當(dāng)前，寬禁帶半導(dǎo)體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等在射頻器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，技術(shù)也在不斷提升，在高頻射頻應(yīng)用，功率放大器和功率調(diào)節(jié)器等方面取得了重要進展。除了碳化硅和氮化鎵，新的寬禁帶材料也在不斷被開發(fā)，如氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化鋁銦鎵（InAlGaN）等，以拓展射頻和功率應(yīng)用的領(lǐng)域。

2023年7月26日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安開幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

開幕大會上，西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進成做了題為“寬禁帶半導(dǎo)體射頻和功率器件技術(shù)新進展”的主題報告，報告認(rèn)為，寬禁帶半導(dǎo)體電子器件是后摩爾時代的關(guān)鍵新領(lǐng)域新賽道，2030年前寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)仍加速演進階段。大功率射頻器件、高速高效功率器件是革命性的半導(dǎo)體技術(shù)，在寬禁帶半導(dǎo)體新賽道，射頻和功率半導(dǎo)體有追趕趕超的機遇。報告分析了當(dāng)前GaN器件技術(shù)面臨的材料設(shè)計與缺陷抑制、高密度電子調(diào)控難、硅基GaN射頻損耗大、高性能增強型GaN器件等挑戰(zhàn)與技術(shù)路線發(fā)展方向，并分享了低缺陷GaN基電子材料生長方法、高性能GaN基HEMT射頻器件、高性能GaN基射頻二極管、高性能增強型GaN電力電子器件等重大突破。報告指出，寬禁帶半導(dǎo)體射頻與功率器件發(fā)展呈現(xiàn)出追求更高功率密度，更高頻率、更高效率，更大帶寬，更高電壓和功率優(yōu)值，龍頭企業(yè)深度參與，更好的設(shè)備和材料創(chuàng)新驅(qū)動的趨勢。

嘉賓簡介

張進成，西安電子科技大學(xué)副校長、教授、寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級重點實驗室副主任，曾擔(dān)任ICNS、DRIP、APWS等國際學(xué)術(shù)會議電子器件分會主席，微電子學(xué)院副院長，科學(xué)研究院院長。主要研究領(lǐng)域為寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學(xué)成果一等獎1項。1998年起師從中國科學(xué)院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻應(yīng)盡的力量。