IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種高壓高功率半導(dǎo)體器件，其巨大功率密度和高電壓能力使其在現(xiàn)代電力電子裝置和高效能電動(dòng)汽車上應(yīng)用廣泛。由于其在大電流和高電壓下的性能，IGBT已逐漸取代MOSFET成為主要的功率開關(guān)。
隨著全球新能源汽車市場不斷擴(kuò)大，IGBT市場需求也在增加。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前我國每年IGBT市場規(guī)模約為100億人民幣，市場增長快速。雖然IGBT行業(yè)發(fā)展前景廣闊，但是其仍面臨著一些挑戰(zhàn)，如產(chǎn)業(yè)鏈短板、技術(shù)水平較低、缺乏國際品牌影響力等。
產(chǎn)業(yè)鏈不完善，是IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一大挑戰(zhàn)。IGBT產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，需要完整的產(chǎn)業(yè)鏈來配套。我國雖然已建成世界上最大的IGBT基礎(chǔ)材料廠，但是在上游領(lǐng)域，如多晶硅、基板等方面，產(chǎn)業(yè)鏈尚不完整。同時(shí)在下游市場，如新能源汽車電機(jī)控制、電力電子、高速鐵路等領(lǐng)域中，也需要IGBT相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的支持。
技術(shù)水平較低也是IGBT產(chǎn)業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)之一。雖然我國在IGBT領(lǐng)域投入巨資，在一些技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)取得顯著的成果，但是在某些方面，如退火等技術(shù)方面，仍存在一定的瓶頸。同時(shí)，我國的IGBT研發(fā)與國際領(lǐng)先水平相比還有一定的差距，需要進(jìn)一步加強(qiáng)研發(fā)投入，提高技術(shù)水平。
缺乏國際品牌影響力也限制了IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。雖然我國IGBT企業(yè)數(shù)量眾多，但是真正具有國際影響力的品牌寥寥無幾。目前我國一些知名品牌，如億光、華虹等，雖然在國內(nèi)市場頗有知名度，但是在國際市場上，其品牌影響力還有待提升。
盡管IGBT產(chǎn)業(yè)面臨著挑戰(zhàn)，但其也充滿了機(jī)遇。如今，IGBT在交通運(yùn)輸、軌道交通、新能源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，未來IGBT市場需求還將不斷增加。同時(shí)，我國在這些領(lǐng)域中的投入也將會(huì)不斷加大，為IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的機(jī)遇。
在面臨挑戰(zhàn)，抓住機(jī)遇的背景下，IGBT產(chǎn)業(yè)企業(yè)需要加強(qiáng)合作，共同應(yīng)對挑戰(zhàn)。同時(shí)要積極加強(qiáng)自身技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，提高自身的技術(shù)水平。此外，還可以通過與國際品牌企業(yè)的合作，提高自身在國際市場的影響力。
IGBT產(chǎn)業(yè)是一個(gè)前途光明的市場，它的發(fā)展為我國的經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。我們需要在面臨挑戰(zhàn)的同時(shí)，抓住機(jī)遇，推動(dòng)IGBT產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展，為我國電子制造業(yè)的發(fā)展作出更加積極的貢獻(xiàn)。
值得關(guān)注的是，2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20-21日在上海舉辦。
為推動(dòng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)等單位，將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì))期間，在上海世博展覽館舉辦“2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇”。隨著新材料技術(shù)的不斷突破和在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產(chǎn)品、一代產(chǎn)業(yè)”。屆時(shí)我們將邀請到產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)專家代表，聚焦前沿技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，暢談產(chǎn)業(yè)鏈之間的協(xié)同創(chuàng)新與合作，攜手向前，共享共贏。
主辦單位：
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)
勵(lì)展博覽集團(tuán)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
報(bào)告議題（擬）：
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國產(chǎn)IGBT技術(shù)進(jìn)展及市場現(xiàn)狀 |
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碳化硅肖特基二級管技術(shù) |
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IGBT模塊封裝技術(shù) |
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助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案 |
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高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調(diào)整 |
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單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
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第三代半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
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IGBT的真空焊接技術(shù) |
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超高壓碳化硅功率器件 |
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碳化硅離子注入技術(shù) |
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第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測試方法和實(shí)現(xiàn) |
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IGBT芯片設(shè)計(jì) |
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車規(guī)級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢 |
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基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng) |
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SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì) |
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車規(guī)級氮化鎵功率器件技術(shù) |
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用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
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IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
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碳化硅芯片設(shè)計(jì) |
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