低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管，作為一種新興的金剛石場效應(yīng)晶體管，其研究對于推動金剛石材料在電子學(xué)器件領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。通過深入研究和優(yōu)化，可以進(jìn)一步提高金剛石場效應(yīng)晶體管的性能，拓展其在高功率、高頻率和高溫等極端條件下的應(yīng)用潛力。

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，西安交通大學(xué)，副教授王瑋帶來“低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究”的主題報(bào)告。傳統(tǒng)的硅基電子器件已逼近至其材料極限，采用GaN電力電子器件可實(shí)現(xiàn)：更小尺寸、更高開關(guān)頻率、更高轉(zhuǎn)換效率。2030年，數(shù)據(jù)中心能源消耗將達(dá)到~3000TWh (約占全球能源消耗的7.6%)，相當(dāng)于428個(gè)核電站發(fā)電量。相比傳統(tǒng)硅基電源模塊，氮化鎵電源模塊可以將電源模塊效率提高0.5~1%左右，可以節(jié)約21TWH發(fā)電量，相當(dāng)于3個(gè)核電站。有數(shù)據(jù)顯示，我國功率二極管市場規(guī)模從2020年的119億增加到2021年的167億，同比增長40%，2022年市場規(guī)模高達(dá)186億，同比增長11%，市場增長空間巨大。

報(bào)告詳細(xì)分享了低開啟電壓GaN SBD技術(shù)、低漏電高耐壓GaN SBD技術(shù)、電流崩塌免疫GaN SBD技術(shù)的研究進(jìn)展與成果。其中，低損傷陽極凹槽制備技術(shù)，采用濕法腐蝕陽極凹槽制備技術(shù)，解決了陽極凹槽邊緣刻蝕尖峰難題，實(shí)現(xiàn)了器件開啟電壓為0.43 V，反向漏電僅為90 nA/mm的高性能，且陽極凹槽區(qū)域緩沖層耐壓高達(dá)1.5 kV。據(jù)介紹，其研究團(tuán)隊(duì)的高性能GaN SBD芯片已完成產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，累計(jì)出貨量達(dá)10萬只，應(yīng)用在多項(xiàng)國家重大工程中，并受邀參與國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展。

CASICON 系列活動簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>