在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產(chǎn)生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設(shè)備。
2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態(tài)下(或者惰性環(huán)境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設(shè)備。
3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設(shè)備。
4.“空間原子層沉積設(shè)備（僅限于支持與旋轉(zhuǎn)軸晶圓的設(shè)備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區(qū)域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關(guān)技術(shù)手法。
5.可在400度一一650度溫度下成膜的設(shè)備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內(nèi)產(chǎn)生的自由基(Radical)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成薄膜的設(shè)備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設(shè)備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數(shù)（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。
6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設(shè)備的掩膜)的設(shè)備。
7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設(shè)備屬于管控范圍。（1）擁有多個(gè)腔體，在多個(gè)工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態(tài)（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環(huán)境）的設(shè)備。（2）用于半導(dǎo)體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設(shè)計(jì)的腔體的設(shè)備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設(shè)備。
8.可利用等離子技術(shù)，形成厚度超過100納米、而且應(yīng)力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設(shè)備。
9.可利用原子層沉積法或者化學(xué)氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內(nèi)氟原子數(shù)量低于1019個(gè)）的設(shè)備。
10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產(chǎn)生間隙，利用等離子形成相對介電常數(shù)（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設(shè)備。
11.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火設(shè)備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。
根據(jù)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，未來3年，28nm及以上制程芯片預(yù)計(jì)將占據(jù)全球晶圓代工廠產(chǎn)能的75%至80%。若擴(kuò)大到45nm及以下節(jié)點(diǎn)，將影響幾乎所有國內(nèi)涉及SoC、FPGA、CIS、SSD主控等邏輯晶圓制造商和3D NAND存儲器制造商。
（來源：SEMI產(chǎn)業(yè)投資平臺）
