2023年5月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式對(duì)外公布了外匯法法令修正案，將先進(jìn)芯片制造設(shè)備等23個(gè)品類追加列入出口管理的管制對(duì)象。

從2022年7月份開始，美國(guó)就聯(lián)合荷蘭對(duì)華實(shí)施了半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施，并多次施壓日本、荷蘭等在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域具有優(yōu)勢(shì)地位的國(guó)家緊跟其腳步，形成美日荷半導(dǎo)體同盟限制中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展，試圖通過(guò)出口管制阻斷中國(guó)在尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。2023年3月日本順應(yīng)美國(guó)政府加強(qiáng)對(duì)抗中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從嚴(yán)對(duì)外出口尖端半導(dǎo)設(shè)備的管制。

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設(shè)備清單

根據(jù)日本政府公布的信息，這23種半導(dǎo)體制造設(shè)備被分成了6大類，具體清單如下：

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限制方式

日本政府此次出臺(tái)的半導(dǎo)體設(shè)備管制措施，將對(duì)這些設(shè)備的出口實(shí)施審批制度，即需要向日本政府申請(qǐng)出口許可證，才能將這些設(shè)備出口到特定國(guó)家或地區(qū)。具體來(lái)說(shuō)，這些設(shè)備的出口將受到以下限制：

需要向日本政府申請(qǐng)出口許可證：日本對(duì)受管制物項(xiàng)的出口許可證類型總體可分為個(gè)別許可證和概括許可證兩類。根據(jù)適用的國(guó)家/地區(qū)以及適用場(chǎng)景的不同，概括許可證又分為一般概括許可證、特別一般概括許可證、特定概括許可證以及針對(duì)物項(xiàng)返修、向日本海外子公司出口等相關(guān)的特殊概括許可證。

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針對(duì)中國(guó)：在可申請(qǐng)?jiān)S可證類型方面，根據(jù)上述征求意見稿，本次新增設(shè)備在出口至中國(guó)大陸、中國(guó)香港和中國(guó)澳門時(shí)將無(wú)法申請(qǐng)針對(duì)向具體國(guó)家/地區(qū)出口的一般概括出口許可證或特別一般概括出口許可證，而僅能申請(qǐng)針對(duì)向具體最終用戶出口的特定概括出口許可證，或是申請(qǐng)針對(duì)單次交易的個(gè)別出口許可證；相反，在出口至包括美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等特定地域類型內(nèi)的42個(gè)國(guó)家或地區(qū)時(shí)，將可能申請(qǐng)一般概括出口許可證或特別一般概括出口許可證，從而適用更為簡(jiǎn)便的出口許可證申請(qǐng)流程。

涉及設(shè)備現(xiàn)狀

本次受限制的設(shè)備包括：清洗設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、熱處理設(shè)備、光刻/曝光設(shè)備、刻蝕設(shè)備、測(cè)試設(shè)備六個(gè)方面，涉及到材料生長(zhǎng)、清洗、成膜、光刻、刻蝕、摻雜、外延、檢測(cè)等重要工序，對(duì)國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)造成一定影響。

1.薄膜沉積設(shè)備

隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在90nmCMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序。在3nmFinFET工藝產(chǎn)線，則超過(guò)100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納米級(jí)。只有薄膜沉積設(shè)備的不斷創(chuàng)新和進(jìn)步才能支撐集成電路制造工藝向更小制程發(fā)展。

從半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的細(xì)分市場(chǎng)上來(lái)看，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中PECVD、PVD、ALD設(shè)備占比分別為34%、21%和13%。

薄膜沉積設(shè)備主要被日本、美國(guó)和歐洲的廠商主導(dǎo),據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，PVD設(shè)備方面，應(yīng)用材料具有絕對(duì)份額優(yōu)勢(shì)，占據(jù)85%的市場(chǎng)份額；應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體和東京電子是CVD設(shè)備市場(chǎng)中的佼佼者，分別占比30%、21%和19%；ALD設(shè)備中，東京電子和ASMI是行業(yè)龍頭，分別占有31%和29%的市場(chǎng)份額。

國(guó)內(nèi)廠商中，北方華創(chuàng)和拓荊科技的薄膜沉積設(shè)備研發(fā)進(jìn)展較為領(lǐng)先，中微公司在深耕用于LED制造的MOCVD的同時(shí)加碼鎢填充CVD設(shè)備。

2. 清洗設(shè)備

在半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)當(dāng)中，清洗是一道非常重要的工序，對(duì)于半導(dǎo)體芯片的清洗貫穿于半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的幾乎整個(gè)環(huán)節(jié)，在光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序前后都需要一步清洗工序。根據(jù)清洗介質(zhì)不同，半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線，目前濕法清洗是主流的技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的90%以上。

半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)集中度非常高，日本企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備主要被日本DNS（迪恩士）、東京電子、泛林科技和SEMES（韓國(guó)細(xì)美事）等企業(yè)主導(dǎo)，日本公司占據(jù)主導(dǎo)地位，迪恩士占據(jù)了全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備45.1%的市場(chǎng)份額，東京電子、SEMES和泛林半導(dǎo)體分別占據(jù)約25.3%、14.8%和12.5%。

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國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中，迪恩士和東京電子仍然占據(jù)較大市場(chǎng)份額，2022年我國(guó)半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為97.83億元。盛美、北方華創(chuàng)則分別占據(jù)了10%和5%左右的市場(chǎng)份額，目前我國(guó)清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約為31%。

3.熱處理設(shè)備

加熱工藝也稱為熱制程，指的是在高溫操作的制造程序。加熱工藝通常在高溫爐中進(jìn)行，包含半導(dǎo)體制造中氧化、雜質(zhì)擴(kuò)散和晶體缺陷修復(fù)的退火等主要工藝。

熱處理設(shè)備合計(jì)占半導(dǎo)體制造設(shè)備份額約3%。近年來(lái)全球半導(dǎo)體熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，2020年快速熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為7.2億美元，；氧化/擴(kuò)散設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約5.5億美元；柵極堆疊（Gate Stack）設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為2.7億美元。國(guó)際中，東京電子、應(yīng)用材料等企業(yè)處于領(lǐng)先地位。

國(guó)內(nèi)的氧化擴(kuò)散設(shè)備生產(chǎn)商：主要包括北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體，氧化擴(kuò)散/熱處理設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率28%，我國(guó)氧化/擴(kuò)散設(shè)備進(jìn)口依賴度高，在國(guó)產(chǎn)替代大背景下，氧化/擴(kuò)散設(shè)備行業(yè)發(fā)展空間較大。

4. 光刻/曝光設(shè)備

光刻設(shè)備又名掩膜對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。光刻設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵的設(shè)備，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時(shí)也決定了芯片的性能和功耗。

光刻機(jī)每年出貨數(shù)量約300~400臺(tái)。近兩年全球光刻機(jī)每年出貨量大約在300~400臺(tái)之間，整體均價(jià)約0.3億美元。其中主要產(chǎn)品是KrF約90~100臺(tái)，ArFi約90~100臺(tái)。近幾年EUV出貨量在逐步增長(zhǎng)，全球僅有ASML具備供應(yīng)能力，每年出貨30~50臺(tái)，均價(jià)超過(guò)1億美元。

目前全球光刻設(shè)備的格局是ASML一家獨(dú)大，旗下產(chǎn)品覆蓋了全部級(jí)別的光刻機(jī)設(shè)備；上海微電子裝備(SMEE)目前也在突破光刻設(shè)備瓶頸，但由于光刻設(shè)備對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和供應(yīng)鏈要求極高，短期很難達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

從國(guó)際光刻機(jī)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局看，當(dāng)前荷蘭ASML公司占比達(dá)62%，出貨量約260臺(tái)，遠(yuǎn)高于尼康和佳能，尼康和佳能市場(chǎng)銷量占全球總銷售量的7%和30%。從銷售額看，ASML仍然占據(jù)市場(chǎng)龍頭地位，市場(chǎng)份額高達(dá)90%，佳能和尼康占比為6%和3%。

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國(guó)內(nèi)產(chǎn)品也在加快研發(fā)，目前國(guó)內(nèi)對(duì)標(biāo)產(chǎn)品為ASML的DUV光刻機(jī)：TWINSCAN NXT:2000i。以NXT:2000i為例，各子系統(tǒng)拆分如下：上海微電子負(fù)責(zé)光刻機(jī)設(shè)計(jì)和總體集成，北京科益虹源提供光源系統(tǒng)，北京國(guó)望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng)，國(guó)科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng)，華卓精科提供雙工作臺(tái)，浙江啟爾機(jī)電提供浸沒(méi)系統(tǒng)。

5. 刻蝕設(shè)備

刻蝕作為晶圓前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備之一，價(jià)值量占比達(dá)到25%。隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度提升，也橫向拉動(dòng)單一半導(dǎo)體器件刻蝕用量大幅提升?？涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)。干法刻蝕市場(chǎng)占比超90%占主流地位，ICP電感性與CCP電容性等離子體刻蝕設(shè)備是應(yīng)用最廣泛的刻蝕設(shè)備。

SEMI預(yù)計(jì)未來(lái)全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)5%的復(fù)合年增速，預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到155億美元。

刻蝕設(shè)備市場(chǎng)集中度高，據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，全球刻蝕機(jī)的市場(chǎng)份額泛林半導(dǎo)體（46.71%）、東京電子（26.57%）和應(yīng)用材料（16.96%）三巨頭主導(dǎo)。日立高新和細(xì)美事分別占據(jù)全球3.45%和2.53%的市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)廠商中微公司在全球市場(chǎng)的占有率為1.37%，北方華創(chuàng)占比0.89%，愛(ài)發(fā)科占比0.19%，屹唐半導(dǎo)體占比0.10%。

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6. 測(cè)試設(shè)備

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備包括檢測(cè)設(shè)備、量測(cè)設(shè)備。檢測(cè)指在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中，檢測(cè)其是否出現(xiàn)異質(zhì)情況；量測(cè)指對(duì)被觀測(cè)的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述。目前，在所有半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備中，應(yīng)用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)的設(shè)備占多數(shù)。在生產(chǎn)過(guò)程中，晶圓表面雜質(zhì)顆粒、圖案缺陷等問(wèn)題的檢測(cè)和晶圓薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、套刻精度、表面形貌的測(cè)量均需用到光學(xué)檢測(cè)技術(shù)。

掩膜版檢測(cè)設(shè)備：

測(cè)試設(shè)備中目前細(xì)分品類較多。根據(jù)數(shù)據(jù)，2020年半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)各類設(shè)備占比中掩膜檢測(cè)設(shè)備與掩膜量測(cè)設(shè)備分別為11.3%和1.3%。

7. 總結(jié)

目前薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、熱處理設(shè)備、刻蝕設(shè)備在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)都有一定的滲透，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的替代的速度明顯在加快。光刻機(jī)設(shè)備目前國(guó)內(nèi)的技術(shù)進(jìn)展步伐較慢，目前還需要大量依賴進(jìn)口。

目前設(shè)備主要供應(yīng)廠商：

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薄膜沉積設(shè)備目前與國(guó)際前沿廠商技術(shù)還存在一定的差距，半導(dǎo)體行業(yè)的薄膜沉積設(shè)備中，PVD設(shè)備與CVD設(shè)備均已初步實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而ALD設(shè)備作為先進(jìn)制程所必需的工藝設(shè)備，在大規(guī)模量產(chǎn)方面國(guó)內(nèi)廠商尚未形成突破，當(dāng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)向14納米甚至更小的方向升級(jí)時(shí)，與PVD設(shè)備和CVD設(shè)備相比，ALD設(shè)備的必要性更加凸顯。

清洗設(shè)備相比于其他半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)門檻較低，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中國(guó)內(nèi)相關(guān)半導(dǎo)體清洗設(shè)備企業(yè)已經(jīng)擁有約31%市場(chǎng)占有率，雖然目前國(guó)外的清洗設(shè)備企業(yè)還是占有很大的市場(chǎng)，但是隨著環(huán)境的推動(dòng)，有望率先實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化。

熱處理設(shè)備方面，東京電子處于世界領(lǐng)先的地位，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)目前對(duì)進(jìn)口的依賴依然偏高，但是國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)的滲透率也在逐步加大，國(guó)內(nèi)熱處理設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)到約28%。雖然日本本次限制熱處理設(shè)備會(huì)出現(xiàn)短暫的供應(yīng)短缺，但國(guó)內(nèi)供應(yīng)也會(huì)逐步追上。

光刻設(shè)備行業(yè)已經(jīng)是一個(gè)高度壟斷的行業(yè)，這一格局在未來(lái)的時(shí)間里都很難發(fā)生變化。我國(guó)光刻機(jī)技術(shù)長(zhǎng)期處于落后狀態(tài)，光刻設(shè)備需要長(zhǎng)期大量依賴進(jìn)口。隨著本次限制令的出臺(tái)，主要的光刻機(jī)供應(yīng)商的先進(jìn)制程機(jī)器都對(duì)中國(guó)實(shí)行了限制，光刻機(jī)的進(jìn)口將變得更加困難，國(guó)內(nèi)芯片廠商的先進(jìn)制程技術(shù)研發(fā)也將變得舉步維艱。同時(shí)光刻機(jī)的短缺也會(huì)促使國(guó)內(nèi)廠商加快研發(fā)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)的空缺市場(chǎng)，帶來(lái)的是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)。

刻蝕設(shè)備目前依舊是國(guó)外主導(dǎo)，日本東京電子的市場(chǎng)占有率依然，國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)已經(jīng)取得了一定的突破，目前市場(chǎng)也穩(wěn)定占有一定份額，市場(chǎng)的滲透在加速，不過(guò)目前國(guó)內(nèi)廠商進(jìn)口依賴還是較高。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)目前集中度較高，由美國(guó)和日本等海外廠商所主導(dǎo)。但是隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的行業(yè)大趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)也已經(jīng)快速發(fā)展，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)一定的滲透規(guī)模，也可逐漸實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。

受影響程度：

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分析與建議

第一，中國(guó)的先進(jìn)制程產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)，可能會(huì)延緩其技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的提升。

日本出臺(tái)半導(dǎo)體設(shè)備管制措施后可能會(huì)對(duì)中國(guó)的先進(jìn)制程半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生不利影響。先進(jìn)制程需要使用高端的半導(dǎo)體設(shè)備，而日本是全球半導(dǎo)體設(shè)備的主要生產(chǎn)國(guó)之一，其在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和市場(chǎng)地位都非常重要。如果日本對(duì)這些設(shè)備實(shí)施出口管制，將會(huì)導(dǎo)致中國(guó)的先進(jìn)制程產(chǎn)業(yè)面臨更大的困難和挑戰(zhàn)，可能會(huì)延緩其技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的提升。

第二，國(guó)內(nèi)外存在差距，全面國(guó)產(chǎn)化替代仍需時(shí)間，但對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備是較好機(jī)遇。

目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備在技術(shù)水平、品質(zhì)穩(wěn)定性、售后服務(wù)等方面與國(guó)外任然存在差距，并且隨著國(guó)外設(shè)備的禁止出口，許多設(shè)備關(guān)鍵的零部件的出口審核也變得更加嚴(yán)格，對(duì)于國(guó)內(nèi)的廠商技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品制造也是很大的挑戰(zhàn)。中電科四十八所認(rèn)為目前在高端設(shè)備領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)還處于前期研發(fā)階段，無(wú)法完全國(guó)產(chǎn)化并應(yīng)用至產(chǎn)業(yè)端。國(guó)產(chǎn)設(shè)備的穩(wěn)定性也相對(duì)較低，量產(chǎn)過(guò)程中工藝穩(wěn)定性需不斷地進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化。

但是也會(huì)帶來(lái)相對(duì)的優(yōu)勢(shì)與機(jī)遇，目前國(guó)內(nèi)設(shè)備成本相對(duì)于日本限制出口設(shè)備成本更低，可以降低用戶的采購(gòu)成本。并且本土化優(yōu)勢(shì)明顯，國(guó)產(chǎn)設(shè)備符合國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的實(shí)際需求和特點(diǎn)，可滿足更多定制化需求，可以更好地適應(yīng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的發(fā)展。

第三，建議從頂層設(shè)計(jì)加強(qiáng)支持設(shè)備及關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化，盡快解決半導(dǎo)體領(lǐng)域卡脖子關(guān)鍵問(wèn)題。

隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求的不斷增加和科技水平的不斷提高，國(guó)產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)水平和品質(zhì)穩(wěn)定性會(huì)逐漸成熟，成為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的主流設(shè)備。目前半導(dǎo)體設(shè)備料的國(guó)產(chǎn)替代率在持續(xù)增高，從設(shè)備類型來(lái)看，去膠、清洗、熱處理、刻蝕及CMP的領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代率均達(dá)到約30%，但在價(jià)值量較高的光刻、離子注入、涂膠顯影等領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率較低。

比亞迪半導(dǎo)體建議在設(shè)備上加快迭代，趁機(jī)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備加速發(fā)展，并且建議國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商加快碳化硅專用高溫高能離子注入機(jī)的技術(shù)迭代、高溫爐使用的碳化硅晶舟的開發(fā)和量產(chǎn)、國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商加快碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備的研發(fā)和量產(chǎn)化進(jìn)度，促進(jìn)整個(gè)碳化硅行業(yè)快速發(fā)展。

第四，第三代半導(dǎo)體由于工藝尺寸線寬要求相對(duì)較低，受影響較小。

在第三代半導(dǎo)體方面，由于第三代半導(dǎo)體目前還屬于發(fā)展階段，相對(duì)于Si材料，設(shè)備的工藝尺寸線寬、設(shè)計(jì)復(fù)雜度、裝備精密制造要求較低，限制名單發(fā)布后短期內(nèi)影響并不明顯。并且現(xiàn)在許多第三代半導(dǎo)體企業(yè)正在使用二手設(shè)備，市場(chǎng)上二手設(shè)備流通量較大，短時(shí)間內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)設(shè)備短缺問(wèn)題。同時(shí)部分第三代半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)在進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代，許多企業(yè)已經(jīng)用上國(guó)產(chǎn)裝備。

比亞迪半導(dǎo)體表示，其碳化硅產(chǎn)線目前使用和采購(gòu)的日本產(chǎn)設(shè)備未在本次限制清單中，暫不會(huì)對(duì)碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)造成影響，碳化硅產(chǎn)線已經(jīng)在碳化硅干刻，碳膜制備，高溫退火，高溫氧化，激光退火工序等部分關(guān)鍵設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

中科潞安也認(rèn)為短期之內(nèi)不會(huì)對(duì)企業(yè)正常生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有影響，但長(zhǎng)期來(lái)看會(huì)有一定的影響。目前中科潞安光刻設(shè)備采用的是大日本光學(xué)的設(shè)備，該設(shè)備及相關(guān)配套設(shè)備不在本次設(shè)備出口管控對(duì)象當(dāng)中，但不排除后期管控進(jìn)一步趨嚴(yán)以及正常的零配件、原輔料進(jìn)出口的時(shí)效加長(zhǎng)等。