隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大和需求的增長,絕緣柵雙極型晶體管(簡稱IGBT)作為功率電子器件的核心之一,是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,被業(yè)界譽為電力電子行業(yè)中的“CPU”,在能源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制、交通運輸、可再生能源等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用,發(fā)展越發(fā)受到關(guān)注。隨著本土IGBT產(chǎn)品性能已經(jīng)逐漸成熟,且部分產(chǎn)品性能可對標(biāo)海外IGBT大廠產(chǎn)品,加速國產(chǎn)化IGBT產(chǎn)品市場滲透,逐步切入高端市場。
為推動IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用,由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會、勵展博覽集團聯(lián)合主辦,2023先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20日-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會)期間,在上海世博展覽館舉辦。
復(fù)旦大學(xué)研究員雷光寅受邀將出席論壇,并帶來《碳化硅功率器件現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》的主題報告。報告將簡要介紹碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展歷程,包括器件結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵參數(shù)在過去二十年的演進過程。報告也將對國內(nèi)先進水品進行簡要的介紹。
欲知詳細最新研究進展與數(shù)據(jù)成果,敬請關(guān)注論壇,也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)<?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流,共商合作事宜。
雷光寅博士,復(fù)旦大學(xué)研究員、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司首席科學(xué)家。2010年至2018年于美國福特汽車公司任研發(fā)工程師,負責(zé)混動汽車電機控制器硬件開發(fā);2018年至2020年于上海蔚來汽車有限公司任電動力工程技術(shù)專家,負責(zé)基于碳化硅功率半導(dǎo)體的新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)前瞻項目。長期從事功率半導(dǎo)體模塊封裝及新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā),研究領(lǐng)域集中在新型封裝材料開發(fā);功率模塊封裝設(shè)計、工藝開發(fā)、可靠性及失效分析;混動及純電驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā)等。發(fā)表高水平學(xué)術(shù)期刊論文30余篇,其中高引數(shù)量17篇;作為第一或合作發(fā)明人,至今共取得超過40項美國及中國發(fā)明專利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎之稱的美國科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新獎(R&D 100,2007年度)和2021年中國國際高新技術(shù)成果交易會優(yōu)秀產(chǎn)品獎等獎項。
論壇信息
時間:7月20日-21日
地點:上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)
主辦單位:
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會
勵展博覽集團
承辦單位:
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
報告議題(擬):
國產(chǎn)IGBT技術(shù)進展及市場現(xiàn)狀 |
碳化硅肖特基二級管技術(shù) |
IGBT模塊封裝技術(shù) |
助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案 |
高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調(diào)整 |
單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
第三代半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
IGBT的真空焊接技術(shù) |
超高壓碳化硅功率器件 |
碳化硅離子注入技術(shù) |
第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測試方法和實現(xiàn) |
IGBT芯片設(shè)計 |
車規(guī)級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢 |
基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng) |
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計 |
車規(guī)級氮化鎵功率器件技術(shù) |
用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
碳化硅芯片設(shè)計 |
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