大尺寸SiC單晶具有更大的晶片尺寸和更高的晶片質(zhì)量，技術(shù)的不斷改進(jìn)，為高性能SiC器件的制備提供更好的材料基礎(chǔ)，推動碳化硅技術(shù)在功率電子、射頻和光電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”在西安召開，論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，西安華合德新材料科技有限公司技術(shù)副總經(jīng)理李灝文做了“面向低成本碳化硅功率器件用的大尺寸SiC 單晶技術(shù)”的主題報告。

碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)能等特點，應(yīng)用優(yōu)勢明顯。目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。碳化硅（SiC）器件特別適合新能源汽車、深井鉆探、太陽能逆變器（實現(xiàn)直流與交流的轉(zhuǎn)換）、風(fēng)能逆變器、工業(yè)驅(qū)動以及輕軌牽引等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。當(dāng)前碳化硅在新能源汽車的滲透率只有24%，在光伏逆變器的滲透率只有20%，在軌道交通中只有2%。前景非常廣闊。碳化硅晶片對下游外延和器件有諸多影響.報告指出，碳化硅晶體制備要求高，相對于Si，SiC的下游需要新的設(shè)備，并且引入新的工藝。碳化硅晶片技術(shù)將向擴大晶圓尺寸、改進(jìn)碳化硅長晶工藝、切片工藝控制的方向發(fā)展。

CASICON 系列活動簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。活動聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>