2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇將于10月12-13日在深圳·國際會展中心（寶安新館）·  3號館·封測劇院召開。屆時，大連理工大學(xué)王德君教授將受邀出席論壇，并分享《碳化硅柵氧技術(shù)及未來挑戰(zhàn)》主題演講。

封裝是功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)，主要起著安放、固定、密封、保護芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。采用合理的封裝結(jié)構(gòu)、合適的封裝材料，以及先進的封裝工藝技術(shù)，可以獲得良好的散熱性能，確保高電壓、大電流的功率器件的正常使用，并能在工作環(huán)境下穩(wěn)定可靠地工作。此外，封裝對于功率器件乃至整個系統(tǒng)的小型化、高度集成化及多功能化起著關(guān)鍵的作用。為了提高功率半導(dǎo)體器件的性能，必然會對封裝提出更高的要求。

柵氧技術(shù)是碳化硅MOSFET器件的核心關(guān)鍵技術(shù)，它與器件的可靠性密切相關(guān)。大連理工大學(xué)在SiC器件領(lǐng)域經(jīng)二十余年技術(shù)積累，率先解決了柵氧缺陷分析和缺陷物理參數(shù)分離難題，形成了SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術(shù)成套解決方案；并開發(fā)了SiC MOS器件柵氧化新技術(shù)等諸多成果，為服務(wù)器件制造產(chǎn)業(yè)提供了強有力的支撐。屆時，王德君教授將出席論壇并將在《碳化硅柵氧技術(shù)及未來挑戰(zhàn)》主題報告中，詳細(xì)介紹高溫柵氧技術(shù)及未來挑戰(zhàn)，以及先進柵氧化技術(shù)及未來挑戰(zhàn)，內(nèi)容涉及缺陷理論、測試分析、制造技術(shù)及裝備等。

王德君，大連理工大學(xué)教授，研究方向涉及三代半導(dǎo)體SiC電子器件制造測試技術(shù)及裝備； SiC半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)；集成電路技術(shù)。技術(shù)領(lǐng)域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術(shù)；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術(shù)及裝備；SiC半導(dǎo)體表面干法清洗技術(shù)及裝備。

目前論壇詳細(xì)日程安排已經(jīng)出爐，欲知會議詳情詳見下文：

會議主題：共享“芯”機遇  直面 “芯”挑戰(zhàn)

會議時間：2023年10月12-13日

會議地點：深圳·國際會展中心（寶安新館）·  3號館·封測劇院

主辦單位：

中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會

勵展博覽集團

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦單位：

江蘇博睿光電股份有限公司

ULVAC株式會社

托托科技（蘇州）有限公司

擬與會單位：

蘇州鍇威特、英諾賽科、基本半導(dǎo)體、泰科天潤、PI、長飛光纖、日月光、安靠、長電科技、瞻芯電子，華天、納維科技、蘇州晶湛、百識電子、三安集成、通富微、大族激光、紫光、力成科技、矽品、中微、上海微電子、陽光電源、北方華創(chuàng)、南京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、中科院蘇州納米所、江蘇三代半研究院、東南大學(xué)、國星光電、京元電子、聯(lián)合科技、甬矽電子、無錫華潤安盛、頎邦、晶方半導(dǎo)體、紫光、環(huán)旭、蘇州固锝、ARM、Cadence、士蘭微、Mentor、Synopsys、Silicon Image、Ceva、eMemory、comsol、ansys、abaqus、Ansys 、富士康、華光光電、偉創(chuàng)力、捷普電子、和 碩、廣達上海、貝萊勝電子、恒諾微電子、華泰電子、環(huán)旭、TDG、中電科、杭州長川科技、ASM、海思、K&S、Disco、蘇州艾科瑞思、泰瑞達、科利登Xcerra、美國國家儀器NI、Chroma、北京華峰測控、精測電子、TRI、Hilevel、KingTiger、TEV、TELCO、是德科技、羅德施瓦茨、錸微半導(dǎo)體、利之達、老鷹半導(dǎo)體，米格實驗室，國星半導(dǎo)體，南方電網(wǎng)，國家電網(wǎng)，深圳大學(xué)，北大深圳研究院，南方科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、華為和比亞迪等

會議日程(擬)：

 注冊參會：參會費1500，含會議午餐，茶歇（前50名報名參會者，免收注冊費！?。。?/strong>