復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所（以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶所”）由復(fù)旦大學(xué)寧波研究院聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院共同組建，聚焦SiC功率半導(dǎo)體材料缺陷表征、器件設(shè)計(jì)、器件制造工藝、封裝工藝開發(fā)等主要方向，以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)為動(dòng)力，高端人才培養(yǎng)為支撐，采用政府引導(dǎo)、高校支撐、企業(yè)聯(lián)合研發(fā)、全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的政產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的模式，重點(diǎn)突破SiC材料與器件關(guān)鍵共性技術(shù)及先進(jìn)制造工藝，聯(lián)合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波SiC優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)集群的形成提供強(qiáng)有力支撐。
寬禁帶所建設(shè)總投入約4.6億元，主要用于器件工藝研發(fā)與中試線、先進(jìn)封裝研發(fā)線、測(cè)試及可靠性平臺(tái)的設(shè)備采購(gòu)、能力建設(shè)和日常運(yùn)營(yíng)管理等。接下來(lái)將按照國(guó)家級(jí)和省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)，加快建設(shè)面向前瞻研究與成果轉(zhuǎn)化、具備國(guó)際領(lǐng)先水平的碳化硅半導(dǎo)體材料與器件高水平研發(fā)平臺(tái)，力爭(zhēng)成為國(guó)家級(jí)碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心，打造寧波“碳化硅谷”。
招聘需求
一、研究員/副研究員
應(yīng)聘要求：
1）博士研究生學(xué)歷，省市級(jí)人才項(xiàng)目獲得者優(yōu)先；
2）有寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目研發(fā)、管理或領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)，有高水平論文、成果轉(zhuǎn)化、技術(shù)轉(zhuǎn)移和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷，其中有高校及領(lǐng)先頭部企業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先，有省市級(jí)平臺(tái)管理經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
3）具有技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、項(xiàng)目申請(qǐng)、專利申請(qǐng)的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，具有相關(guān)團(tuán)隊(duì)管理經(jīng)驗(yàn)，具備較強(qiáng)溝通能力和團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力。
二、青年研究員/青年副研究員
應(yīng)聘要求：
1）博士研究生學(xué)歷；
2）擁有半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目研發(fā)及管理經(jīng)驗(yàn)，可獨(dú)立完成項(xiàng)目申請(qǐng)和技術(shù)研發(fā)的相關(guān)工作，有國(guó)家/省市/橫向科研項(xiàng)目的主持領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)，已發(fā)表過(guò)高水平論文者優(yōu)先；
3）品德優(yōu)秀、敬業(yè)愛崗，具有良好的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)能力和協(xié)作精神。
薪酬及福利待遇
1、薪酬面議，整體參照國(guó)內(nèi)一流科研機(jī)構(gòu)水平及國(guó)內(nèi)一線高技術(shù)企業(yè)水平；
2、開放的高?？蒲小⑷瞬?、項(xiàng)目資源，強(qiáng)大的自有研發(fā)平臺(tái)及創(chuàng)新載體支撐；
3、廣闊的職業(yè)發(fā)展空間和晉升通道，完善的績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制；
4、高標(biāo)準(zhǔn)繳納五險(xiǎn)一金（含補(bǔ)充商業(yè)險(xiǎn)）；
5、雙休工作制，提供員工宿舍、帶薪年假、健康體檢等；
6、享受當(dāng)?shù)卣瞬耪?，協(xié)助高層次人才申報(bào)住房補(bǔ)貼、解決子女入學(xué)等問(wèn)題。
應(yīng)聘程序
應(yīng)聘者請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷發(fā)送至郵箱hr-rifun@fudannb.com，郵件主題請(qǐng)注明 “應(yīng)聘崗位-姓名”。
我單位承諾對(duì)應(yīng)聘者提交的所有材料嚴(yán)格保密。應(yīng)聘者須對(duì)提供的所有材料的真實(shí)性負(fù)責(zé)。
聯(lián)系人：楊老師
電話：0574-82350319（如有不明事宜，可電話咨詢）
所長(zhǎng)寄語(yǔ)
張清純
復(fù)旦大學(xué)特聘教授
復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶所所長(zhǎng)
寬禁帶半導(dǎo)體即第三代半導(dǎo)體（SiC和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，契合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，被列為國(guó)家科技創(chuàng)新2030重大項(xiàng)目“重點(diǎn)新材料研發(fā)及應(yīng)用”重要方向之一。我國(guó)在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域有戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)，有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領(lǐng)，在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)，重塑全球新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。
碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，是第三代半導(dǎo)體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導(dǎo)體以及GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導(dǎo)體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應(yīng)用。
我的職業(yè)生涯親歷了SiC半導(dǎo)體材料從萌芽到產(chǎn)業(yè)化，見證了SiC器件從小眾到主流的整個(gè)歷程，積極參與和推動(dòng)了SiC半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。技術(shù)進(jìn)步?jīng)]有止境，SiC半導(dǎo)體材料和器件的不斷迭代仍需要從根本上研究解決諸如材料生長(zhǎng)與缺陷形成機(jī)制、MOS溝道遷移率、器件及系統(tǒng)可靠性等重大基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題，亟需發(fā)展創(chuàng)新關(guān)鍵技術(shù)、形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展、技術(shù)升級(jí)提供有力支撐和保障。
熱忱歡迎有志于從事第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域科技研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化事業(yè)的青年才俊加入研究院團(tuán)隊(duì)，共同推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展！
（來(lái)源：復(fù)旦大學(xué)寧波研究院）
