GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領(lǐng)域的應用前景而備受關(guān)注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的擊穿電壓。由于昂貴的氮化物單晶襯底，商用GaN基器件通常生長在藍寶石、SiC或Si襯底上。芯港半導體是國內(nèi)首個專業(yè)從事藍寶石基氮化鎵功率器件的企業(yè)，掌握大尺寸高質(zhì)量高耐壓的藍寶石基氮化鎵外延技術(shù)。

7月26-28日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”將于西安召開。期間，江蘇芯港半導體有限公司總經(jīng)理程斌受邀將出席論壇，并將帶來《藍寶石基GaN材料及功率器件進展》的主題報告，分享最新的技術(shù)與產(chǎn)品進展，欲知詳情，敬請關(guān)注論壇。

CASICON 2023·西安站論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織籌辦。論壇將圍繞光電子器件與功率半導體器件設計、測試評價及應用等主題，邀請產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高校科研院所及知名企業(yè)代表共同深入探討，追蹤最新技術(shù)進展，分享前沿研究成果，攜手促進國內(nèi)功率與光電半導體器件技術(shù)與應用發(fā)展。

嘉賓簡介

程斌，江蘇芯港半導體有限公司總經(jīng)理。十余年從事GaN材料的生產(chǎn)及研發(fā)經(jīng)驗。曾獲中國電子科技二等獎（民品），參與國家重大專項《面向下一代移動通信的GaN基射頻器件關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)應用項目》，主持多項市級重點研發(fā)計劃、申請發(fā)明專利20余項，完成超高耐壓的藍寶石基GaN材料的研發(fā)及量產(chǎn)工作。

公司簡介

 江蘇芯港半導體有限公司在2020年10月注冊成立，注冊資金8000萬，總投資5億人民幣。公司位于徐州市空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，擁有生產(chǎn)廠房11000平方米，其中超凈車間5000平方米，具備年產(chǎn)4萬片6inch 外延片，器件2億顆的生產(chǎn)能力；是國內(nèi)首家專業(yè)從事藍寶石基氮化鎵材料及功率器件的生產(chǎn)服務商。公司開發(fā)的藍寶石基GaN外延材料，XRD 搖擺曲線（002）/（102）半高寬分別達到60 /120 arcsec；3um 緩沖層的外延材料ISO 擊穿電壓超過3000V，為1200V-1700V量級器件打下基礎。

主營產(chǎn)品

公司主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售藍寶石基GaN HEMT功率器件。產(chǎn)品方面主要包含耗盡型器件和增強型器件兩大類，耗盡型器件采用耐高壓的介質(zhì)柵，大幅降低柵界面態(tài)，實現(xiàn)良好的開關(guān)特性及可靠性；增強型器件采用PGaN帽層摻雜調(diào)控技術(shù)，柵擊穿電壓達到16V。本公司所推出的650V增強型和耗盡型器件（導通電阻200mΩ，400 mΩ，800 mΩ，1600 mΩ）具有良好的動態(tài)導通電阻，并順利通過客戶各項驗證。另外本公司將在9月份推出1200V-1700V的器件產(chǎn)品。

附：論壇信息

組織機構(gòu)

指導單位：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

西安交通大學

極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）

第三代半導體產(chǎn)業(yè)

協(xié)辦支持：

西安電子科技大學

中國科學院半導體研究所

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會

全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團

名譽主席：侯  洵

大會主席：云  峰

副主席：張進成  李世瑋 楊銀堂

程序委員會：

康俊勇、楊旭、王軍喜、劉斌、陳鵬、寧靜、許晟瑞、王瑋、郭輝、潘堯波、丁國華、李哲洋、王東、李強、黃森、馬淑芳、康香寧、趙璐冰

主題方向

·碳化硅功率器件設計與制造

·氮化鎵功率器件設計與制造

·超寬禁帶半導體材料與器件技術(shù)

·超高壓器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新及先進制造工藝

·高頻驅(qū)動芯片技術(shù)

·功率模塊熱管理與可靠性

·基于寬禁帶器件的高頻大功率模組技術(shù)

·800V電驅(qū)/電控系統(tǒng)技術(shù)進展與功率電子應用

·車用功率半導體及模塊可靠性要求及認證標準

·基于寬禁帶半導體的新能源及儲能應用

·光電子器件技術(shù)新發(fā)展、新動向

·紫外LED發(fā)光及探測技術(shù)

·VCSEL 器件設計及應用

·半導體激光器技術(shù)

·…………

會議日程

時間：2023年7月26-28日

地點：西安斯瑞特國際酒店

議程：(具體報告陸續(xù)更新中)

擬參與單位：

西安電子科技大學、西安交通大學、中興通訊、中電化合物、瀚強科技、山東天岳、科友半導體、國星光電、長電科技、中電科十三所、中電科五十五所、茂睿芯、昂瑞微、華杰智通、ULVAC、承芯半導體、順絡電子、唯捷創(chuàng)芯、中芯聚源、旭創(chuàng)科技、海信集團、北京大學，廈門大學、中科院半導體所、烽火通信、南京大學、中科院微電子所、光訊科技、亨通光電、長飛光纖、華為、海思、高意半導體、鍇威特、基本半導體、昂納信息、芯聚能、中電科四十六所、陜西科技大學、西安郵電大學、德科立、芯思杰、浙江大學、三環(huán)集團、仕佳光子、肖特科技、奇芯光電、中鎵半導體、日立、蘇州晶湛、源杰半導體、匯信特、百識電子、云南鍺業(yè)、三安集成、敏芯半導體、上海陽安、永鼎股份、億源通、飛博康、盈峰光通信、迅特通信、意法半導體、中博芯、中國信通院、西安理工大學……

活動參與：

注冊費2600元，7月15日前注冊報名2300元（含會議資料袋，7月26日歡迎晚宴+27日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預定中，請具體請咨詢。

報告及論文發(fā)表聯(lián)系：

賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com 

參會及商務合作：

賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com

張女士   13681329411 zhangww@casmita.com