近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇1：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”上，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所副主任設(shè)計(jì)師黃潤(rùn)華 帶來(lái)“SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展，報(bào)告中介紹了SiC器件的應(yīng)用狀況，器件技術(shù)的發(fā)展和未來(lái)技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)，并分享了55所在車用器件領(lǐng)域的進(jìn)展。

隨著SiC MOSFET器件技術(shù)的進(jìn)步，已在高功率、高頻率和高溫等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。有數(shù)據(jù)顯示，2021年全球功率市場(chǎng)204億美元，硅MOSFET和IGBT占比約60%，2027年增長(zhǎng)至305億美元。SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)約為10.9億美元，預(yù)計(jì)2027年將達(dá)到63億美元，市場(chǎng)滲透率約從5%增長(zhǎng)到20%。其產(chǎn)品在新能源發(fā)電、新能源汽車、軌道交通、輸變電系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用，將帶來(lái)系統(tǒng)功能的提升。

對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。SiC MOSFET可靠性問(wèn)題涉及柵氧介質(zhì)失效，柵氧介質(zhì)本征可靠性與硅MOS相當(dāng)，但較薄柵氧加大失效風(fēng)險(xiǎn)，改進(jìn)加工工藝、篩除早期失效，可有效解決柵氧介質(zhì)可靠性問(wèn)題。高溫柵偏應(yīng)力引起閾值漂移，導(dǎo)致器件性能退化甚至誤開(kāi)通失效，新的試驗(yàn)和表征方法揭示更多柵氧近界面問(wèn)題，仍需研究熱電綜合應(yīng)力以及極限工況對(duì)閾值穩(wěn)定性的影響。

對(duì)于體二極管導(dǎo)通特性退化，外延和器件結(jié)構(gòu)和工藝改進(jìn)，體二極管雙極型退化得到有效控制，浪涌等高電流密度工況下高載流子復(fù)合率加速層錯(cuò)缺陷的產(chǎn)生和擴(kuò)展，可能導(dǎo)致動(dòng)態(tài)電阻增大、阻斷特性退化。

當(dāng)前，55所車用全SiC功率模塊研制方面，涉及到高溫高功率密度SiC模塊設(shè)計(jì)及封裝技術(shù)，先進(jìn)封裝技術(shù)：納米銀燒結(jié)+銅互聯(lián)技術(shù)，傳統(tǒng)HPD封裝模塊研制，阻斷電壓1200V，輸出電流600A，塑封模塊技術(shù)，采用2in1塑封，寄生電感≤6.5nH，輸出電流達(dá)550A。6in1模塊正在開(kāi)發(fā)中。

主驅(qū)電機(jī)控制器應(yīng)用方面，采用傳統(tǒng)HPD封裝，基于自主芯片，1200V/400A全SiC功率模塊，裝車過(guò)百量，完成1.5萬(wàn)公里路試驗(yàn)證。采用G2+ 1200V/16mΩ， 750V/11mΩ 芯片，合作研制塑封模塊，一汽完成模塊級(jí)測(cè)試評(píng)估。1200V600A HPD模塊，完成電動(dòng)摩托30kHZ高頻工況驗(yàn)證。

CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?；顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>